Projektbeschreibung
Neue Verfahren zur Förderung der Entwicklung von magnetischen Speichergeräten
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine Sorte nicht flüchtiger Arbeitsspeicher, die Daten in magnetischen Domänen speichert und großes Potenzial hat, bestehende Speichertechnologien zu ersetzen. Die einzige praktikable Lösung für Operationen im Subnanosekundenbereich auf einem nicht flüchtigen magnetischen Speichergerät ist eine Spin-Bahn-Moment-MRAM. Ein erhebliches Hindernis für die Umsetzung eines solchen Speichergeräts besteht jedoch darin, dass sie ein statisches In-plane-Magnetfeld erfordert, um eine zweipolige Umschaltung der Magnetisierung erreichen zu können. Das EU-finanzierte Projekt SOFT zielt darauf ab, dieses Problem anzugehen, indem es auf der Arbeit eines vorherigen Projekts aufbaut, das zeigte, dass die Umpolung anhand der Gestalt der magnetfreien Schicht bestimmt werden kann. Anstelle von Instrumenten für eine UV-Lithographie wird das Projekt ein an komplexe Formen angepasstes, innovatives Speicherherstellungsverfahren vorschlagen, das auf Ionenbeschuss beruht.
Ziel
Non-volatility is the main physical feature that fast memories, such as SRAM, are still lacking. Non-volatile memories could increase computing performance while reducing significantly the power consumption. The only viable option for sub-ns nonvolatile memory is the Spin Orbit Torque Magnetic Random Access Memory (SOT-MRAM). The main roadblock towards the integration of the SOT-MRAM is that the reproducible bipolar switching requires the application of a static in plane magnetic field. “Zero-field” SOT switching is still a challenge, which motivates active research on this topic. Within the “SMART Design” ERC-StG project, we are developing an innovative approach for this problem. We discovered that it is possible to determine the switching polarity by the shape of the magnetic free layer. This approach meets all the physical requirements for the SRAM replacement (scalability, switching time, switching current…), but the nano-fabrication of devices with complex shapes using standard u-v lithography tools is difficult and expensive. Here we propose to develop an innovative fabrication technique, adapted for complex shapes, based on ion irradiation. The technology provider is participating to the project, while the potential end-user of this technology is an external collaborator.
Wissenschaftliches Gebiet
Schlüsselbegriffe
Programm/Programme
Finanzierungsplan
ERC-POC - Proof of Concept GrantGastgebende Einrichtung
75794 Paris
Frankreich