INTERFACE PHENOMENA OF THIN FILM AMORPHOUS AND MICROCRYSTALL INE SILICON LAYERS WITH SINGLE CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE S

Informations projet

N° de convention de subvention: SC1*0018

Projet clôturé

Date de début 1 Janvier 1989

Date de fin 31 Decembre 1990

Financé au titre de

• Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Coût total € 0,00

Contribution de l’UE Aucune donnée

Coordonné par

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW
Belgium

Objectif

This project studies the interface of amorphous or microcrystalline silicon thin film with single crystalline silicon substrates. Different pre-deposition, deposition and post-deposition technologies are used together with many physico-chemical and electrical characterization techniques. The purpose is to optimize the process parameters from the feedback data of the different analyses in order to obtain non-crystalline or epitaxially structured thin layers for microelectronic applications.

Champ scientifique

• engineering and technology › materials engineering › coating and films
• natural sciences › chemical sciences › inorganic chemistry › metalloids

Programme(s)

• FP2-SCIENCE - Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Thème(s)

Data not available

Appel à propositions

Data not available

Régime de financement

CSC - Cost-sharing contracts

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW

• Contribution de l’UE: Aucune donnée
• Adresse: 75,Kapeldreef 75 ; 3001 HEVERLEE ; Belgique
• Coût total: Aucune donnée

Participants (2)

EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

Pays-Bas

• Contribution de l’UE: Aucune donnée
• Adresse: Den Dolech 2 ; 5600 MB EINDHOVEN
• Coût total: Aucune donnée

UNIVERSITAET STUTTGART

Allemagne

• Contribution de l’UE: Aucune donnée
• Adresse: Keplerstrasse 7 ; 70174 STUTTGART
• Coût total: Aucune donnée