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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
CORDIS
Contenu archivé le 2024-05-15

SiGe hetero MOS- and MOSFET's for ultimate scaling towards sub 100 nanometer

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Résultats exploitables

Virtual substrates with thin (sub 100nm) SiGe strain relaxed buffers containing 35% and 50%Ge for n-MOSFET's were elaborated. Using very low temperature growth stage and Sb surfactants, high relaxation degrees and smooth surface were achieved. Strain relaxed buffers were characterised by atomic force microscopy, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, SIMS, optical microscopy with Nomarski contrast before and after delicate chemical etching, and TEM. The influence of layer composition and growth conditions on the degree of relaxation, surface morphology and defect formation was studied.

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