Livrables Documents, reports (2) Report on dissemination activities during first reporting period It will present all dissemination actions performed during the first period for the different targets. Report on dissemination activities during second reporting period It will present all dissemination actions performed during the second period for the different targets. Websites, patent fillings, videos etc. (1) Report on the Website structure The project website will be an important tool for scientific project management, internal communication and project communication. It will include: • A Public area with dedicated parts for each target (Public, Scientifics, Policy Makers, …) • A Consortium area, where all relevant project documentation (such as scientific results, records of samples and masks, official documents, reports, drafts of publications, minutes of meetings) will be available. European Commission and reviewers will have access to specified pages of the Consortium area (such as Publications and Deliverables) Publications Peer reviewed articles (12) Comprehensive study of hydrothermally grown ZnO nanowires Auteurs: Thomas Demes, Céline Ternon, David Riassetto, Valérie Stambouli, Michel Langlet Publié dans: Journal of Materials Science, Issue 51/23, 2016, Page(s) 10652-10661, ISSN 0022-2461 Éditeur: Kluwer Academic Publishers DOI: 10.1007/s10853-016-0287-8 Wafer-scale HfO 2 encapsulated silicon nanowire field effect transistor for efficient label-free DNA hybridization detection in dry environment Auteurs: Ganesh Jayakumar, Maxime Legallais, Per-Erik Hellström, Mireille Mouis, Isabelle Pignot-Paintrand, Valérie Stambouli, Céline Ternon, Mikael Östling Publié dans: Nanotechnology, Issue 30/18, 2019, Page(s) 184002, ISSN 0957-4484 Éditeur: Institute of Physics Publishing DOI: 10.1088/1361-6528/aaffa5 Pixel-based biosensor for enhanced control: silicon nanowires monolithically integrated with field-effect transistors in fully depleted silicon on insulator technology Auteurs: G Jayakumar, M Östling Publié dans: Nanotechnology, Issue 30/22, 2019, Page(s) 225502, ISSN 0957-4484 Éditeur: Institute of Physics Publishing DOI: 10.1088/1361-6528/ab0469 Utilizing the superior etch stop quality of HfO2 in the front end of line wafer scale integration of silicon nanowire biosensors Auteurs: G. Jayakumar, P.-E. Hellström, M. Östling Publié dans: Microelectronic Engineering, Issue 212, 2019, Page(s) 13-20, ISSN 0167-9317 Éditeur: Elsevier BV DOI: 10.1016/j.mee.2019.03.006 Monolithic Wafer Scale Integration of Silicon Nanoribbon Sensors with CMOS for Lab-on-Chip Application Auteurs: Ganesh Jayakumar, Per-Erik Hellström, Mikael Östling Publié dans: Micromachines, Issue 9/11, 2018, Page(s) 544, ISSN 2072-666X Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI) DOI: 10.3390/mi9110544 First evidence of superiority of Si nanonet field effect transistors over multi-parallel Si nanowire ones in view of electrical DNA hybridization detection Auteurs: Thi Thu Thuy Nguyen, Maxime Legallais, Fanny Morisot, Thibauld Cazimajou, Valérie Stambouli, Mireille Mouis, Bassem Salem, Céline Ternon Publié dans: Materials Research Express, Issue 6/1, 2019, Page(s) 016301, ISSN 2053-1591 Éditeur: IOP DOI: 10.1088/2053-1591/aae0d5 Analytical expression of top surface charge sensitivity in fully depleted semiconductor on insulator MOS transistor Auteurs: G. Ghibaudo, G. Pananakakis Publié dans: Composants nanoélectroniques, Issue 2/1, 2019, ISSN 2516-3914 Éditeur: ISTE DOI: 10.21494/iste.op.2019.0347 Evaluation of Silicon Nanonet Field Effect Transistor as Photodiodes Auteurs: Muhammed Kayaharman, Maxime Legallais, Celine Ternon, Sangtak Park, Bassem Salem, Mehrdad Irannejad, Eihab Abdel-Rahman, Mustafa Yavuz Publié dans: Proceedings, Issue 2/3, 2018, Page(s) 124, ISSN 2504-3900 Éditeur: MDPI DOI: 10.3390/ecsa-4-04925 Optimizing Paste Formulation for Improving the Performances of CMOS-Based MOx Chemiresistors Prepared by Ink-Jet Printing Auteurs: Claudio Zuliani, Lisa Jerg, Alison Hart, Wolfram Simmendinger, Malick Camara, Zeeshan Ali Publié dans: Proceedings, Issue 2/13, 2018, Page(s) 774, ISSN 2504-3900 Éditeur: MDPI DOI: 10.3390/proceedings2130774 An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors Auteurs: M. Legallais, T.T.T. Nguyen, M. Mouis, B. Salem, E. Robin, P. Chenevier, C. Ternon Publié dans: Solid-State Electronics, Issue 143, 2018, Page(s) 97-102, ISSN 0038-1101 Éditeur: Pergamon Press Ltd. DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.008 Electrical characteristics of silicon percolating nanonet-based field effect transistors in the presence of dispersion Auteurs: