Spiekanie reakcyjne węglika krzemu
Węglik krzemu (SiC) to niezwykle twardy związek krystaliczny o granatowej barwie. Jest on wykorzystywany jako materiał ścierny odporny na działanie wysokich temperatur. SiC jest głównym materiałem półprzewodnikowym branym pod uwagę podczas opracowywania urządzeń elektronicznych wykorzystujących wysoką moc i temperaturę oraz przemysłowych czujników wysokiej temperatury. Istnieją dwa główne politypy kryształów SiC. Obecnie na rynku powszechnie dostępny jest jedynie SiC o strukturze heksagonalnej. Na temat właściwości fizycznych i elektronicznych SiC o strukturze regularnej wiedza jest ograniczona. Jest jednak prawdopodobne, że ma on więcej zalet, wiąże się z nim większy potencjał i mniejsze ograniczenia w porównaniu z heksagonalnym węglikiem krzemu. W związku z tym w ramach projektu SOLSIC podjęto próbę wytworzenia objętościowych kryształów kubicznych SiC w celu poprawy właściwości SiC o strukturze regularnej. Udało się również poprawić czystość technologii spiekania reakcyjnego. Zmiana ta była konieczna ponieważ w tradycyjnej technologii spiekania niezbędne było zastosowanie dodatków spiekających. Powodowały one powstawanie zanieczyszczeń, które były konieczne, aby materiał mógł wejść w reakcję, w wyniku której powstawała gęsta substancja. Z użyciem dodatków spiekających wiąże się problem powstawania zanieczyszczeń mających niekorzystny wpływ na produkt końcowy. Nowa technologia może być interesującą propozycją dla producentów z branży samochodowej, lotniczej i elektronicznej.
