Descripción del proyecto
Nuevas técnicas impulsan el desarrollo de dispositivos con memoria magnética
La memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM, por sus siglas en inglés), un tipo de memoria de acceso aleatorio no volátil que almacena datos en ámbitos magnéticos, resulta especialmente prometedora para sustituir las actuales tecnologías de memoria. La única opción viable para una operación inferior a los nanosegundos de un dispositivo con memoria magnética no volátil es un acoplamiento espín-órbita de MRAM. Sin embargo, un obstáculo importante para la aplicación de dicha memoria es que necesita un campo magnético estático en el plano para lograr una conmutación de la magnetización bipolar. El proyecto SOFT, financiado con fondos europeos, tiene como objetivo abordar dicho obstáculo basándose en el trabajo de un proyecto anterior que demostró que la conmutación de polarización se puede determinar por la forma de la capa magnética libre. En vez de usar herramientas de litografía ultravioleta, el proyecto propondrá una innovadora técnica de fabricación de memoria adaptada a las formas complejas y basada en la irradiación de iones.
Objetivo
Non-volatility is the main physical feature that fast memories, such as SRAM, are still lacking. Non-volatile memories could increase computing performance while reducing significantly the power consumption. The only viable option for sub-ns nonvolatile memory is the Spin Orbit Torque Magnetic Random Access Memory (SOT-MRAM). The main roadblock towards the integration of the SOT-MRAM is that the reproducible bipolar switching requires the application of a static in plane magnetic field. “Zero-field” SOT switching is still a challenge, which motivates active research on this topic. Within the “SMART Design” ERC-StG project, we are developing an innovative approach for this problem. We discovered that it is possible to determine the switching polarity by the shape of the magnetic free layer. This approach meets all the physical requirements for the SRAM replacement (scalability, switching time, switching current…), but the nano-fabrication of devices with complex shapes using standard u-v lithography tools is difficult and expensive. Here we propose to develop an innovative fabrication technique, adapted for complex shapes, based on ion irradiation. The technology provider is participating to the project, while the potential end-user of this technology is an external collaborator.
Ámbito científico
Palabras clave
Programa(s)
Régimen de financiación
ERC-POC - Proof of Concept GrantInstitución de acogida
75794 Paris
Francia