Obiettivo
Because of the increasing amount of information to be transmitted, the development of digital/analog electronic devices for data processing at ultra-high bit rates and/or on high frequency carriers is a key issue.The project intends to design, fabricate and characterise ballistic devices up to room temperature and up to millimetre wave frequencies in view of developing digital/analog electronic devices for THz data processing. The research will exploit ballistic effects, and not phase coherence effects, in nano-scaled AlInAs/InGaAs/InP based devices. This guarantees that operation at room temperature is feasible with sufficient repeatability and robustness. This also ensures a full compatibility with HEMT technology. Because of the increasing amount of information to be transmitted, the development of digital/analog electronic devices for data processing at ultra-high bit rates and/or on high frequency carriers is a key issue.The project intends to design, fabricate and characterise ballistic devices up to room temperature and up to millimetre wave frequencies in view of developing digital/analog electronic devices for THz data processing. The research will exploit ballistic effects, and not phase coherence effects, in nano-scaled AlInAs/InGaAs/InP based devices. This guarantees that operation at room temperature is feasible with sufficient repeatability and robustness. This also ensures a full compatibility with HEMT technology.
DESCRIPTION OF WORK
The project is organised in 3 workpackages(WP).
WP1: Simulation and design: Task 1.1 Monte-Carlo simulations: Design of the ballistic structures using 2D and 3D Monte Carlo codes; Task 1.2 Design of RF interconnects to ballistic devices. Comparison between Ohmic contact and capacitive coupling; Task 1.3 Ballistic device design Design of RF transitions for connections to passive and active ballistic devices.
WP2: Fabrication: Fabrication of the passive and active ballistic devices. The active layer will be a single channel delta doped AlInAs/InGaAs/AlInAs/InP: Task 2.1 Growth of heterostructures by MBE; Task 2.2 Mask fabrication; Task 2.3 Device processing. First batch, process of passive ballistic devices. Second batch, fabrication of Schottky gate active MUX/DEMUX.
WP3: Characterisation Characterisation of fabricated passive and active devices from DC to 65 GHz in the temperature range [4K-300K] and from DC to 220 GHz at room temperature. Determination of noise properties. Task 3.1 RF interconnects to ballistic devices. Problem of matching between the RF interconnects and the ballistic channel; Task 3.2 Development of parameter extraction methods; Task 3.3 Extraction of passive ballistic device parameters; Task 3.4 characterisation of active devices and benchmarking of (de)multiplexer prototype.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
75794 PARIS CEDEX 16
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.