Objectif
Deposition of silicon carbide films using Molecular Beam Epitaxy and Low Pressure Chemical Vapour Deposition were investigated. Deposition by MBE was performed using Solid Source MBE and Gas Source MBE. The different stages of film growth were investigated and special emphasis was laid on the initial growth phase, where film nucleation and growth under different growth conditions were analysed.
Polycrystalline and amorphous silicon carbide films were grown by LPCVD. This technique when compared to other methods has the advantage of deposition over a large area. A thorough investigation of the silicon carbide film quality depending on different deposition parameters was performed in order to establish optimised film characteristics.
Processing technologies for silicon carbide are important as they provide test devices for the characterization of the silicon carbide material deposited and also lead to enabling technologies that are required for the design of prospective devices. Technological areas that have been successfully investigated include doping of SiC films by high temperature implantation, electrical contacts to SiC material and etching of SiC films.
Transducer effects like Hall effect, thermoresistive effect and piezoresistive effect were characterized. The gauge factors of the thin SiC films were determined using the beam deflection technique. The piezoresistive effect was examined in relation to doping and temperature.
The project is primarily devoted to deposition of amorphous,polycrystalline and monocrystalline silicon carbide films by means of LPCVD and MBE,their doping during deposition and by ion implantation and fundamental investigations into those physical and optical effects (Hall effect,magnetoresistive effect, thermoresistive effect,photoresistive effect,photoelectric effect) which can be used for design and implementation of integrated microsystems. Research into the morphology of films by means of TEM,XRD and Raman spectroscopy will provide insight into their structure, chemistry and growth mechanisms.
A further important subject involves the fabrication of high-temperature resistant contacts (up to 800 C) on n-and p-materials as well patterning of SiC films by means of dry-etching methods.
The outcome of the work should provide a basis for the design of integrated systems incorporating sensors with improved performance and reliability.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- ingénierie et technologie ingénierie des materiaux solides amorphes semi-conducteurs amorphes
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique composé inorganique
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
13355 Berlin
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.