Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy

Confirmation of the growth mechanism of the buffer layer in epitaxial graphene on SiC

Autoren: V.S Prudkovskiy, R. Templier, A. Moulin, N. Troutot, G. Gelineau, S. Huet, V H. Le, K. Mony, G. Lapertot, M. Delcroix, S. Caridroit, S. Barbet, J. Widiez
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

High Temperature Evolution of Thin Films Confined Between Two Silicon Carbide Substrates

Autoren: Malle Le Cunff, Franois Rieutord, Didier Landru, Oleg Kononchuk and Nikolay Cherkashin
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Adaptive Resonant Controller for a Three-Phase PFC Converter for an On-Board Charge Application

Autoren: Rami Troudi, Kelly Ribeiro de Faria, Moctar Coulibaly
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Processing and electrical characterization of SiC-on-Insulator structures

Autoren: Guillaume GELINEAU, Cédric MASANTE, Emmanuel Rolland, Sophie BARBET, Lucie CORBIN, Anne-Marie PAPON, Simon CARIDROIT, Mathieu DELCROIX, Stéphanie HUET, Alexandre MOULIN, Vladimir PRUDKOVSKIY, Nicolas TROUTOT, Séverin ROUCHIER, Loïc TURCHETTI, Karine MONY, Julie WIDIEZ
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

New Die Attach Materials: Silver and Silver/ Copper sintering pastes

Autoren: B. Rábay, A. Stelzer
Veröffentlicht in: 2022
Herausgeber: PCIM Europe Conference 2022

DUV laser-based defect inspection of single-crystal 4H-SiC and SmartSiC engineered substrates for high volume manufacturing

Autoren: E. Cela, W. Schwarzenbach, R. Shrestha, G. Bast , S. Shahidi , G. Simpson
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Smart CutTM SiC: enabling a larger adoption of SiC substrate for power devices

Autoren: E. Guiot et al
Veröffentlicht in: APEC 2022, 2022
Herausgeber: IEEE

Gate Oxide Performance and Reliability on SmartSiC Wafers and the Influence of RTA processing on Gate Oxide Lifetime

Autoren: T. Becker, M. Rommel, H. Schlichting, E. Guiot and F. Allibert
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Benchmarking experiment of substrate quality including SmartSiCTM wafers by epitaxy in a batch reactor

Autoren: B. Kallinger, P. Hens, P. Berwian, C. Kranert, K.M. Albrecht, J. Erlekampf
Veröffentlicht in: Solid State Phenomena,, Ausgabe Volume 342, 2022, Seite(n) 91-98, ISSN 1662-9779
Herausgeber: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/v-868lqn

Efficiency, Volume and CO2 Emissions Comparison in a PFC Converter with an Active Filter Solution for OBC Application

Autoren: Kelly Ribeiro de Faria, Jean-Raphael Capounda, Vineel Rajagopal, Pascal Menegazzi, Benjamin Paul, Nabil Kamil, Soleiman Galeshi, Norbert Messi
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Improvement over temperature of the substrate resistance contribution on a SiC diode by using SiC engineered substrates

Autoren: G. Bellocchi, S. Rascuna`, P. Mancuso, G. Arena, M. Saggio G. Picun, E. Guiot, W. Schwarzenbach
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Cost-effective SiC Substrate Manufacturing for Power Devices Enabled by Oxide-free Wafer Bonding

Autoren: Dr. Bernd Dielacher (presenter), Péter Kerepesi
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PE International 2024 conference

Analysis of SysML-based Product Development Collaborations in Cross-Company Value Creation Network

Autoren: MOLLAHASSANI, D., BOSSE. R., GÖBEL, J.C.
Veröffentlicht in: prostep ivip SYMPOSIUM, 2023
Herausgeber: prostep ivip

Comparison of High Frequency Three Phase Transformer Technologiesfor High Power Density On Board Chargers

Autoren: Wendell da Cunha Alves, Norbert Messi
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: PCIM Europe

Evaluation of Crystal Quality and Dopant Activation of Smart CutTM - Transferred 4H-SiC Thin Film

