Objectif
Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials. Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials.
DESCRIPTION OF WORK
GaAs-based, GaInNAs (GINA) and its quantum-well heterostructures (QWs) will be grown by molecular-beam epitaxy combined with a unique set of in situ (electron and X-ray diffractions) and ex situ (X-ray diffraction, transmission electron and atomic force microscopies) characterization techniques.
A panel of spectroscopy techniques including a set-up to perform PL under pressure at cryogenic temperatures will be used to investigate GINA epitaxial layers as well as GINA/(Al)GaAs QWs. We will determine the variation of the band-gap of GINA as a function of In and N contents, and thus the domain of application of this new semiconductor material. Spectroscopy of QWs will give access to band-offsets and effective masses, which are crucial parameters for LD performances.
Various configurations of LDs emitting around 1.5 µm will be designed, fabricated, tested and modelled. Particular attention will be paid at comparing the characteristic temperature T0 of these LDs with InP-based LDs. These results will allow us to derive the best way, in terms of material and device design, to demonstrate GINA-based edge-emitting LDs and VCSELs operating near 1.5 µm.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique optoélectronique
- sciences naturelles sciences physiques optique microscopie
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences physiques optique physique des lasers
- sciences naturelles sciences physiques optique spectroscopie
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
75794 PARIS CEDEX 16
France
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.