Ziel
Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials. Laser diodes (LDs) operating at wavelengths from 1.3 to 1.6 µm are the key components of optical-fibre communication-systems. Present LDs, which rely on InP-based semiconductor heterostructures, exhibit limited performances. Further, InP technology is more expensive/complex and less mature than GaAs. GaInNAs alloys form a new semiconductor family which presents the peculiarity that bandgaps in the near to mid infrared can theoretically be achieved with alloys moderately strained onto GaAs substrates. This opens a totally new field of applications to GaAs-based semiconductor heterostructures. Our objective is to develop GaInNAs-based edge-emitting laser diodes and VCSELs operating near 1.5 µm. In addition, we aim at elucidating the intricate properties of these alloys, and thus at precisely defining the field of applications which can be covered with these new GaAs-based materials.
DESCRIPTION OF WORK
GaAs-based, GaInNAs (GINA) and its quantum-well heterostructures (QWs) will be grown by molecular-beam epitaxy combined with a unique set of in situ (electron and X-ray diffractions) and ex situ (X-ray diffraction, transmission electron and atomic force microscopies) characterization techniques.
A panel of spectroscopy techniques including a set-up to perform PL under pressure at cryogenic temperatures will be used to investigate GINA epitaxial layers as well as GINA/(Al)GaAs QWs. We will determine the variation of the band-gap of GINA as a function of In and N contents, and thus the domain of application of this new semiconductor material. Spectroscopy of QWs will give access to band-offsets and effective masses, which are crucial parameters for LD performances.
Various configurations of LDs emitting around 1.5 µm will be designed, fabricated, tested and modelled. Particular attention will be paid at comparing the characteristic temperature T0 of these LDs with InP-based LDs. These results will allow us to derive the best way, in terms of material and device design, to demonstrate GINA-based edge-emitting LDs and VCSELs operating near 1.5 µm.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Optoelektronik
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Optik Mikroskopie
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Optik Laserphysik
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Optik Spektroskopie
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
75794 PARIS CEDEX 16
Frankreich
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.