Obiettivo
The present Project is aimed at the generation of monocrystal Ge nano-islands at very high density and extra small size in Si matrix. For expanding possibilities of the method for synthesis of quantum dots of extremely small size and high density, the MBE technique will be improved by generating quantum dots on silica, low-temperature growth, the use of ion component of Ge flux evaporated from an electron beam evaporator with potential applied to the substrate, formation of islands during growth of the wetting layer and in prepatterned oxide windows. The studies will be focused on establishing the mechanism and kinetics of surface processes, kinetics of nucleation during MBE growth of Ge on Si and the influence of misfit strains on uniformity and ordering degree of 3D germanium islands. Experimental data to be obtained will be the basis for modelling and theoretical description of the observed processes.
The general objective of the theoretical part of the Project is to gain an understanding of the main mechanisms responsible for the formation of quantum dots in the Ge/Si(111) and Ge/Si(001) MBE systems. In particular, kinetics of the upward material transport during growth of multi-level Ge islands on Si(111) and kinetics of the early stage of 2D-3D transformation in the low-temperature Ge/Si(001) epitaxy will be studied. Besides, will be investigated of the effect of ion influence on processes of germanium islands formation with the purpose to find the ways to reduce of the germanium quantum dots sizes and increase their density by using the ions generated by electron-beam evaporation of germanium, as well as the extension of physical comprehension of a matter of ion flux influence on processes on a growth surface.
Studies of electronic and optical properties of the quantum dots will allow the influence of the size and ordering degree on their gap structure to be established. The investigations of ultra-small Ge quantum dots include theoretical and experimental inspection of electronic spectrum, configuration of electron and hole confined states, electrical and optical phenomena, mechanisms of charge transport in dense arrays of self-assembled Ge nano-clusters in Si.
Also, we aim to integrate scientific and technical expertise from INTAS and NIS countries in order to exchange the information and technology in a most effective manner.
The generated arrays of quantum dots will be compared using various techniques with respect to their optical and electron properties. The conclusion will be made regarding potentialities of each of the preparation method.
The results obtained under the Project will promote practical use of Ge quantum dot arrays in Si in optoelectronic and microwave devices and in new generation of transistors. Better understanding of the fundamental aspects of quantum dot formation and properties will be gained.
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
70569 Stuttgart
Germania
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.