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Efficient and Robust Oxide Switching

Descrizione del progetto

Le strutture a film sottile migliorate potrebbero rendere i memristori più affidabili

La quantità di informazioni digitali prodotte a livello globale sta esplodendo. Nel 2016, ben il 90 % dei dati mondiali esistenti era stato creato solo nei due anni precedenti. La tecnologia di memoria non volatile è fondamentale per archiviare e gestire in modo efficiente questa valanga di dati, offrendo velocità elevate e consumi energetici ridotti. I memristori, elementi fondamentali del circuito a due terminali, hanno applicazioni promettenti nella memoria non volatile e nell’informatica neuromorfica. Tuttavia, nonostante un decennio di intensi tentativi di ricerca, la mancanza di un controllo preciso delle proprietà del film sottile impedisce loro di raggiungere un’uniformità e ostacola la loro produzione su larga scala. Il progetto EROS, finanziato dall’UE, prevede di progettare nuove forme di film sottili nanostrutturati di ossido con un comportamento di commutazione resistivo migliorato. Le strutture migliorate a film sottile renderanno i memristori di ossido più affidabili e cambieranno il panorama della tecnologia nell’intelligenza artificiale e nella sicurezza.

Obiettivo

We are at the beginning of a Data Age. Data is exploding. In 2016, 90% of the world’s data ever created was in the two previous years. AI and data analytics are further increasing the growth. The power demand is huge and growing. Within a few years some developed countries will not have sufficient power to sustain the growth. The negative effects on the planet are serious. Non-volatile memory (NVM) technology (including memory and neuromorphic computing elements in a single device) could strongly help to solve the problem, giving two orders of magnitude power reduction and, by removing the data transfer bottleneck, increased speed. Oxide memristors have significant advantages over competing NVM technologies, particularly in terms of speed, cost and temperature stability. However, after more than a decade of intense effort, serious challenges remain in terms of scaling, uniformity and robustness. The challenges all relate to a lack of precise control of the materials. Completely new thinking in thin film materials engineering is needed.

EROS provides this new thinking by designing and engineering new forms of nanostructured oxide films to give highly Efficient, Robust Oxide Switching in an ultra-dense, ultra-low power, reliable oxide memristor system, with potential to change the technology landscape in AI, IoT, and security. ‘Ideal’ films will first be designed, fabricated, and understood. These will direct the way to simple industry-platform devices. Stochastic effects will be eliminated by creating films with separate vertical nanoscale ionic and electron channels with highly controlled vacancy and electronic concentrations, allowing scaling to a few nm, in a forming-free system. Also, multifunctional hybrid structures will be developed to give robustness. Furthermore, ferroelectricity will be induced, allowing simpler and smaller devices. Confidence in the proposed approach comes from proof-of-concept model systems shown by the PI.

Meccanismo di finanziamento

ERC-ADG - Advanced Grant

Istituzione ospitante

THE CHANCELLOR MASTERS AND SCHOLARS OF THE UNIVERSITY OF CAMBRIDGE
Contribution nette de l'UE
€ 1 913 521,00
Indirizzo
TRINITY LANE THE OLD SCHOOLS
CB2 1TN Cambridge
Regno Unito

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Regione
East of England East Anglia Cambridgeshire CC
Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale
€ 1 913 521,00

Beneficiari (1)