Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy

Confirmation of the growth mechanism of the buffer layer in epitaxial graphene on SiC

Auteurs: V.S Prudkovskiy, R. Templier, A. Moulin, N. Troutot, G. Gelineau, S. Huet, V H. Le, K. Mony, G. Lapertot, M. Delcroix, S. Caridroit, S. Barbet, J. Widiez
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

High Temperature Evolution of Thin Films Confined Between Two Silicon Carbide Substrates

Auteurs: Malle Le Cunff, Franois Rieutord, Didier Landru, Oleg Kononchuk and Nikolay Cherkashin
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Adaptive Resonant Controller for a Three-Phase PFC Converter for an On-Board Charge Application

Auteurs: Rami Troudi, Kelly Ribeiro de Faria, Moctar Coulibaly
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Processing and electrical characterization of SiC-on-Insulator structures

Auteurs: Guillaume GELINEAU, Cédric MASANTE, Emmanuel Rolland, Sophie BARBET, Lucie CORBIN, Anne-Marie PAPON, Simon CARIDROIT, Mathieu DELCROIX, Stéphanie HUET, Alexandre MOULIN, Vladimir PRUDKOVSKIY, Nicolas TROUTOT, Séverin ROUCHIER, Loïc TURCHETTI, Karine MONY, Julie WIDIEZ
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

New Die Attach Materials: Silver and Silver/ Copper sintering pastes

Auteurs: B. Rábay, A. Stelzer
Publié dans: 2022
Éditeur: PCIM Europe Conference 2022
DOI: 10.30420/565822280

DUV laser-based defect inspection of single-crystal 4H-SiC and SmartSiC engineered substrates for high volume manufacturing

Auteurs: E. Cela, W. Schwarzenbach, R. Shrestha, G. Bast , S. Shahidi , G. Simpson
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Smart CutTM SiC: enabling a larger adoption of SiC substrate for power devices

Auteurs: E. Guiot et al
Publié dans: APEC 2022, 2022
Éditeur: IEEE

Gate Oxide Performance and Reliability on SmartSiC Wafers and the Influence of RTA processing on Gate Oxide Lifetime

Auteurs: T. Becker, M. Rommel, H. Schlichting, E. Guiot and F. Allibert
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Benchmarking experiment of substrate quality including SmartSiCTM wafers by epitaxy in a batch reactor

Auteurs: B. Kallinger, P. Hens, P. Berwian, C. Kranert, K.M. Albrecht, J. Erlekampf
Publié dans: Solid State Phenomena,, Numéro Volume 342, 2022, Page(s) 91-98, ISSN 1662-9779
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/v-868lqn

Efficiency, Volume and CO2 Emissions Comparison in a PFC Converter with an Active Filter Solution for OBC Application

Auteurs: Kelly Ribeiro de Faria, Jean-Raphael Capounda, Vineel Rajagopal, Pascal Menegazzi, Benjamin Paul, Nabil Kamil, Soleiman Galeshi, Norbert Messi
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Improvement over temperature of the substrate resistance contribution on a SiC diode by using SiC engineered substrates

Auteurs: G. Bellocchi, S. Rascuna`, P. Mancuso, G. Arena, M. Saggio G. Picun, E. Guiot, W. Schwarzenbach
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Cost-effective SiC Substrate Manufacturing for Power Devices Enabled by Oxide-free Wafer Bonding

Auteurs: Dr. Bernd Dielacher (presenter), Péter Kerepesi
Publié dans: 2024
Éditeur: PE International 2024 conference

Analysis of SysML-based Product Development Collaborations in Cross-Company Value Creation Network

Auteurs: MOLLAHASSANI, D., BOSSE. R., GÖBEL, J.C.
Publié dans: prostep ivip SYMPOSIUM, 2023
Éditeur: prostep ivip

Comparison of High Frequency Three Phase Transformer Technologiesfor High Power Density On Board Chargers

Auteurs: Wendell da Cunha Alves, Norbert Messi
Publié dans: 2023
Éditeur: PCIM Europe

Evaluation of Crystal Quality and Dopant Activation of Smart CutTM - Transferred 4H-SiC Thin Film

Auteurs: G. Gelineau, J. Widiez, E.Rolland, K.Vladimirova, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N.Troutot, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, V.Amalbert, G. Lapertot, K. Mony, S. Rouchier, R. Boulet, G. Berre, W. Schwarzenbach, Y. Bogumilowicz
Publié dans: Materials Science Forum, Numéro 1089(2), 2022, Page(s) 71-79, ISSN 1662-9752
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-026sj4

