Cel
Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials. Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials.
DESCRIPTION OF WORK
GaAs-based, GaInNAs (GINA) and its quantum-well heterostructures (QWs) will be grown by molecular-beam epitaxy combined with a unique set of in situ (electron and X-ray diffractions) and ex situ (X-ray diffraction, transmission electron and atomic force microscopies) characterization techniques.
A panel of spectroscopy techniques including a set-up to perform PL under pressure at cryogenic temperatures will be used to investigate GINA epitaxial layers as well as GINA/(Al)GaAs QWs. We will determine the variation of the band-gap of GINA as a function of In and N contents, and thus the domain of application of this new semiconductor material. Spectroscopy of QWs will give access to band-offsets and effective masses, which are crucial parameters for LD performances.
Various configurations of LDs emitting around 1.5 µm will be designed, fabricated, tested and modelled. Particular attention will be paid at comparing the characteristic temperature T0 of these LDs with InP-based LDs. These results will allow us to derive the best way, in terms of material and device design, to demonstrate GINA-based edge-emitting LDs and VCSELs operating near 1.5 µm.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika optoelektronika
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka mikroskopia
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka spektroskopia
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
75794 PARIS CEDEX 16
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.