Autoren: G. Gelineau, J. Widiez, E.Rolland, K.Vladimirova, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N.Troutot, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, V.Amalbert, G. Lapertot, K. Mony, S. Rouchier, R. Boulet, G. Berre, W. Schwarzenbach, Y. Bogumilowicz
Veröffentlicht in: Materials Science Forum, Ausgabe 1089(2), 2022, Seite(n) 71-79, ISSN 1662-9752
Herausgeber: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-026sj4

Investigation of Two-Stage Ag-Sintering Processes for the Die Attach of Power Devices

Autoren: Dominik Sumkötter, Mario Wollschläger, Marius Köhler, Marcel Lawniczak, Johannes Weickmann, Kurt-Georg Besendörfer, Nicolas Heuck
Veröffentlicht in: 2023 IEEE 25th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2024, Seite(n) 596-602
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/eptc59621.2023.10457720

Online Threshold Voltage Monitoring at SiC Power Devices during Power Cycling Test and Possible Consequences

Autoren: Patrick Heimler, Mohamed Alaluss, Christian Schwabe, Xing Liu, Josef Lutz, Thomas Basler
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: EPE

Online Threshold Voltage Monitoring at SiC Power Devices during Power Cycling Test and Possible Consequences

Autoren: Patrick Heimler, Mohamed Alaluss, Christian Schwabe, Xing Liu, Josef Lutz, Thomas Basler
Veröffentlicht in: EPE 2023, 2023
Herausgeber: EPE 2023

SmartSiC 150 & 200mm engineered substrate: increasing SiC power device current density up to 30%

Autoren: Eric Guiot , Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker, Oleg Rusch, Alexis Drouin, Walter Schwarzenbach
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM

Effect of Chip Metallization and Process Parameters on the Die Attach Properties of Direct Bonded Power Devices

Autoren: Michael Curkin, Marius Köhler, Silke Kraft, Jens Mueller, Kurt-Georg Besendoerfer, Nicolas Heuck
Veröffentlicht in: 2023 IEEE 73rd Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2023, Seite(n) 1682-1688
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ectc51909.2023.00286

Tailored Polycrystalline Substrate for SmartSiCTM Substrates Enabling High Performance Power Devices

Autoren: H. Biard, W. Schwarzenbach, S. Odoul, I. Radu,A. Potier, M. Ferrato, E. Guajioty
Veröffentlicht in: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, Ausgabe 344(12), 2022, Seite(n) 47-52, ISSN 1662-9779
Herausgeber: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-65127n

Evaluation of Crystal Quality and Dopant Activation of Smart CutTM - Transferred 4H-SiC Thin Film

Autoren: G. GELINEAU, J. WIDIEZ, E. ROLLAND, K. VLADIMIROVA, A. MOULIN, V. PRUDKOVSKIY, N. TROUTOT, P. GERGAUD, D. MARIOLLE, S. BARBET, V. AMALBERT, G. LAPERTOT, K. MONY, S. ROUCHIER, R. BOULET, G. BERRE, W .SCHWARZENBACH, Y. BOGUMILOWICZ
Veröffentlicht in: 2022
Herausgeber: ICSCRM

Automotive Charger Grid-Forming Control Opportunities for G2V and V2X Applications

Autoren: Elie Fayad, Damian Sal y Rosas, Antoine Bruyere, Fredy Poirier
Veröffentlicht in: 2023 IEEE Vehicle Power and Propulsion Conference (VPPC), 2024, Seite(n) 1-6
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/vppc60535.2023.10403262

Dynamic characterization and robustness of SiC MOSFETs based on SmartSiCTM engineered substrates

Autoren: M. Alaluss, C. Böhm, P. Heimler, T. Basler, A. Elsayed, K. Oberdieck, S. Goel
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

SmartSiC : a greener, faster and better technology for SiC

Autoren: Olivier BONNIN
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

SmartSiC substrate : increasing SiC MOSFETs current density from device to module level

Autoren: E. Guiot, F. Allibert, J. Leib, T. Becker, W. Schwarzenbach; T. Erlbacher
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM

C-Face Epitaxy for Enhanced SiC Device Performance: Insights from Schottky Barrier Diodes

Autoren: V.Q.G. Roth, A.Y. Hannan, L. K. Bera, U. Chand, Y.-C. Chien, N. X. Sang, W.D. Song, S. Kumar, N. Singh S. Chung, Y. Kam, M. Zielinski, L. Kabelaa2, W. Schwarzenbach, I. Radu, L. Boudin
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Temperature Dependence of 1200V-10A SiC Power Diodes: Impact of Design and Substrate on Electrical Performance