Investigation of Two-Stage Ag-Sintering Processes for the Die Attach of Power Devices

Auteurs: Dominik Sumkötter, Mario Wollschläger, Marius Köhler, Marcel Lawniczak, Johannes Weickmann, Kurt-Georg Besendörfer, Nicolas Heuck
Publié dans: 2023 IEEE 25th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2024, Page(s) 596-602
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/eptc59621.2023.10457720

Online Threshold Voltage Monitoring at SiC Power Devices during Power Cycling Test and Possible Consequences

Auteurs: Patrick Heimler, Mohamed Alaluss, Christian Schwabe, Xing Liu, Josef Lutz, Thomas Basler
Publié dans: 2023
Éditeur: EPE

Online Threshold Voltage Monitoring at SiC Power Devices during Power Cycling Test and Possible Consequences

Auteurs: Patrick Heimler, Mohamed Alaluss, Christian Schwabe, Xing Liu, Josef Lutz, Thomas Basler
Publié dans: EPE 2023, 2023
Éditeur: EPE 2023

SmartSiC 150 & 200mm engineered substrate: increasing SiC power device current density up to 30%

Auteurs: Eric Guiot , Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker, Oleg Rusch, Alexis Drouin, Walter Schwarzenbach
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM

Effect of Chip Metallization and Process Parameters on the Die Attach Properties of Direct Bonded Power Devices

Auteurs: Michael Curkin, Marius Köhler, Silke Kraft, Jens Mueller, Kurt-Georg Besendoerfer, Nicolas Heuck
Publié dans: 2023 IEEE 73rd Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2023, Page(s) 1682-1688
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ectc51909.2023.00286

Tailored Polycrystalline Substrate for SmartSiCTM Substrates Enabling High Performance Power Devices

Auteurs: H. Biard, W. Schwarzenbach, S. Odoul, I. Radu,A. Potier, M. Ferrato, E. Guajioty
Publié dans: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, Numéro 344(12), 2022, Page(s) 47-52, ISSN 1662-9779
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-65127n

Evaluation of Crystal Quality and Dopant Activation of Smart CutTM - Transferred 4H-SiC Thin Film

Auteurs: G. GELINEAU, J. WIDIEZ, E. ROLLAND, K. VLADIMIROVA, A. MOULIN, V. PRUDKOVSKIY, N. TROUTOT, P. GERGAUD, D. MARIOLLE, S. BARBET, V. AMALBERT, G. LAPERTOT, K. MONY, S. ROUCHIER, R. BOULET, G. BERRE, W .SCHWARZENBACH, Y. BOGUMILOWICZ
Publié dans: 2022
Éditeur: ICSCRM

Automotive Charger Grid-Forming Control Opportunities for G2V and V2X Applications

Auteurs: Elie Fayad, Damian Sal y Rosas, Antoine Bruyere, Fredy Poirier
Publié dans: 2023 IEEE Vehicle Power and Propulsion Conference (VPPC), 2024, Page(s) 1-6
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/vppc60535.2023.10403262

Dynamic characterization and robustness of SiC MOSFETs based on SmartSiCTM engineered substrates

Auteurs: M. Alaluss, C. Böhm, P. Heimler, T. Basler, A. Elsayed, K. Oberdieck, S. Goel
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

SmartSiC : a greener, faster and better technology for SiC

Auteurs: Olivier BONNIN
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

SmartSiC substrate : increasing SiC MOSFETs current density from device to module level

Auteurs: E. Guiot, F. Allibert, J. Leib, T. Becker, W. Schwarzenbach; T. Erlbacher
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM

C-Face Epitaxy for Enhanced SiC Device Performance: Insights from Schottky Barrier Diodes

Auteurs: V.Q.G. Roth, A.Y. Hannan, L. K. Bera, U. Chand, Y.-C. Chien, N. X. Sang, W.D. Song, S. Kumar, N. Singh S. Chung, Y. Kam, M. Zielinski, L. Kabelaa2, W. Schwarzenbach, I. Radu, L. Boudin
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Temperature Dependence of 1200V-10A SiC Power Diodes: Impact of Design and Substrate on Electrical Performance

