Un proyecto del 6PM para conservar el liderazgo europeo en nanoelectrónica
En un intento por mantener a Europa a la vanguardia de la nanoelectrónica, la Comisión Europea ha decidido financiar con 24,17 millones de euros un nuevo proyecto dirigido a sobrepasar los límites de rendimiento y densidad de los semiconductores. El proyecto NanoCMOS (Complementary Metal Oxide Semi-conductor) representa un intento para avanzar en los métodos de escalamiento (disposición en series graduadas). Por lo tanto se esforzará por liderar los cambios necesarios y revolucionarios en materiales, módulos de procesos, arquitecturas e interconexiones para dispositivos, así como en la caracterización, la modelización y el trabajo de simulación relacionados, necesarios para pasar de un nodo de CMOS de 45 nanometros a un nodo de 32 nanometros. "NanoCMOS es un amplio proyecto que se centra en las actividades de investigación y desarrollo necesarias para desarrollar los procesos de fabricación de chips CMOS de 45 nanometros, 32 nanometros y más avanzados, con la excepción de la litografía", explican los socios del proyecto, entre los que figuran los tres fabricantes comerciales de chips, líderes en Europa: STMicroelectronics, Philips e Infineon, además de institutos de investigación y las pequeñas y medianas empresas (PYME). Los socios se encuentran actualmente preparando la segunda fase, en la que se validarán las tecnologías desarrolladas en un entorno industrial. NanoCMOS tiene tres objetivos principales. El primero es demostrar la viabilidad de los módulos de chips CMOS de 45 nanometros en los procesos lógicos de front y back-end. Para lograrlo, los socios intentarán procesar un agresivo chip SRAM como un demostrador, que presentará las mejores propiedades existentes en el mundo y una estructura metalizada avanzada de dos niveles para finales de 2005. El segundo objetivo es realizar una investigación exploratoria sobre los aspectos críticos de los materiales, como anticipación de los procesos con nodos de 32 y 22 nanometros, par los que se creará un demostrador en torno a 2007. Por último, el tercer objetivo del proyecto es utilizar los resultados del primer objetivo y generalizar el proceso para producir un CMOS de 45 nanometros para el proceso lógico que dará como resultado la fabricación a escala comercial de chips complejos en wafers de 300 milímetros de diámetro. Está previsto que se logre antes de finalizar 2007. En paralelo a este proyecto, se ha creado una red de excelencia que reunirá a los mejores equipos de investigación en semiconductores de Europa con el objetivo de formular un programa de investigación que sea complementario a las necesidades de NanoCMOS. Como explica el líder del proyecto NanoCMOS, Guillermo Bomchil, "juntos NanoCMOS y SiNano abarcan todo el dominio de la microelectrónica de silicio a partir de los nodos de 45 nanometros que, según los expertos creen que serían los límites de CMOS". "Este proyecto es ambicioso", concluyó. "Las empresas europeas de tecnología a menudo se encuentran por detrás de los japoneses y americanos. Europa no pudo participar de forma significativa en el boom de la microelectrónica de los años 70 y 80, y los gobiernos europeos están determinados a no perder el barco de la próxima revolución "nano".