Autoren: A. Abbas, C. Le Royer, R. Lavieville, J. Biscarrat, G. Gelineau, J. Widiez, S. Gningue, S. Rouchier, F. Allibert, W. Schwarzenbach, E. Bano, P. Godignon
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Study on epi performance of engineered 150 mm and 200 mmSiC substrates in a multi-wafer batch reactor

Autoren: Philip Hens K.M. Albrecht Birgit Kallinger R. Karhu J. Erlekampf
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM2024

Crystal originated defects monitoring and reduction in production grade SmartSiC engineered substrates

Autoren: E. Cela, K. Alassaad, A. Chapelle, S. Rouchier, W. Schwarzenbach, A. Drouin, V. Chagneux, M. Zielinski
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

Single-stage three-phase AC/DC PFC resonant converter with galvanic isolation using an integrated transformer

Autoren: Jan Martiš, Pavel Vorel
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: BUT

Increasing relative manufacturing yield of in SiC MOSFET using advanced semiconductor substrate engineering

Autoren: N. Piluso, C. Calabretta, E. Fontana, G. Maira, A. Russo, A. Severino, G. Arena, E. Guiot, A. Drouin, W. Schwarzenbach
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

SmartSiC 150 & 200mm engineered substrate: enabling SiC power devices with improved performances and reliability

Autoren: Eric Guiot
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Engineered SiC materials for power technologies

Autoren: W. Schwarzenbach, S. Rouchier, G. Berre, R. Boulet, O. Ledoux, E. Cela, A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye, H. Biard, K. Alassaad, L. Viravaux, N. Ben Mohamed, D. Radisson, G. Picun, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi, J. Widiez, K. Abadie,E. Rolland, F. Fournel, G. Gélineau, F. Mazen, A. Moulin, C. Moulin, D. Delprat , N. Daval, S. Odoul, P. Sandri and C. Maleville
Veröffentlicht in: 2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), Ausgabe INSPEC Accession Number: 22214351, 2022, Seite(n) 55 - 56
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/icicdt56182.2022

Improved power cycling reliability through the use of SmartSiC engineered substrate for power devices

Autoren: Eric Guiot, Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker,Tobias Erlbacher
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: PCIM 2023

Ansatz zur Kollaboration in Wertschöpfungsnetzwerk-zentrierten Innovationsprozessen Smarter Produkte

Autoren: MOLLAHASSANI, D., JURESA, Y., EICKHOFF, T., GÖBEL, J.C.
Veröffentlicht in: Proceedings Stuttgarter Symposium für Produktentwicklung, 2023
Herausgeber: SSPE2023

High sensitivity surface defect inspection of SiC and SmartSiCTM substrates using a DUV laser-based system

Autoren: Enrica Cela, Sam Shahidi , Prasant Parangi , Ramesh Shrestha, Gavin Simpson, Julie Widiez, Nicolas Daval, Audrey Chapelle, Séverin Rouchier, Walter Schwarzenbach
Veröffentlicht in: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Ausgabe Defect and Diffusion Forum Vol. 425, 2022, Seite(n) 320-324, ISBN 978-3-0364-0167-6
Herausgeber: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-4918s1

Study on epi performance of engineered 150 mm and 200 mm SiC substrates in a multi-wafer batch reactor

Autoren: Philip Hens, Kevin M. Albrecht, Birgit Kallinger, Robin Karhu, Jrgen Erlekampf
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

Proven Power Cycling Reliability of Ohmic Annealing Free SiC Power Device through the Use of SmartSiCTM Substrate

Autoren: Eric Guiot, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Tobias Erlbacher, Carsten Hellinger, Séverin Rouchier
Veröffentlicht in: Materials Science Forum, Ausgabe 1092, 2022, Seite(n) 201-207, ISSN 1662-9752
Herausgeber: Trans Tech Publications Ltd
DOI: 10.4028/p-777hqg

Benchmarking experiment of substrate quality including SmartSiC wafers by epitaxy in a batch reactor

Autoren: B. Kallinger, P. Hens, C. Kranert, K. M. Albrecht, J. Erlekampf
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: DGKK