T. Cazimajou, M. Legallais, M. Mouis, C. Ternon, B. Salem, G. Ghibaudo Publié dans: Solid-State Electronics, Issue 143, 2018, Page(s) 83-89, ISSN 0038-1101 Éditeur: Pergamon Press Ltd. DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.013 Mechanisms involved in the hydrothermal growth of ultra-thin and high aspect ratio ZnO nanowires Auteurs: Thomas Demes, Céline Ternon, Fanny Morisot, David Riassetto, Maxime Legallais, Hervé Roussel, Michel Langlet Publié dans: Applied Surface Science, Issue 410, 2017, Page(s) 423-431, ISSN 0169-4332 Éditeur: Elsevier BV DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.086 Other (8) Material Engineering of Percolating Silicon Nanowire Networks for Reliable and Efficient Electronic Devices Auteurs: Maxime Legallais, Thi Thu Thuy Nguyen, Thibauld Cazimajou, Mireille Mouis, Bassem Salem and Céline Ternon Publié dans: 2016 Éditeur: IOP DNA grafting on silicon nanonets using an eco-friendly functionalization process based on epoxy silane Auteurs: Demes-Causse, T and Morisot, F and Legallais, M and Calais, A and Pernot, E and Pignot-Paintrand, I and Ternon, C and Stambouli, V. Publié dans: Materials Today, Proc, 2016 Éditeur: Elsevier Fabrication et caractérisation de transistors à base de nanonet de silicium pour la détection électrique de l’ADN Auteurs: Duc-Trung NGUYEN Publié dans: 2018 Éditeur: à renseigner Al2O3, Al doped ZnO and SnO2 encapsulation of randomly oriented ZnO nanowire networks for high performance and stable electrical devices Auteurs: Morisot F., Nguyen V. H., Montemont C., Maindron T., Muñoz-Rojas D., Mouis M., Langlet M., Ternon C. Publié dans: Nanotechnology, 2016 Éditeur: IOP Monolithic fabrication of nano-to-millimeter scale integrated transistors based on transparent and flexible silicon nanonets. Auteurs: Thi Thu Thuy Nguyen, Thibauld Cazimajou, Maxime Legallais, Tabassom Arjmand, Viet Huong Nguyen, Mireille Mouis, Bassem Salem, Eric Robin, and Céline Ternon Publié dans: Nano Futures, 2016 Éditeur: IOP ZnO based Nanowire Network for Gas Sensing Applications Auteurs: Fanny MORISOT, Claudio ZULIANI, Joaquim LUQUE1, Zeeshan ALI, , Mireille MOUIS, Viet Huong NGUYEN, David MUNOZ-ROJAS, Oumayma LOURHZAL, Michael TEXIER, Thomas W. CORNELIUS, Celine TERNON Publié dans: Material Research Express, 2016 Éditeur: IOP Master thesis dissertation: Fonctionnalisation de nanonets de ZnO, pour la détection électrique d’ADN sans marquage, validée par détection de fluorescence Auteurs: F. Morisot Publié dans: 2016 Éditeur: Université Bourgogne-Franche Comté Engineering level dissertation: Nanonets de ZnO pour la détection électrique d’acétone Auteurs: F. Morisot Publié dans: 2016 Éditeur: ESIREM Dijon Thesis and dissertations (2) Conception, étude et modélisation d’une nouvelle génération de transistors à nanofils de silicium pour applications biocapteurs Auteurs: Maxime LEGALLAIS Publié dans: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2017, 2018 Éditeur: à renseigner Croissance, assemblage et intégration collective de nanofils deZnO : Application à la biodétection Auteurs: T. Demes Publié dans: 2017 Éditeur: Communauté Université Grenoble Alpes Conference proceedings (5) Finite element simulation of 2D percolating silicon-nanonet field-effect transistor Auteurs: T. Cazimajou, M. Mouis, G. Ghibaudo Publié dans: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018, Page(s) 1-3, ISBN 978-1-5386-4811-7 Éditeur: IEEE DOI: 10.1109/ulis.2018.8354760 Low Temperature Electrical Characteristics of Si Nanonet Field Effect Transistors Auteurs: T Cazimajou, TTT Nguyen, M Legallais, M Mouis, CTernon, G Ghibaudo Publié dans: Proceedings of EUROSOI-ULIS, 2019, 2019 Éditeur: IEEE Low frequency noise characterization of Si Nanonet Field Effect Transistors Auteurs: T Cazimajou, C Theodorou, M Mouis, TTT Nguyen, M Legallais, C Ternon and G Ghibaudo Publié dans: Proceedings of ICNF 2019 (Neufchatel, Switzerland), 2019 Éditeur: IEEE Toward the integration of Si nanonets into FETs for biosensing applications Auteurs: M. Legallais, T. T. T. Nguyen, M. Mouis, B. Salem, C. Ternon Publié dans: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017, Page(s) 231-234, ISBN 978-1-5090-5313-1 Éditeur: IEEE DOI: 10.1109/ULIS.2017.7962570 Electrical characterization of percolating silicon nanonet FETs for sensing applications Auteurs: T. Cazimajou, M. Legallais, M. Mouis, C. Ternon, B. Salem, G. Ghibaudo Publié dans: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017, Page(s) 23-26, ISBN 978-1-5090-5313-1 Éditeur: IEEE DOI: 10.1109/ULIS.2017.7962591 Recherche de données OpenAIRE... Une erreur s’est produite lors de la recherche de données OpenAIRE Aucun résultat disponible