Auteurs: A. Abbas, C. Le Royer, R. Lavieville, J. Biscarrat, G. Gelineau, J. Widiez, S. Gningue, S. Rouchier, F. Allibert, W. Schwarzenbach, E. Bano, P. Godignon
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Study on epi performance of engineered 150 mm and 200 mmSiC substrates in a multi-wafer batch reactor

Auteurs: Philip Hens K.M. Albrecht Birgit Kallinger R. Karhu J. Erlekampf
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM2024

Crystal originated defects monitoring and reduction in production grade SmartSiC engineered substrates

Auteurs: E. Cela, K. Alassaad, A. Chapelle, S. Rouchier, W. Schwarzenbach, A. Drouin, V. Chagneux, M. Zielinski
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

Single-stage three-phase AC/DC PFC resonant converter with galvanic isolation using an integrated transformer

Auteurs: Jan Martiš, Pavel Vorel
Publié dans: 2023
Éditeur: BUT

Increasing relative manufacturing yield of in SiC MOSFET using advanced semiconductor substrate engineering

Auteurs: N. Piluso, C. Calabretta, E. Fontana, G. Maira, A. Russo, A. Severino, G. Arena, E. Guiot, A. Drouin, W. Schwarzenbach
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

SmartSiC 150 & 200mm engineered substrate: enabling SiC power devices with improved performances and reliability

Auteurs: Eric Guiot
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Engineered SiC materials for power technologies

Auteurs: W. Schwarzenbach, S. Rouchier, G. Berre, R. Boulet, O. Ledoux, E. Cela, A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye, H. Biard, K. Alassaad, L. Viravaux, N. Ben Mohamed, D. Radisson, G. Picun, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi, J. Widiez, K. Abadie,E. Rolland, F. Fournel, G. Gélineau, F. Mazen, A. Moulin, C. Moulin, D. Delprat , N. Daval, S. Odoul, P. Sandri and C. Maleville
Publié dans: 2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), Numéro INSPEC Accession Number: 22214351, 2022, Page(s) 55 - 56
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/icicdt56182.2022

Improved power cycling reliability through the use of SmartSiC engineered substrate for power devices

Auteurs: Eric Guiot, Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker,Tobias Erlbacher
Publié dans: 2023
Éditeur: PCIM 2023

Ansatz zur Kollaboration in Wertschöpfungsnetzwerk-zentrierten Innovationsprozessen Smarter Produkte

Auteurs: MOLLAHASSANI, D., JURESA, Y., EICKHOFF, T., GÖBEL, J.C.
Publié dans: Proceedings Stuttgarter Symposium für Produktentwicklung, 2023
Éditeur: SSPE2023

High sensitivity surface defect inspection of SiC and SmartSiCTM substrates using a DUV laser-based system

Auteurs: Enrica Cela, Sam Shahidi , Prasant Parangi , Ramesh Shrestha, Gavin Simpson, Julie Widiez, Nicolas Daval, Audrey Chapelle, Séverin Rouchier, Walter Schwarzenbach
Publié dans: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Numéro Defect and Diffusion Forum Vol. 425, 2022, Page(s) 320-324, ISBN 978-3-0364-0167-6
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-4918s1

Study on epi performance of engineered 150 mm and 200 mm SiC substrates in a multi-wafer batch reactor

Auteurs: Philip Hens, Kevin M. Albrecht, Birgit Kallinger, Robin Karhu, Jrgen Erlekampf
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

Proven Power Cycling Reliability of Ohmic Annealing Free SiC Power Device through the Use of SmartSiCTM Substrate

Auteurs: Eric Guiot, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Tobias Erlbacher, Carsten Hellinger, Séverin Rouchier
Publié dans: Materials Science Forum, Numéro 1092, 2022, Page(s) 201-207, ISSN 1662-9752
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-777hqg

Benchmarking experiment of substrate quality including SmartSiC wafers by epitaxy in a batch reactor

Auteurs: B. Kallinger, P. Hens, C. Kranert, K. M. Albrecht, J. Erlekampf
Publié dans: 2023
Éditeur: DGKK

Influence of Transfer Molding on the Reliability of DCM SiC Pow-er Modules

Auteurs: Jacek Rudzki, Henning Ströbel-Maier, Martin Becker, Patrick Heimler, Dong Xie, Mohamed Ala-luss, Thomas Basler, Anu Mathew, Sven Rzepka
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Reliability and Failure Mechanisms of Direct Bonded Power Semiconductor Devices in Power Cycling Test

