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New cubic silicon carbide material for innovative semiconductor devices

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Scellement réactif pour le carbure de silicium

Un procédé de scellement réactif du carbure de silicium a été développé permettant une amélioration de sa pureté, ainsi que ses potentialités d'applications.

Technologies industrielles

Le carbure de silicium (SiC) est un minéral cristallin extrêmement dur, de couleur bleu-noir, utilisé comme abrasif et comme matériau réfractaire. SiC est un matériau semi-conducteur majeur utilisé dans le développement d'appareils électroniques de grande puissance et température élevée, ainsi que dans les capteurs industriels haute température. Les cristaux de SiC sont assemblés sous deux polytypes principaux. Le SiC de type hexagonal est le seul à être commercialisé actuellement. Les propriétés physiques et électroniques du SiC cubique ne sont pas très bien connues, mais il est probable qu'elles soient plus avantageuses, avec des potentialités supérieures et moins de limitations que le SiC hexagonal. Dans ce contexte, le projet SOLSIC s'est attaché à développer des cristaux cubiques de SiC en grande quantité pour en analyser les propriétés. En outre, la technique du scellement réactif en a amélioré la pureté. Cette étape était nécessaire car la technique traditionnelle utilisée reposait sur le frittage, ce qui, inévitablement introduisait des impuretés nécessaires à la réaction et à la densification du matériau. La technique du frittage peut être problématique, car elle introduit des impuretés préjudiciables pour les futures applications. La nouvelle technique devrait être utile pour l'industrie aérospatiale et automobile et pour les fabricants de composants électroniques.

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