Workshop über SOI-Technologie (silicon on insulator), Göteborg, Schweden
19 Januar 2009 - 19 Januar 2009
Schweden
Der fünfte Workshop des Netzwerks zur SOI-Technologie ("Thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits") EUROSOI 2009 findet vom 19. bis zum 21. Januar 2009 in Göteborg, Schweden, statt.
Die Veranstaltung bietet ein internationales Forum zur Förderung der Interaktion und des Austauschs zwischen Forschungsgruppen und industriellen Partnern im Bereich der SOI-Technologie (silicon on insulator) auf der ganzen Welt.
EUROSOI 2009 findet an der Chalmers Universität für Technologie statt und umfasst Redebeiträge und Posterpräsentationen, Vorträge, Tutorien sowie ausreichend Platz für informelle Gespräche.
Das Programm deckt jüngste Fortschritte in der SOI-Technologie ab und ist für Material- und Gerätewissenschaftler sowie für verfahrens-, schaltkreis- und anwendungsorientierte Ingenieure von Interesse. Es umfasst folgende typischen Themen:
- Die Synthese von fortschrittlichen SOI-Wafern
- Materialentwicklung, Eigenschaften von ultradünnen Filmen und vergrabenen Oxiden, Defekte und Belastung, Schnittstellenqualität
- SOI Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistoren (MOSFET): Charakterisierung, Modellierung und Simulation typischer Mechanismen, Parameterextraktion, Verlässlichkeitsfragen
- High-performance-CMOS (complementary metal-oxide-semiconductors) und bipolare Geräte: Radiofrequenzschaltkreise (RF) bei wenig Strom/Spannung, Speicher, Sensoren und mikroelektromechanische Systeme (MEMS)
- Innovative Geräte: Multiple Gates, Tunneltransistoren
Die Veranstaltung wird teilweise durch das von der EU geförderte Exzellenznetz NANOSIL finanziert.Weitere Informationen finden Sie unter:
http://chalmers2009.eurosoi.org/(öffnet in neuem Fenster)
Die Veranstaltung bietet ein internationales Forum zur Förderung der Interaktion und des Austauschs zwischen Forschungsgruppen und industriellen Partnern im Bereich der SOI-Technologie (silicon on insulator) auf der ganzen Welt.
EUROSOI 2009 findet an der Chalmers Universität für Technologie statt und umfasst Redebeiträge und Posterpräsentationen, Vorträge, Tutorien sowie ausreichend Platz für informelle Gespräche.
Das Programm deckt jüngste Fortschritte in der SOI-Technologie ab und ist für Material- und Gerätewissenschaftler sowie für verfahrens-, schaltkreis- und anwendungsorientierte Ingenieure von Interesse. Es umfasst folgende typischen Themen:
- Die Synthese von fortschrittlichen SOI-Wafern
- Materialentwicklung, Eigenschaften von ultradünnen Filmen und vergrabenen Oxiden, Defekte und Belastung, Schnittstellenqualität
- SOI Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistoren (MOSFET): Charakterisierung, Modellierung und Simulation typischer Mechanismen, Parameterextraktion, Verlässlichkeitsfragen
- High-performance-CMOS (complementary metal-oxide-semiconductors) und bipolare Geräte: Radiofrequenzschaltkreise (RF) bei wenig Strom/Spannung, Speicher, Sensoren und mikroelektromechanische Systeme (MEMS)
- Innovative Geräte: Multiple Gates, Tunneltransistoren
Die Veranstaltung wird teilweise durch das von der EU geförderte Exzellenznetz NANOSIL finanziert.Weitere Informationen finden Sie unter:
http://chalmers2009.eurosoi.org/(öffnet in neuem Fenster)