INTERFACE PHENOMENA OF THIN FILM AMORPHOUS AND MICROCRYSTALL INE SILICON LAYERS WITH SINGLE CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE S

Informacje na temat projektu

Identyfikator umowy o grant: SC1*0018

Projekt został zamknięty

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 1989

Data zakończenia 31 Grudnia 1990

Finansowanie w ramach

• Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Koszt całkowity € 0,00

Wkład UE Brak danych

Koordynowany przez

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW
Belgium

Cel

This project studies the interface of amorphous or microcrystalline silicon thin film with single crystalline silicon substrates. Different pre-deposition, deposition and post-deposition technologies are used together with many physico-chemical and electrical characterization techniques. The purpose is to optimize the process parameters from the feedback data of the different analyses in order to obtain non-crystalline or epitaxially structured thin layers for microelectronic applications.

Dziedzina nauki

• engineering and technology › materials engineering › coating and films
• natural sciences › chemical sciences › inorganic chemistry › metalloids

Program(-y)

• FP2-SCIENCE - Programme plan (EEC) to stimulate the international cooperation and interchange needed by European research scientists (SCIENCE), 1988-1992

Temat(-y)

Data not available

Zaproszenie do składania wniosków

Data not available

System finansowania

CSC - Cost-sharing contracts

Koordynator

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW

• Wkład UE: Brak danych
• Adres: 75,Kapeldreef 75 ; 3001 HEVERLEE ; Belgia
• Koszt całkowity: Brak danych

Uczestnicy (2)

EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

Niderlandy

• Wkład UE: Brak danych
• Adres: Den Dolech 2 ; 5600 MB EINDHOVEN
• Koszt całkowity: Brak danych

UNIVERSITAET STUTTGART

Niemcy

• Wkład UE: Brak danych
• Adres: Keplerstrasse 7 ; 70174 STUTTGART
• Koszt całkowity: Brak danych