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Inhalt archiviert am 2023-03-01

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RP6-Projekt soll Vorreiterrolle der EU im Bereich Nanoelektronik sichern

Im Rahmen ihrer Bemühungen, die Vorreiterrolle der EU im Bereich Nanoelektronik zu sichern, stellt die Europäische Kommission 24,17 Millionen Euro für ein neues Projekt bereit, mit dem die Leistung und Dichte von Halbleitern verbessert werden soll. Das Projekt NanoCMOS (Comp...

Im Rahmen ihrer Bemühungen, die Vorreiterrolle der EU im Bereich Nanoelektronik zu sichern, stellt die Europäische Kommission 24,17 Millionen Euro für ein neues Projekt bereit, mit dem die Leistung und Dichte von Halbleitern verbessert werden soll. Das Projekt NanoCMOS (Complementary Metal Oxide Semi-conductor) stellt einen Versuch dar, die Strukturen in der Mikroelektronik weiter zu verkleinern. Daher zielt es auf die Erforschung der notwendigen revolutionären Veränderungen im Bereich Material-Modifikation, Prozessmodule, Bauelemente-Architektur und Verbindungen sowie auf die entsprechenden Charakterisierungen, die Modellierung und die Simulation ab, um den Fortschritt der Skalierung von einem 45-nm-CMOS-Node auf einen 32-nm-Node zu sichern. "NanoCMOS ist ein umfangreiches Projekt, das sich auf die Forschungs- und Entwicklungsmaßnahmen (F&E) konzentriert, die notwendig sind, um 45-nm-, 32-nm- und noch fortschrittlichere CMOS-Herstellungsprozesse entwickeln zu können, die Lithographie ausgenommen", erklären die Projektpartner, zu denen die drei führenden europäischen Chiphersteller STMicroelectronics, Philips und Infineon sowie Forschungsinstitute und kleine und mittlere Unternehmen (KMU) gehören. Die Partner bereiten sich derzeit auf die zweite Phase vor, in der die entwickelten Technologien in einem industriellen Umfeld getestet werden. NanoCMOS verfolgt drei Hauptziele: Die erste Aufgabe des Projekts besteht im Nachweis, dass Front-end- und Back-end-Prozessmodule für den 45-nm-Node machbar sind. Um dies zu erreichen, beabsichtigen die Partner bis Ende 2005 ein "sehr aggressives" Design für einen SRAM-Chip vorzulegen, das weltweit einzigartige Merkmale sowie eine fortschrittliche Mehrebenen-Metallisierungsstruktur aufweist. Die zweite Aufgabe besteht darin, die grundsätzlichen kritischen Probleme der Materialien in Vorbereitung auf die 32-nm- und 22-nm-Fertigungstechnologien zu erforschen. 2007 werden hierfür erste Labormuster erwartet. Im Rahmen der dritten Aufgabe des NanoCMOS-Projektes soll anhand des SRAM-Prototyps der entsprechende Fertigungsprozess mit der 45-nm-CMOS-Technologie auf 300-mm Wafern festgelegt werden. Dieses Ziel soll ebenfalls vor Ende 2007 erreicht sein. Neben diesem Projekt wurde ein "Exzellenznetz" geschaffen, in dem die besten europäischen Forscherteams im Bereich Halbleiter zur Ausarbeitung eines Forschungsprogramms zusammenkommen, das die Anforderungen von NanoCMOS erfüllt. Guillermo Bomchil, Projektleiter von NanoCMOS, erklärt: "NanoCMOS und SiNano decken gemeinsam den ganzen Bereich der Silizium-Mikroelektronik ab, vom 45-nm-Node bis hin zu den von Experten angenommenen CMOS-Grenzen." "Es handelt sich hierbei um ein sehr ehrgeiziges Projekt", schlussfolgerte er. "Viele europäische Technologieunternehmen liegen hinter ihren japanischen und amerikanischen Konkurrenten. Europa war nicht entscheidend am Mikroelektronik-Boom der 70er- und 80er-Jahre beteiligt, und europäischen Regierungen ist sehr daran gelegen, bei der nächsten 'Nano-Revolution' nicht den Anschluss zu verpassen."

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