Auteurs: Marius Köhler, Michael Curkin, Christian Thomas, Nicolas Heuck, Jens Müller, Kurt-Georg Besendörfer
Publié dans: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2024, Page(s) 506-509
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ispsd59661.2024.10579636

Design and Technology of Automotive Power Modules —An Introduction

Auteurs: Stefan Oeling
Publié dans: 2023
Éditeur: ISPSD

SiC engineered substrate: increasing SiC MOSFETs current density from device to module level

Auteurs: Eric GUIOT
Publié dans: 2024
Éditeur: APEC

Proven Power Cycling Reliability of SmartSiC(TM) Substrate for Power Devices

Auteurs: Eric Guiot, Gonzalo Picun, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Alexis Drouin, Jean-Marc Béthoux, Julie Widiez, Séverin Rouchier, Tobias Erlbacher
Publié dans: 2022
Éditeur: VDE
DOI: 10.30420/565822081

Design of a Four-Limb Coupled Inductor for a Three-phase Six-Switched Boost PFC Converter for EV Application

Auteurs: Kelly Ribeiro de Faria, Larbi Bendani, Nadjib Bouzidi
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product Value

Auteurs: Damun Mollahassani, Jonas Gries, Sven Forte, Jens C. Göbel
Publié dans: Procedia CIRP, Numéro Volume 109, 2022, Page(s) 349-355
Éditeur: Elsevier
DOI: 10.1016/j.procir.2022.05.261

Increasing SiC Power Devices Current Density up to 30% Through 150 & 200mm Semiconductor Substrate Engineering

Auteurs: E. Guiot, Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker, Alexis Drouin, Walter Schwarzenbach
Publié dans: 2024
Éditeur: APEC

Threshold Voltage Hysteresis Investigation of SiC MOSFETs with Different Structures under Various Measurement Conditions

Auteurs: Dong Xie*, Patrick Heimler, Roman Boldyrjew-Mast, Mohamed Alaluss, Sven Thiele, Josef Lutz, Thomas Basler
Publié dans: 2024
Éditeur: ESREF24

Investigation of BPD Faulting in Engineered vs Monocrystalline SiC Substrates Under Ultra-High Carrier Injection for Pulsed Power Application

Auteurs: N. A. Mahadik, D. A. Scheiman, R. E. Stahlbush, A. Drouin, S. Rouchier, W.Schwarzenbach, M. Zielinski
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

150 mm SiC engineered substrates for high-voltage power devices

Auteurs: Séverin Rouchier, et al
Publié dans: ICSCRM 2021, 2021
Éditeur: Material Science Forum published by Trans Tech Publications Ltd, Switzerland for ECSCRM 2021
DOI: 10.4028/p-mxxdef

SmartSiC™ engineered substrate – A game changer in SiC power device performance and reliability

Auteurs: G. Picun; Dr. L. Zumbo;Dr. E. Guiot; G. Bellocchi; A. Guarnera; S. Rascunà; A. Imbruglia; G. Arena; M. Saggio
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSRM 2024

Wide Bandgap Material Transfer as a Flagship Technology for Future High Power Devices

Auteurs: J. Widiez, G. Gelineau, C. Masante, J. Chrétien, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N. Troutot, E. Rolland, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, L. Corbin, V. Amalbert, P. Gilles, F. Milesi, F. Mazen, L. Le Van-Jodin
Publié dans: 2023
Éditeur: MRS FALL 2023

Wide band-gap material transfer using Smart CutTM technology for power electronics

Auteurs: J. Widiez
Publié dans: 2024
Éditeur: VLSI-TSA

Engineered Substrates with ultra-low resistivity Polycrystalline SiC Base – A game changer in SiC power device performance and reliability

Auteurs: G. Picun; Dr. L. Zumbo;Dr. E. Guiot; G. Bellocchi; A. Guarnera; S. Rascunà; A. Imbruglia; G. Arena; M. Saggio
Publié dans: 2024
Éditeur: Bodo's Power

Bosch Semiconductors, large size 1200V MOSFETs prepared on SmartSiC were presented on the booth during PCIM 2024

Auteurs: E. Guiot, Metin Koyuncu
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM

Investigation of Stability and Oscillations at Power Modules with Low Stray Inductance

Auteurs: S. Buetow, M. Spang
Publié dans: 2022
Éditeur: ISPSD (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product ValueCreation Networks

