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Efficient and Robust Oxide Switching

Projektbeschreibung

Verbesserte Dünnschichtstrukturen sorgen für zuverlässigere Memristoren

Die Menge der weltweit produzierten digitalen Informationen explodiert. Satte 90 % der 2016 weltweit existierenden Daten wurden allein in den beiden vorhergehenden Jahren erzeugt. Die Technologie der nichtflüchtigen Speicher ist der Schlüssel zur effizienten Speicherung und Verwaltung dieser Datenflut und hat hohe Geschwindigkeiten und weniger Stromverbrauch zu bieten. Memristoren, fundamentale Schaltungsbauelemente mit zwei Anschlüssen, sind vielversprechend in Bezug auf Anwendungen in den Bereichen nichtflüchtige Speicher und neuromorphes Rechnen. Auch noch nach einem Jahrzehnt intensiver Forschungsanstrengungen können jedoch deren Dünnschichteigenschaften nicht ausreichend genau gesteuert werden, sodass sie nicht einheitlich sind, und keine Massenproduktion realisierbar ist. Das EU-finanzierte Projekt EROS plant nun die technische Entwicklung neuer Formen nanostrukturierter Oxid-Dünnschichten mit verbessertem Widerstandsschaltverhalten. Mit verbesserten Dünnschichtstrukturen werden die Oxid-Memristoren zuverlässiger funktionieren, sodass sie die Technologielandschaft der künstlichen Intelligenz und der Sicherheit verändern können.

Ziel

We are at the beginning of a Data Age. Data is exploding. In 2016, 90% of the world’s data ever created was in the two previous years. AI and data analytics are further increasing the growth. The power demand is huge and growing. Within a few years some developed countries will not have sufficient power to sustain the growth. The negative effects on the planet are serious. Non-volatile memory (NVM) technology (including memory and neuromorphic computing elements in a single device) could strongly help to solve the problem, giving two orders of magnitude power reduction and, by removing the data transfer bottleneck, increased speed. Oxide memristors have significant advantages over competing NVM technologies, particularly in terms of speed, cost and temperature stability. However, after more than a decade of intense effort, serious challenges remain in terms of scaling, uniformity and robustness. The challenges all relate to a lack of precise control of the materials. Completely new thinking in thin film materials engineering is needed.

EROS provides this new thinking by designing and engineering new forms of nanostructured oxide films to give highly Efficient, Robust Oxide Switching in an ultra-dense, ultra-low power, reliable oxide memristor system, with potential to change the technology landscape in AI, IoT, and security. ‘Ideal’ films will first be designed, fabricated, and understood. These will direct the way to simple industry-platform devices. Stochastic effects will be eliminated by creating films with separate vertical nanoscale ionic and electron channels with highly controlled vacancy and electronic concentrations, allowing scaling to a few nm, in a forming-free system. Also, multifunctional hybrid structures will be developed to give robustness. Furthermore, ferroelectricity will be induced, allowing simpler and smaller devices. Confidence in the proposed approach comes from proof-of-concept model systems shown by the PI.

Finanzierungsplan

ERC-ADG - Advanced Grant

Gastgebende Einrichtung

THE CHANCELLOR MASTERS AND SCHOLARS OF THE UNIVERSITY OF CAMBRIDGE
Netto-EU-Beitrag
€ 1 913 521,00
Adresse
TRINITY LANE THE OLD SCHOOLS
CB2 1TN Cambridge
Vereinigtes Königreich

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Region
East of England East Anglia Cambridgeshire CC
Aktivitätstyp
Higher or Secondary Education Establishments
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Gesamtkosten
€ 1 913 521,00

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