Obiettivo
Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials. Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials.
DESCRIPTION OF WORK
GaAs-based, GaInNAs (GINA) and its quantum-well heterostructures (QWs) will be grown by molecular-beam epitaxy combined with a unique set of in situ (electron and X-ray diffractions) and ex situ (X-ray diffraction, transmission electron and atomic force microscopies) characterization techniques.
A panel of spectroscopy techniques including a set-up to perform PL under pressure at cryogenic temperatures will be used to investigate GINA epitaxial layers as well as GINA/(Al)GaAs QWs. We will determine the variation of the band-gap of GINA as a function of In and N contents, and thus the domain of application of this new semiconductor material. Spectroscopy of QWs will give access to band-offsets and effective masses, which are crucial parameters for LD performances.
Various configurations of LDs emitting around 1.5 µm will be designed, fabricated, tested and modelled. Particular attention will be paid at comparing the characteristic temperature T0 of these LDs with InP-based LDs. These results will allow us to derive the best way, in terms of material and device design, to demonstrate GINA-based edge-emitting LDs and VCSELs operating near 1.5 µm.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica optoelettronica
- scienze naturali scienze fisiche ottica microscopia
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali scienze fisiche ottica fisica dei laser
- scienze naturali scienze fisiche ottica spettroscopia
È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
75794 PARIS CEDEX 16
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.