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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE

Rf Engineered substrates to FostER fEm performaNCE

Risultati finali


"REFERENCE ProjectWorkshop #2"


"REFERENCE Project Workshop #1"


Multi-band dual-mode antenna tunable matching network for broadband applications

Autori: F. Chan Wai Po, R. Abdaoui, A. Giry
Pubblicato in: 2016 IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2016, Pagina/e 492-495, ISBN 978-1-5090-6113-6
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ICECS.2016.7841246

A 130-nm SOI CMOS reconfigurable multimode multiband power amplifier for 2G/3G/4G handset applications

Autori: Pierre Ferris, Gauthier Tant, Alexandre Giry, J. D. Arnould, J. M. Fournier
Pubblicato in: 2016 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2016, Pagina/e 254-257, ISBN 978-1-4673-8651-7
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/RFIC.2016.7508299

Study of SOI CMOS tunable capacitor architectures and application to antenna aperture tuning

Autori: Dominique Nicolas, Alexandre Giry, Essia Ben Abdallah, Serge Bories, Thierry Parra, Christophe Delaveaud, Pierre Vincent
Pubblicato in: 2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2016, Pagina/e 1-4, ISBN 978-1-5090-0698-4
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/MWSYM.2016.7538835

Système de Détection d'impédance en technologie CMOS SOI pour accord d'antennes

Autori: D. Nicolas, A. Serhan , P. Ferris, A. Giry, T. Parra
Pubblicato in: Journées Nationales Micro-ondes, Numero Mai, 2017
Editore: Journées Nationales Micro-ondes

A fully-integrated SOI CMOS complex-impedance detector for matching network tuning in LTE power amplifier

Autori: D. Nicolas, A. Serhan, A. Giry, T. Parra, E. Mercier
Pubblicato in: 2017 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2017, Pagina/e 15-18, ISBN 978-1-5090-4626-3
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/RFIC.2017.7969005

RF SOI Technology for PA/FEM Integration

Autori: A. Giry, A. Serhan, P. Ferris
Pubblicato in: 2017
Editore: IEEE

Output matching network design for broadband class B/J power amplifier

Autori: Saad Boutayeb, Alexandre Giry, Ayssar Serhan, Jean-Daniel Arnould, Estelle Lauga-Larroze
Pubblicato in: 2017 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2017, Pagina/e 41-44, ISBN 978-1-5090-6508-0
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/PRIME.2017.7974102

RFSOI for Tunable RF

Autori: A. Giry
Pubblicato in: Numero Mars, 2017
Editore: GDR Ondes - GT4

Output Matching Network Design for Class B/J PA

Autori: S. Boutayeb
Pubblicato in: Numero Mars, 2017
Editore: GDR Ondes - GT4

Broadband SOI PA with tunable matching network for improved LTE performances under high VSWR

Autori: Ayssar Serhan, Pierre Ferris, Alexandre Giry
Pubblicato in: 2016 IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2016, Pagina/e 488-491, ISBN 978-1-5090-6113-6
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ICECS.2016.7841245

Silicon (001) Heteroepitaxy on 3C-SiC(001)/Si(001) Seed

Autori: Yeghoyan Taguhi, Alassaad Kassem, McMitchell Sean R.C., Gutierrez Marina, Souliere Véronique, Araujo Daniel, Ferro Gabriel
Pubblicato in: Materials Science Forum, Numero Vol. 924, 2018, Pagina/e 128-131
Editore: Trans Tech Publications

Silicon Deposition on 3C-SiC Seeds of Different Orientations

Pubblicato in: Materials Science Forum, Numero Vol. 897, 2017, Pagina/e 87-90
Editore: Trans tech publications

RF performance of passive components on state-of-art trap rich silicon-on-insulator substrates

Autori: Lei Zhu, Shuangke Liu, F. Allibert, E. Desbonnets, I. Radu, Xinen Zhu, Yumin Lu
Pubblicato in: 2016 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2016, Pagina/e 1-2, ISBN 978-1-4673-9478-9
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2016.7480530

A 28-GHz transceiver front-end with T/R switching achieving 11.2-dBm OP<inf>1dB</inf>, 33.8% PAE<inf>max</inf> and 4-dB NF in 22-nm FD-SOI for 5G communication

Autori: Yao Liu, Giovanni Mangraviti, Shinya Hitomi, Khaled Khalaf, Bjorn Debaillie, Piet Wambacq
Pubblicato in: 2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Numero Date of Conference: 15-18 Oct. 2018, 2018, Pagina/e 1-3, ISBN 978-1-5386-7627-1
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/s3s.2018.8640209

Enabling 5G — A substrate material perspective: AEM, ET/ID

Autori: Ionut Radu, Eric Desbonnets, Manuel Sellier, Christophe Didier
Pubblicato in: 2018 29th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC), Numero Date of Conference: 30 April-3 May 2018, 2018, Pagina/e 143-147, ISBN 978-1-5386-3748-7
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/asmc.2018.8373174

SOI Wafer Technology for Advanced Mos Applications

Autori: Oleg Kononchuk, Didier Landru, Damien Massy, Nadia Ben Mohamed, Youngpil Kim, Pablo Acosta-Alba and François Rieutord
Pubblicato in: 236th ECS meetings, Numero Oct 3rd 2018, 2018
Editore: © 2018 ECS - The Electrochemical Society

(Invited) Substrate and Device Engineering for IoT and Automotive

Autori: Manuel Sellier
Pubblicato in: ECS Transactions, Numero 85/8, 2018, Pagina/e 3-13, ISSN 1938-5862
Editore: Electrochemical Society, Inc.
DOI: 10.1149/08508.0003ecst

RF Characteristics of Two Generations of RFeSI HR-SOI Substrates Over Temperature

Autori: Lei Zhu, Shuangke Liu, Frederic Allibert, Ionut Radu, Xinen Zhu, Yumin Lu, Xi Wang
Pubblicato in: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Numero 28/5, 2018, Pagina/e 377-379, ISSN 1531-1309
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/lmwc.2018.2813884

RF Small- and Large-Signal Characteristics of CPW and TFMS Lines on Trap-Rich HR-SOI Substrates

Autori: Babak Kazemi Esfeh, Martin Rack, Khaled Ben Ali, Frederic Allibert, Jean-Pierre Raskin
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, Numero 65/8, 2018, Pagina/e 3120-3126, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2018.2845679

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