Objectif
Rapid progress of the physics research on Extreme Ultraviolet Lithography, the high-resolution imaging technique operating at 13 nm wavelength, has enabled several successful proof-of-principle demonstrations in the past years. Major results achieved by the proposers through national and former INTAS projects (i.e. INTAS 94-4341) include a record source power of 0.25 W (1% BW at 13 nm), novel debris mitigation schemes allowing long (108 shots) service intervals of the source, optics reflectivities of 64 %, and fabrication of repairable EUV reflection masks. EUVL is now seriously being evaluated by industrial parties as the lithographic technique to be used after the Deep UV technology used for chip manufacture. Especially in Europe great prospects exist due to the infrastructure of relevant hi-tech industries such as stepper - (ASM Lithography) and optics (Carl Zeiss) manufacturers, and a network of institutions carrying out supportive scientific research. A direct linkage exists of the proposers to the industry involved. Despite of this industrial interest, a number of unanswered research questions jeopardizes the further step of EUVL from the physics research into the engineering phase.
This project addresses the following research issues:
Advanced EUV source concepts, involving fast rotating and gas jet targets Analysis and design of optimal mask illumination schemes Study of EUV source and MLM optics for the 11 nm spectral range Advanced multilayer-strate interplay phenomena Investigation of alternative EUV resist formulae Development of EUV mask repair methods The project proposed is expected to link highly relevant Russian expertise to the pre-competitive European development of strategic semiconductor equipment.
Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
3430 BE Nieuwegein
Pays-Bas
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.