Progetto del 6PQ per mantenere l'UE all'avanguardia nel campo della nanoelettronica
Nello sforzo di mantenere l'Europa all'avanguardia nel campo della nanoelettronica, la Commissione europea contribuirà con 24,17 milioni di euro a un nuovo progetto inteso ad estendere oltre i limiti le prestazioni e la densità dei semiconduttori. Il progetto NanoCMOS (Complementary Metal Oxide Semi-conductor) rappresenta un tentativo di consentire il proseguimento della scalatura (disposizione in una serie graduata). Il progetto si propone dunque di individuare e sperimentare le necessarie e rivoluzionarie innovazioni a livello di materiali, moduli di processo, architetture dei dispositivi e interconnessioni, nonché le relative caratterizzazioni, modellizzazioni e attività di simulazione, necessarie per passare da un nodo CMOS a 45 nanometri a uno a 32 nanometri. "Il NanoCMOS è un ampio progetto incentrato sulle attività di ricerca e sviluppo (R&S) necessarie per sviluppare i processi di fabbricazione CMOS a 45nm, 32nm e quelli più avanzati, con l'eccezione della litografia", hanno spiegato i partner del progetto, tra cui le tre più importanti aziende produttrici di chip - STMicroelectronics, Philips e Infineon -, istituti di ricerca e piccole e medie imprese (PMI). I partner si stanno attualmente preparando per la seconda fase, in cui saranno convalidate in un ambiente industriale le tecnologie sviluppate. Il progetto NanoCMOS ha tre obiettivi principali. Il primo è dimostrare la fattibilità dei moduli di processi logici CMOS front end e back end a 45 nm. Per conseguire tale obiettivo, i partner si propongono di elaborare entro la fine del 2005 un chip SRAM aggressivo come dispositivo per effettuare dimostrazioni. Tale chip presenterà le caratteristiche migliori al mondo e un'avanzata struttura di metallizzazione a due livelli. Il secondo obiettivo è condurre una ricerca esplorativa sugli aspetti critici dei materiali in preparazione per i nodi di processo a 32 e 22 nm. Nel corso del 2007 verrà creato un dispositivo per le dimostrazioni del prossimo nodo. Infine il terzo obiettivo del progetto è raccogliere i risultati del primo obiettivo e generalizzare il processo al fine di produrre un processo logico CMOS a 45 nm con la conseguente fabbricazione di chip sofisticati per wafer da 300 millimetri. Anche questo obiettivo dovrebbe essere realizzato prima della fine del 2007. In linea con il presente progetto, è stata creata una "Rete di eccellenza" per riunire i migliori gruppi di ricerca europei nel campo dei semiconduttori al fine di elaborare un programma di ricerca complementare alle esigenze di NanoCMOS. Guillermo Bomchil, leader del progetto NanoCMOS, spiega: "Nano CMOS e SiNano coprono insieme l'intero settore della microelettronica al silicio a partire dal nodo a 45 nm per scendere fino a oltre quanto gli esperti credono siano i limiti di CMOS". "Si tratta di un progetto ambizioso", ha concluso. "Le imprese europee di tecnologia spesso non tengono il passo con le corrispondenti aziende giapponesi e americane. L'Europa non è stata in grado di partecipare in modo significativo al boom della microelettronica degli anni settanta e ottanta e i governi europei sono determinati a non perdere l'opportunità della prossima rivoluzione nano".