Influence of Transfer Molding on the Reliability of DCM SiC Pow-er Modules

Autoren: Jacek Rudzki, Henning Ströbel-Maier, Martin Becker, Patrick Heimler, Dong Xie, Mohamed Ala-luss, Thomas Basler, Anu Mathew, Sven Rzepka
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Reliability and Failure Mechanisms of Direct Bonded Power Semiconductor Devices in Power Cycling Test

Autoren: Marius Köhler, Michael Curkin, Christian Thomas, Nicolas Heuck, Jens Müller, Kurt-Georg Besendörfer
Veröffentlicht in: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2024, Seite(n) 506-509
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ispsd59661.2024.10579636

Design and Technology of Automotive Power Modules —An Introduction

Autoren: Stefan Oeling
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ISPSD

SiC engineered substrate: increasing SiC MOSFETs current density from device to module level

Autoren: Eric GUIOT
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: APEC

Proven Power Cycling Reliability of SmartSiC(TM) Substrate for Power Devices

Autoren: Eric Guiot, Gonzalo Picun, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Alexis Drouin, Jean-Marc Béthoux, Julie Widiez, Séverin Rouchier, Tobias Erlbacher
Veröffentlicht in: PCIM Europe 2022; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, 2022
Herausgeber: VDE
DOI: 10.30420/565822081

Design of a Four-Limb Coupled Inductor for a Three-phase Six-Switched Boost PFC Converter for EV Application

Autoren: Kelly Ribeiro de Faria, Larbi Bendani, Nadjib Bouzidi
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product Value

Autoren: Damun Mollahassani, Jonas Gries, Sven Forte, Jens C. Göbel
Veröffentlicht in: Procedia CIRP, Ausgabe Volume 109, 2022, Seite(n) 349-355
Herausgeber: Elsevier
DOI: 10.1016/j.procir.2022.05.261

Increasing SiC Power Devices Current Density up to 30% Through 150 & 200mm Semiconductor Substrate Engineering

Autoren: E. Guiot, Frdric Allibert, Jrgen Leib, Tom Becker, Alexis Drouin, Walter Schwarzenbach
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: APEC

Threshold Voltage Hysteresis Investigation of SiC MOSFETs with Different Structures under Various Measurement Conditions

Autoren: Dong Xie*, Patrick Heimler, Roman Boldyrjew-Mast, Mohamed Alaluss, Sven Thiele, Josef Lutz, Thomas Basler
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ESREF24

Investigation of BPD Faulting in Engineered vs Monocrystalline SiC Substrates Under Ultra-High Carrier Injection for Pulsed Power Application

Autoren: N. A. Mahadik, D. A. Scheiman, R. E. Stahlbush, A. Drouin, S. Rouchier, W.Schwarzenbach, M. Zielinski
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

150 mm SiC engineered substrates for high-voltage power devices

Autoren: Séverin Rouchier, et al
Veröffentlicht in: ICSCRM 2021, 2021
Herausgeber: Material Science Forum published by Trans Tech Publications Ltd, Switzerland for ECSCRM 2021
DOI: 10.4028/p-mxxdef

SmartSiC™ engineered substrate – A game changer in SiC power device performance and reliability

Autoren: G. Picun; Dr. L. Zumbo;Dr. E. Guiot; G. Bellocchi; A. Guarnera; S. Rascunà; A. Imbruglia; G. Arena; M. Saggio
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSRM 2024

Wide Bandgap Material Transfer as a Flagship Technology for Future High Power Devices

Autoren: J. Widiez, G. Gelineau, C. Masante, J. Chrétien, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N. Troutot, E. Rolland, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, L. Corbin, V. Amalbert, P. Gilles, F. Milesi, F. Mazen, L. Le Van-Jodin
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: MRS FALL 2023

Wide band-gap material transfer using Smart CutTM technology for power electronics

Autoren: J. Widiez
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: VLSI-TSA

Engineered Substrates with ultra-low resistivity Polycrystalline SiC Base – A game changer in SiC power device performance and reliability

Autoren: G. Picun; Dr. L. Zumbo;Dr. E. Guiot; G. Bellocchi; A. Guarnera; S. Rascunà; A. Imbruglia; G. Arena; M. Saggio
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: Bodo's Power

