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New cubic silicon carbide material for innovative semiconductor devices

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Reaction bonding per il carburo di silicio

È stato sviluppato un processo di reaction bonding per il carburo di silicio, che ha permesso di migliorare purezza ed applicabilità.

Tecnologie industriali

Il carburo di silicio (SiC) è un composto cristallino blu-nero scuro utilizzato come abrasivo e come materiale refrattario al calore. Il SiC è un materiale semiconduttore principale che può contribuire allo sviluppo di dispositivi elettronici a potenza elevata e ad alte temperature e di sensori industriali ad alte temperature. I cristalli SiC sono formati da due politipi principali. Al momento è disponibile in commercio solo il SiC esagonale. Le proprietà fisiche ed elettroniche del SiC cubico non sono ancora ben note, ma è possibile che siano vantaggiose dato che presentano un potenziale maggiore e meno limiti rispetto al SiC esagonale. Alla luce di questo, il progetto SOLSIC ha cercato di sviluppare dei cristalli SiC cubici bulk per aumentare le proprietà del SiC cubico. Inoltre, è stata migliorata la purezza della tecnica di reaction bonding. Ciò era necessario dato che la tecnica di lavorazione tradizionale usata faceva ricorso ad attivatori di sinterizzazione. Questi introducono inevitabilmente delle impurità, necessarie per aiutare il materiale a reagire e formare un corpo denso. Perciò gli attivatori di sinterizzazione possono essere problematici e possono causare una contaminazione che è dannosa per l'applicazione. Questa nuova tecnica dovrebbe essere utile per i produttori di componenti aerospaziali, automobilistici ed elettronici.

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