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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Contenido archivado el 2022-12-23

Extreme ultra-violet (EUV) lithography using a laser plasma source and multilayer optics

Objetivo



EUV lithography offers considerable potential as a method to image ultra-fine structures with dimensions well below 100 nm. In this method short wavelength radiation in the 5 to 20 nm interval is employed to produce diffraction-limited images by special EUV optical systems. Before this technique can be utilized in, for example, semiconductor fabrication, vigorous development of fundamental physical processes is required. These are primarily in the area of the source and the optics, the principal elements which will operate at substantially shorter wavelengths than current imaging systems.

Development of a laser plasma source with high power in the EUV spectral range has proved to be a promising approach. This room-scale and economical source is attractive for basic research in general and for lithography in particular. However, the contamination produced by the source requires additional understanding and the application of mitigation methods before delicate optics can be used safely.

The aim in this project is to combine the source with a high-transmission system of curved multilayer EUV mirrors which will enable the demonstration of diffraction limited resolution of below 100 nm. This goal is now attainable for two main reasons: the recent progress in the development of laser drivers (the use of compact subkilowatt excimer lasers is part of this proposal) and multilayer coating facilities (with the capability to produce coatings on substrates with strong curvature or large dimensions); and the combination of experience, technologies and equipment of the laboratories participating, covering the major physics themes involved. These include spectrally selective enhancement of source intensity, suppression of contamination of optics exposed to the source, multilayer fabrication and analysis methods for a large area and strongly curved mirrors, and optimization of EUV optical systems with high numerical apertures.

In the framework of the project the following work will be done: specification and optimisation of source parameters and of optical components; fabrication of thin windows; effects of temperature on multilayer optics; spectroscopic determination of physical parameters of the laser plasma EUV source; development and manufacture of elements for UV and EUV optical systems; fabrication of reflection and transmission EUV masks; investigation and optimization of laser plasma source radiation parameters for EUVL; theoretical development of a gas-dynamical technique for debris suppression; development of techniques for fabrication and characterization of spherical multilayer mirrors for EUVL; and manufacture of experimental samples.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

Datos no disponibles

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

Datos no disponibles

Coordinador

Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der Materie
Aportación de la UE
Sin datos
Dirección
Edisonbaan 14
3439 MN Nieuwegein
Países Bajos

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Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (6)

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