INTERFACE PHENOMENA OF THIN FILM AMORPHOUS AND MICROCRYSTALL INE SILICON LAYERS WITH SINGLE CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE S

Projektinformationen

ID Finanzhilfevereinbarung: SC1*0018

Startdatum 1 Januar 1989

Enddatum 31 Dezember 1990

Finanziert unter

• Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Gesamtkosten € 0,00

EU-Beitrag Keine Daten

Koordiniert durch

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW
Belgium

Ziel

This project studies the interface of amorphous or microcrystalline silicon thin film with single crystalline silicon substrates. Different pre-deposition, deposition and post-deposition technologies are used together with many physico-chemical and electrical characterization techniques. The purpose is to optimize the process parameters from the feedback data of the different analyses in order to obtain non-crystalline or epitaxially structured thin layers for microelectronic applications.

Wissenschaftliches Gebiet

• engineering and technology › materials engineering › coating and films
• natural sciences › chemical sciences › inorganic chemistry › metalloids

Programm/Programme

• FP2-SCIENCE - Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Thema/Themen

Data not available

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Data not available

Finanzierungsplan

CSC - Cost-sharing contracts

Koordinator

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: 75,Kapeldreef 75 ; 3001 HEVERLEE ; Belgien
• Gesamtkosten: Keine Daten

Beteiligte (2)

EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

Niederlande

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Den Dolech 2 ; 5600 MB EINDHOVEN
• Gesamtkosten: Keine Daten

UNIVERSITAET STUTTGART

Deutschland

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Keplerstrasse 7 ; 70174 STUTTGART
• Gesamtkosten: Keine Daten