Cel
Deposition of silicon carbide films using Molecular Beam Epitaxy and Low Pressure Chemical Vapour Deposition were investigated. Deposition by MBE was performed using Solid Source MBE and Gas Source MBE. The different stages of film growth were investigated and special emphasis was laid on the initial growth phase, where film nucleation and growth under different growth conditions were analysed.
Polycrystalline and amorphous silicon carbide films were grown by LPCVD. This technique when compared to other methods has the advantage of deposition over a large area. A thorough investigation of the silicon carbide film quality depending on different deposition parameters was performed in order to establish optimised film characteristics.
Processing technologies for silicon carbide are important as they provide test devices for the characterization of the silicon carbide material deposited and also lead to enabling technologies that are required for the design of prospective devices. Technological areas that have been successfully investigated include doping of SiC films by high temperature implantation, electrical contacts to SiC material and etching of SiC films.
Transducer effects like Hall effect, thermoresistive effect and piezoresistive effect were characterized. The gauge factors of the thin SiC films were determined using the beam deflection technique. The piezoresistive effect was examined in relation to doping and temperature.
The project is primarily devoted to deposition of amorphous,polycrystalline and monocrystalline silicon carbide films by means of LPCVD and MBE,their doping during deposition and by ion implantation and fundamental investigations into those physical and optical effects (Hall effect,magnetoresistive effect, thermoresistive effect,photoresistive effect,photoelectric effect) which can be used for design and implementation of integrated microsystems. Research into the morphology of films by means of TEM,XRD and Raman spectroscopy will provide insight into their structure, chemistry and growth mechanisms.
A further important subject involves the fabrication of high-temperature resistant contacts (up to 800 C) on n-and p-materials as well patterning of SiC films by means of dry-etching methods.
The outcome of the work should provide a basis for the design of integrated systems incorporating sensors with improved performance and reliability.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa amorficzne ciała stałe półprzewodniki amorficzne
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna związki nieorganiczne
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria elektroniczna czujniki
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metaloidy
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka spektroskopia
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
13355 Berlin
Niemcy
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.