Ziel
Six research teams from research institutes and industrial sites, leading and of newly developed SiGe materials in advanced devices. "Standard" in the field of low-temperature epitaxial Si and SiGe, will hire young fellows (post-docs) hr. in total 21 Men-Years. An active search for means low x and smooth layers, but with atomically sharp interfaces. Not interested people will be organised within the EU. They will be called in only the bandgap engineering possibilities of SiGe but also the research groups active in the development of SiGe materials and their structural possibilities of epitaxial growth and stacking of layers with application in advanced devices. Next, young researchers from the partners different Ge-and doping content and thickness offer possibilities for improving CMOS performance: improved threshold voltage control, reduced sites can visit the other partners' labs for shorter stays in order to get an overview over the different other technologies.
S/D capacitance, lower power consumption, higher speed etc... Devices envisaged are a selective SiGe channel CMOS process avoiding S/D implant, Vertical MOSFET's (< 0.1 Fm gate length controlled by a layer thickness), Quantum Well SiGe CMOS on SIMOX wafers, poly SiGe gate CMOS. A first novel material is nanostructured Si1-xGex with high x, which structures itself into island while growing due to the excess strain; it forms the base for light emitting diodes. A second material is SiGeC, offering even wider band gap engineering possibilities, for use in high frequency MODFET's. One partner will develop relaxed, smooth SiGe substrates to be used for strained Si as well as SiGe epitaxy. A lot of exchange of wafers, analysis and measurements, and technology is planned, as well as joint theory development.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
3001 Heverlee
Belgien
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.