CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.
Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .
Wyniki nadające się do wykorzystania
Virtual substrates with thin (sub 100nm) SiGe strain relaxed buffers containing 35% and 50%Ge for n-MOSFET's were elaborated. Using very low temperature growth stage and Sb surfactants, high relaxation degrees and smooth surface were achieved. Strain relaxed buffers were characterised by atomic force microscopy, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, SIMS, optical microscopy with Nomarski contrast before and after delicate chemical etching, and TEM. The influence of layer composition and growth conditions on the degree of relaxation, surface morphology and defect formation was studied.
Wyszukiwanie danych OpenAIRE...
Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd
Brak wyników