Projekt 6. PR pozwoli UE utrzymać czołową pozycję w nanoelektronice
Starając się wspomóc Europę w utrzymaniu czołowej pozycji w nanoelektronice, Komisja Europejska przeznacza 24,17 mln euro na nowy projekt mający na celu forsowanie granic wydajności i gęstości półprzewodników. Projekt NanoCMOS (CMOS - komplementarny półprzewodnik tlenkowy) stanowi próbę kontynuacji skalowania (układania w progresywny ciąg). Jest zatem próbą torowania drogi dla koniecznych, rewolucyjnych zmian w materiałach, modułach procesów, architekturze urządzeń i połączeń, jak również dla związanego z tym tworzenia charakterystyk, modeli i symulacji niezbędnych do przejścia od układu CMOS w technologii 45 nanometrów do poziomu 32-nm. "NanoCMOS jest szeroko zakrojonym projektem koncentrującym się na działalności badawczo-rozwojowej niezbędnej do opracowania procesów produkcyjnych w technologii 45-nm, 32-nm oraz bardziej zaawansowanych, z wyłączeniem litografii", wyjaśniają partnerzy projektu, wśród których są trzej wiodący producenci chipów w Europie: STMicroelectronics, Philips i Infineon, jak również instytuty badawcze oraz małe i średnie przedsiębiorstwa (MŚP). Partnerzy przygotowują się obecnie do realizacji drugiego etapu, w którym opracowane technologie zostaną poddane walidacji w środowisku przemysłowym. Projekt NanoCMOS ma trzy główne cele. Pierwszy to zaprezentowanie możliwości wykonania 45-nm czołowych i specjalizowanych logicznych modułów procesów CMOS. Aby to osiągnąć, do końca 2005 r. partnerzy zamierzają przetworzyć, w formie modelu pokazowego, bardzo szybki chip SRAM wykazujący się najlepszą charakterystyką na świecie oraz zaawansowaną dwupoziomową strukturą metalizowaną. Drugim celem jest przeprowadzenie badań przygotowawczych nad istotnymi aspektami materiałów przy opracowywaniu układów procesów 32-nm i 22-nm. Model pokazowy dla tego następnego układu zostanie wykonany w 2007 r. Trzecim celem projektu jest uogólnienie wyników pierwszego celu z myślą o wyprodukowaniu 45-nm procesu logicznego CMOS, i w rezultacie o wytwarzaniu złożonych chipów przemysłowych na płytkach o średnicy 300-mm. Ten cel również powinien zostać osiągnięty przed końcem 2007 r. Równolegle z projektem została utworzona "sieć doskonałości", skupiająca najlepsze zespoły badawcze w Europie zajmujące się półprzewodnikami, w celu sformułowania programu badawczego stanowiącego dopełnienie projektu NanoCMOS. Jak wyjaśnia Guillermo Bomchil, lider projektu NanoCMOS: - NanoCMOS i SiNano objęły wspólnie całą dziedzinę mikroelektroniki krzemowej, począwszy od układów w technologii 45-nm do takich CMOS-ów, które według ekspertów stanowią granicę możliwości półprzewodników. - Jest to ambitny projekt - podsumował. - Europejskie przedsiębiorstwa zajmujące się technologiami często pozostają w tyle za swoimi japońskimi czy amerykańskimi partnerami. Europa nie była w stanie w znaczącym stopniu uczestniczyć w boomie mikroelektroniki w latach 70-tych i 80-tych, więc teraz europejskie rządy starają się bardzo, aby nie przeoczyć następnej "nano-rewolucji".