Auteurs: Damun Mollahassani, Jonas Gries, Sven Forte, Jens C. Göbel
Publié dans: Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product Value Creation Networks, 2022, Page(s) 5
Éditeur: CIRP DESIGN 2022

SmartSiCTM for Manufacturing of SiC Power Devices

Auteurs: Nicolas Daval et al
Publié dans: EDTM 2022, 2022
Éditeur: EDTM 2022

ML-basiertes Auslegungstool für Leistungselektronikkühler auf Basis von CFD-Simulationsdaten

Auteurs: Arnulf Sehlinger, Dominik Plein, Hendrik Plooij, Sebastian Spring
Publié dans: 2024
Éditeur: NAFEMS

Digital twin-based lifetime estimation of SiC power modules

Auteurs: Anu Mathew; Sven Rzepka; Mohamed Alaluss; Patrick Heimler; Dong Xie; Thomas Basler
Publié dans: 2024
Éditeur: ISPSD

Electrical characterization of 200 mm 4H-SiC-on-polycristalline SiC wafers bonding interface

Auteurs: C. Masante, J. M. Bethoux, G. Gelineau, E. Rolland, S. Barbet, A. Moulin, L. Turchetti, O. Ledoux, W. Schwarzenbach, S. Rouchier, M. Delcroix, N. Troutot, S. Huet, V. Prudkovskiy, K. Mony, J. Biscarrat, J. Widiez
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

The mobility scenario vs Green Deal Objectives

Auteurs: A.Imbruglia, F.Gennaro, P.Di Grazia
Publié dans: Smart System Integration 2022, 2022, Page(s) 5
Éditeur: SSI2022

Nearly Defect-Free Epitaxy on 150 mm C-Face SiC Substrates

Auteurs: V.Q.G. Roth, A.Y. Hannan, L. K. Bera, U. Chand, Y.-C. Chien, N. X. Sang, W.D. Song, S. Kumar, N. Singh S. Chung, Y. Kam, M. Zielinski, L. Kabelaa2, W. Schwarzenbach, I. Radu, L. Boudin
Publié dans: 2024
Éditeur: ICSCRM

A greener SiC wafer with Smart Cut technology

Auteurs: OLIVIER BONNIN, ERIC GUIOT, WALTER SCHWARZENBACHM AND GONZALO PICUN
Publié dans: Compound Semiconductor, 2021
Éditeur: Compound Semiconductor

Focus Topic: Wide Bandgap Semiconductors

Auteurs: Filippo Di Giovanni
Publié dans: Oral presentation / Electronica 2022, 2022
Éditeur: Electronica 2022

Dynamic Flux Balance Control of a Phase-shifted Full Bridge

Auteurs: Jan Martiš, Pavel Vorel, Radek Tománek
Publié dans: 2023 International Conference on Electrical Drives and Power Electronics (EDPE), 2023, Page(s) 1-5
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/edpe58625.2023.10274035

Impact of aluminum casing on high-frequency transformer leakage inductance and AC resistance

Auteurs: R. Bakri, X. Margueron, W. da Cunha Alves, X. Cimetiere, F. Gillon, A. Bruyere, L. Vatamanu
Publié dans: 2022
Éditeur: 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe)

Wissensbasis zur Förderung von Innovationen Smarter PSS innerhalb eines Wertschöpfungsnetzwerkes

Auteurs: Damun Mollahassani, Thomas Eickhoff, Andreas Eiden, Jens C. Göbel
Publié dans: Tag des Systems Engineering 2022 - Tagungsband Paderborn, Numéro Band 20, 2022, ISBN 9783981880533
Éditeur: Gesellschaft für Systems Engineering e.V.

Comparison of Two Bidirectional 11KW 400V CLLC and CLLLC Resonant Converters for EV Applications

Auteurs: Hasan Mousavi Somarin, Norbert Messi, Farshid Sarrafin Ardebili, Luiz Braz
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Poly-SiC characterization and properties for SmartSiC

Auteurs: H. Biard, A. Drouin, W. Schwarzenbach, K. Alassaad, L. Coeurdray, V. Chagneux, M. Coche, S. Monnoye, H. Mank, S. Rouchier, T. Barge, D. Radisson, A. Moulin, S. Barbet, J. Widiez, S. Odoul, C. Maleville
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM

