European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Shape controlled spin-Orbit memories : Fabrication process and Technology transfer

Opis projektu

Nowe techniki umożliwią rozwój magnetycznych pamięci masowych

Magnetorezystywne pamięci RAM (MRAM), nowy rodzaj nieulotnych pamięci o swobodnym dostępie, w którym dane przechowywane są przez domeny magnetyczne, to szczególnie obiecujący kierunek rozwoju, dający szansę na zastąpienie istniejących technologii pamięci. Jedynym wyborem pozwalającym myśleć o realnym prowadzeniu operacji w czasie niższym niż nanosekundy i uzyskaniu pamięci nieulotnej jest zastosowanie pamięci MRAM wykorzystujących zjawisko występowania spinowo-orbitalnego momentu pędu. Wprowadzenie takiego rozwiązania rozbija się jednak o konieczność uzyskania statycznego pola magnetycznego w określonej płaszczyźnie, które umożliwiłoby dwubiegunowe przełączanie magnetyzacji. Finansowany ze środków UE projekt SOFT ma zająć się badaniem tego problemu w oparciu o prace przeprowadzone w poprzednim projekcie, w którym zdołano wykazać, że przełączanie polarności może zależeć od kształtu swobodnej warstwy magnetycznej. Dotychczas stosowane narzędzia litografii w nadfiolecie zostaną zastąpione nowatorską techniką wytwarzania pamięci, dostosowaną do uzyskiwania złożonych kształtów i bazującą na napromieniowywaniu.

Cel

Non-volatility is the main physical feature that fast memories, such as SRAM, are still lacking. Non-volatile memories could increase computing performance while reducing significantly the power consumption. The only viable option for sub-ns nonvolatile memory is the Spin Orbit Torque Magnetic Random Access Memory (SOT-MRAM). The main roadblock towards the integration of the SOT-MRAM is that the reproducible bipolar switching requires the application of a static in plane magnetic field. “Zero-field” SOT switching is still a challenge, which motivates active research on this topic. Within the “SMART Design” ERC-StG project, we are developing an innovative approach for this problem. We discovered that it is possible to determine the switching polarity by the shape of the magnetic free layer. This approach meets all the physical requirements for the SRAM replacement (scalability, switching time, switching current…), but the nano-fabrication of devices with complex shapes using standard u-v lithography tools is difficult and expensive. Here we propose to develop an innovative fabrication technique, adapted for complex shapes, based on ion irradiation. The technology provider is participating to the project, while the potential end-user of this technology is an external collaborator.

Instytucja przyjmująca

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
Wkład UE netto
€ 120 000,00
Adres
RUE MICHEL ANGE 3
75794 Paris
Francja

Zobacz na mapie

Region
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Rodzaj działalności
Research Organisations
Linki
Koszt całkowity
Brak danych

Beneficjenci (2)