SiGe hetero MOS- and MOSFET's for ultimate scaling towards sub 100 nanometer

Informazioni relative al progetto

SIGMUND

ID dell’accordo di sovvenzione: IST-1999-10444

Progetto chiuso

Data di avvio 1 Gennaio 2000

Data di completamento 31 Dicembre 2002

Finanziato da

• Programme for research, technological development and demonstration on a "User-friendly information society, 1998-2002"

Costo totale

€ 5 032 721,00

Contributo UE

€ 2 800 000,00

Coordinato da

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW
Belgium

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati sfruttabili

SIGMUND (SiGe hetero MOS- and MOSFET's for ultimate scaling towards sub nanometer

Virtual substrates with thin (sub 100nm) SiGe strain relaxed buffers containing 35% and 50%Ge for n-MOSFET's were elaborated. Using very low temperature growth stage and Sb surfactants, high relaxation degrees and smooth surface were achieved. Strain relaxed buffers were characterised by atomic force microscopy, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, SIMS, optical microscopy with Nomarski contrast before and after delicate chemical etching, and TEM. The influence of layer composition and growth conditions on the degree of relaxation, surface morphology and defect formation was studied.