Objetivo
Deposition of silicon carbide films using Molecular Beam Epitaxy and Low Pressure Chemical Vapour Deposition were investigated. Deposition by MBE was performed using Solid Source MBE and Gas Source MBE. The different stages of film growth were investigated and special emphasis was laid on the initial growth phase, where film nucleation and growth under different growth conditions were analysed.
Polycrystalline and amorphous silicon carbide films were grown by LPCVD. This technique when compared to other methods has the advantage of deposition over a large area. A thorough investigation of the silicon carbide film quality depending on different deposition parameters was performed in order to establish optimised film characteristics.
Processing technologies for silicon carbide are important as they provide test devices for the characterization of the silicon carbide material deposited and also lead to enabling technologies that are required for the design of prospective devices. Technological areas that have been successfully investigated include doping of SiC films by high temperature implantation, electrical contacts to SiC material and etching of SiC films.
Transducer effects like Hall effect, thermoresistive effect and piezoresistive effect were characterized. The gauge factors of the thin SiC films were determined using the beam deflection technique. The piezoresistive effect was examined in relation to doping and temperature.
The project is primarily devoted to deposition of amorphous,polycrystalline and monocrystalline silicon carbide films by means of LPCVD and MBE,their doping during deposition and by ion implantation and fundamental investigations into those physical and optical effects (Hall effect,magnetoresistive effect, thermoresistive effect,photoresistive effect,photoelectric effect) which can be used for design and implementation of integrated microsystems. Research into the morphology of films by means of TEM,XRD and Raman spectroscopy will provide insight into their structure, chemistry and growth mechanisms.
A further important subject involves the fabrication of high-temperature resistant contacts (up to 800 C) on n-and p-materials as well patterning of SiC films by means of dry-etching methods.
The outcome of the work should provide a basis for the design of integrated systems incorporating sensors with improved performance and reliability.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ingeniería y tecnología ingeniería de materiales sólidos amorfos semiconductores amorfos
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica compuestos inorgánicos
- ingeniería y tecnología ingeniería eléctrica, ingeniería electrónica, ingeniería de la información ingeniería electrónica sensores
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
13355 Berlin
Alemania
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.