Ziel
Deposition of silicon carbide films using Molecular Beam Epitaxy and Low Pressure Chemical Vapour Deposition were investigated. Deposition by MBE was performed using Solid Source MBE and Gas Source MBE. The different stages of film growth were investigated and special emphasis was laid on the initial growth phase, where film nucleation and growth under different growth conditions were analysed.
Polycrystalline and amorphous silicon carbide films were grown by LPCVD. This technique when compared to other methods has the advantage of deposition over a large area. A thorough investigation of the silicon carbide film quality depending on different deposition parameters was performed in order to establish optimised film characteristics.
Processing technologies for silicon carbide are important as they provide test devices for the characterization of the silicon carbide material deposited and also lead to enabling technologies that are required for the design of prospective devices. Technological areas that have been successfully investigated include doping of SiC films by high temperature implantation, electrical contacts to SiC material and etching of SiC films.
Transducer effects like Hall effect, thermoresistive effect and piezoresistive effect were characterized. The gauge factors of the thin SiC films were determined using the beam deflection technique. The piezoresistive effect was examined in relation to doping and temperature.
The project is primarily devoted to deposition of amorphous,polycrystalline and monocrystalline silicon carbide films by means of LPCVD and MBE,their doping during deposition and by ion implantation and fundamental investigations into those physical and optical effects (Hall effect,magnetoresistive effect, thermoresistive effect,photoresistive effect,photoelectric effect) which can be used for design and implementation of integrated microsystems. Research into the morphology of films by means of TEM,XRD and Raman spectroscopy will provide insight into their structure, chemistry and growth mechanisms.
A further important subject involves the fabrication of high-temperature resistant contacts (up to 800 C) on n-and p-materials as well patterning of SiC films by means of dry-etching methods.
The outcome of the work should provide a basis for the design of integrated systems incorporating sensors with improved performance and reliability.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
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- Technik und Technologie Werkstofftechnik amorphe Feststoffe amorphe Halbleiter
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie anorganische Verbindungen
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
13355 Berlin
Deutschland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.