Proven Power Cycling Reliability of SmartSiCTM Substrate for power device

Auteurs: E. Guiot,Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Carsten Hellinger, Tobias Erlbacher, Séverin Rouchier
Publié dans: PCIM 2022, 2022
Éditeur: Mesago for PCIM 2022

Wissensbasis zur Förderung von Innovationen Smarter PSS innerhalb eines Wertschöpfungsnetzwerkes

Auteurs: MOLLAHASSANI, D., EICKHOFF, T., EIDEN, A., GÖBEL, J.C.
Publié dans: 2023, ISBN 9783981880588
Éditeur: TdSE

technologyBetterGreenerFasterSmartSiC™ 150 & 200mm engineered substrate:increasing SiC power device current density up to 30%

Auteurs: Gonzalo Picun, Eric Guiot, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Oleg Rusch, Alexis Drouin1,Walter Schwarzenbach
Publié dans: 2024
Éditeur: PCIM Europe

Application of advanced characterization techniques to SmartSiC product for substrate-level device performance optimization

Auteurs: A. Drouin, R. Simon, W. Schwarzenbach, M. Zielenski, D. Radisson, E. Guiot, E. Cela, A. Chapelle, H. Biard
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM 2023

SmartSiCTM : Boosting SiC performance for high-voltage power applications

Auteurs: Walter Schwarzenbach, Severin Rouchier, G. Berre, R. Boulet, E. Cela, A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye, H. Mank, C. Moisson, H. Biard, M. Lagrange, A. Quintero Colmenares, L. Kabelaan, L. Viravaux, N. Ben Mohamed, D. Radisson, E. Guiot, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi, J. Widiez, E. Rolland, G. Gélineau, K. Vladimirova, N. Troutot, A. Moulin, V. Prudkovski, S. Barbet, D. Delprat, N. Da
Publié dans: Industrial Session / ICSCRM 2022, 2022
Éditeur: ICSCRM 2022

Evaluation of crystal quality and dopant activation ofSmart Cut™ transferred 4H SiC thin film

Auteurs: G. Gelineau, J. Widiez, E.Rolland, K.Vladimirova, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N.Troutot, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, V.Amalbert, G. Lapertot, K. Mony, S. Rouchier, R. Boulet, G. Berre, W. Schwarzenbach, Y. Bogumilowicz
Publié dans: Scientific Poster / ICSCRM22, 2022
Éditeur: ICSCRM22

Radiation Hardness of SiCTrenchMOSFETDevices

Auteurs: Stephan Schwaiger, Jan, Alsmeier, Hadiuzzaman Syed, Alberto Martinez-Limia, Klaus Heyers
Publié dans: 2023
Éditeur: Semicon Europa 2023

Game Changers in SiC Power Device Performance and Reliability

Auteurs: Picun G*, Zumbo L+, Bellocchi G+, Guiot E*, Guarnera A+, Rascunà S+, Imbruglia A+, Arena G+,
Publié dans: 2024
Éditeur: Bodo's Power

Centrotherm High Temperature Annealing and Oxidation Furnaces

Auteurs: P. Schmid
Publié dans: 2023
Éditeur: ICSCRM

Empowering electric vehicles with superior SiC SmartSiC substrates hold the key to ramping volumes of better SiC devices for automotive and industrial applications

Auteurs: EMMANUEL SABONNADIRE, CHRISTOPHE MALEVILLE AND CYRIL MENON
Publié dans: Compound Semiconductor Magazine, 2023
Éditeur: Compound Semiconductor Magazine

Advancements in Non-contact High-resolution Resistivity Imaging of Wide Bandgap Materials

Auteurs: M. Klein, S.Vinodh, B.Chen
Publié dans: Industry session / ICSCRM22, 2022
Éditeur: ICSCRM22

TRANSFORM: Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy

Auteurs: M. Koyuncu
Publié dans: 2024
Éditeur: Semicon Europa 2024

Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors

Auteurs: V. Volosov, S. Cascino, M. Saggio, A. Imbruglia, F. Di Giovanni, C. Fiegna, E. Sangiorgi, A.N. Tallarico
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 207, 2023, Page(s) 108699, ISSN 0038-1101
Éditeur: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2023.108699

Knowledge Collaboration Approach in Smart Product Innovation Networks

Auteurs: Damun Mollahassani, Thomas Eickhoff, Yannick Juresa, Jens C. Göbel
Publié dans: Procedia CIRP, Numéro 119, 2024, Page(s) 662-668, ISSN 2212-8271
Éditeur: CIRP Design
DOI: 10.1016/j.procir.2023.02.158

Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs

Auteurs: Vladislav Volosov, Santina Bevilacqua, Laura Anoldo, Giuseppe Tosto, Enzo Fontana, Alfio-lip Russo, Claudio Fiegna, Enrico Sangiorgi, Andrea Natale Tallarico
Publié dans: Micromachines, Numéro 15, 2024, Page(s) 872, ISSN 2072-666X
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/mi15070872

Comparative study of methods for counting of dislocations in 4H-SiC

Auteurs: Christian Kranert, Paul Wimmer, Alexis Drouin, Christian Reimann, Jochen Friedrich
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 170, 2023, Page(s) 107948, ISSN 1369-8001
Éditeur: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107948

Numerical Robustness Evaluation of Floating-Point Closed-Loop Control Based on Interval Analysis

Auteurs: Filippo Savi, Amin Farjudian, Giampaolo Buticchi, Davide Barater, Giovanni Franceschini
Publié dans: Electronics, Numéro 12, 2024, Page(s) 390, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/electronics12020390

Optimization-Based Capacitor Balancing Method with Customizable Switching Reduction for CHB Converters

Auteurs: Luis Galván, Pablo Jesús Gómez, Eduardo Galván, Juan Manuel Carrasco
Publié dans: Special Numéro Advances in Multilevel Converter/Inverter Topologies and Applications. Energies (MDPI), 2022, ISSN 1996-1073
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15061976

Optimization-Based Capacitor Balancing Method with Selective DC Current Ripple Reduction for CHB Converters

Auteurs: Luis Galván, Pablo Jesús Gómez, Eduardo Galván, Juan Manuel Carrasco
Publié dans: Special Numéro Advances in Multilevel Converter/Inverter Topologies and Applications. Energies (MDPI), 2021, ISSN 1996-1073
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15010243

Advanced Local Grid Control System for Offshore Wind Turbines with the Diode-Based Rectifier HVDC Link Implemented in a True Scalable Test Bench

Auteurs: Danilo Herrera,Thiago Tricarico,Diego Oliveira,Mauricio Aredes,Eduardo Galván-Díez and Juan M. Carrasco
Publié dans: Energies 2022, Numéro Volume 15 (Numéro 16), 5826, 2022, ISSN 1996-1073
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15165826

Confirmation of the Growth Mechanism of the Buffer Layer in Epitaxial Graphene on SiC

Auteurs: Vladimir S. Prudkovskiy, Roselyne Templier, Alexandre Moulin, Nicolas Troutot, Guillaume Gelineau, Stéphanie Huet, Van-Hoan Le, Karine Mony, Gérard Lapertot, Mathieu Delcroix, Simon Caridroit, Sophie Barbet, Julie Widiez
Publié dans: Solid State Phenomena, Numéro 362, 2024, Page(s) 71-75, ISSN 1662-9779
Éditeur: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-ecbj77

Investigations on the Recovery of the Electrical Properties of Smart Cut™-Transferred SiC Thin Film Using SiC-on-Insulator Structures

Auteurs: Guillaume Gelineau, Cédric Masante, Emmanuel Rolland, Sophie Barbet, Lucie Corbin, Anne-Marie Papon, Simon Caridroit, Mathieu Delcroix, Stéphanie Huet, Alexandre Moulin, Vladimir S. Prudkovskiy, Nicolas Troutot, Séverin Rouchier, Loic Turchetti, Karine Mony, Julie Widiez
Publié dans: Materials Science Forum, Numéro 1124, 2024, Page(s) 57-65, ISSN 1662-9752
Éditeur: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-ydh8qb

ML-basiertes Auslegungstool für Leistungselektronikkühler auf Basis von CFD-Simulationsdaten

Auteurs: S. Spring, A.Sehlinger, D. Plein, H. Plooij
Publié dans: NAFEMS Online-Magazin, 2024, ISSN 2311-522X
Éditeur: NEFEMS

Benchmarking Experiment of Substrate Quality including SmartSiC<sup>TM</sup> Wafers by Epitaxy in a Batch Reactor

Auteurs: Birgit Kallinger, Philip Hens, Christian Kranert, Kevin M. Albrecht, Jürgen Erlekampf
Publié dans: Solid State Phenomena, Numéro 342, 2024, Page(s) 91-98, ISSN 1662-9779
Éditeur: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-av6tdz

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