Bosch Semiconductors, large size 1200V MOSFETs prepared on SmartSiC were presented on the booth during PCIM 2024

Autoren: E. Guiot, Metin Koyuncu
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM

Investigation of Stability and Oscillations at Power Modules with Low Stray Inductance

Autoren: S. Buetow, M. Spang
Veröffentlicht in: 2022
Herausgeber: ISPSD (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product ValueCreation Networks

Autoren: Damun Mollahassani, Jonas Gries, Sven Forte, Jens C. Göbel
Veröffentlicht in: Supporting Collaborative Innovation Processes in Smart Product Value Creation Networks, 2022, Seite(n) 5
Herausgeber: CIRP DESIGN 2022

SmartSiCTM for Manufacturing of SiC Power Devices

Autoren: Nicolas Daval et al
Veröffentlicht in: EDTM 2022, 2022
Herausgeber: EDTM 2022

ML-basiertes Auslegungstool für Leistungselektronikkühler auf Basis von CFD-Simulationsdaten

Autoren: Arnulf Sehlinger, Dominik Plein, Hendrik Plooij, Sebastian Spring
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: NAFEMS

Digital twin-based lifetime estimation of SiC power modules

Autoren: Anu Mathew; Sven Rzepka; Mohamed Alaluss; Patrick Heimler; Dong Xie; Thomas Basler
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ISPSD

Electrical characterization of 200 mm 4H-SiC-on-polycristalline SiC wafers bonding interface

Autoren: C. Masante, J. M. Bethoux, G. Gelineau, E. Rolland, S. Barbet, A. Moulin, L. Turchetti, O. Ledoux, W. Schwarzenbach, S. Rouchier, M. Delcroix, N. Troutot, S. Huet, V. Prudkovskiy, K. Mony, J. Biscarrat, J. Widiez
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

The mobility scenario vs Green Deal Objectives

Autoren: A.Imbruglia, F.Gennaro, P.Di Grazia
Veröffentlicht in: Smart System Integration 2022, 2022, Seite(n) 5
Herausgeber: SSI2022

Nearly Defect-Free Epitaxy on 150 mm C-Face SiC Substrates

Autoren: V.Q.G. Roth, A.Y. Hannan, L. K. Bera, U. Chand, Y.-C. Chien, N. X. Sang, W.D. Song, S. Kumar, N. Singh S. Chung, Y. Kam, M. Zielinski, L. Kabelaa2, W. Schwarzenbach, I. Radu, L. Boudin
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: ICSCRM

A greener SiC wafer with Smart Cut technology

Autoren: OLIVIER BONNIN, ERIC GUIOT, WALTER SCHWARZENBACHM AND GONZALO PICUN
Veröffentlicht in: Compound Semiconductor, 2021
Herausgeber: Compound Semiconductor

Focus Topic: Wide Bandgap Semiconductors

Autoren: Filippo Di Giovanni
Veröffentlicht in: Oral presentation / Electronica 2022, 2022
Herausgeber: Electronica 2022

Dynamic Flux Balance Control of a Phase-shifted Full Bridge

Autoren: Jan Martiš, Pavel Vorel, Radek Tománek
Veröffentlicht in: 2023 International Conference on Electrical Drives and Power Electronics (EDPE), 2023, Seite(n) 1-5
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/edpe58625.2023.10274035

Impact of aluminum casing on high-frequency transformer leakage inductance and AC resistance

Autoren: R. Bakri, X. Margueron, W. da Cunha Alves, X. Cimetiere, F. Gillon, A. Bruyere, L. Vatamanu
Veröffentlicht in: 2022
Herausgeber: 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe)

Wissensbasis zur Förderung von Innovationen Smarter PSS innerhalb eines Wertschöpfungsnetzwerkes

Autoren: Damun Mollahassani, Thomas Eickhoff, Andreas Eiden, Jens C. Göbel
Veröffentlicht in: Tag des Systems Engineering 2022 - Tagungsband Paderborn, Ausgabe Band 20, 2022, ISBN 9783981880533
Herausgeber: Gesellschaft für Systems Engineering e.V.

Comparison of Two Bidirectional 11KW 400V CLLC and CLLLC Resonant Converters for EV Applications

Autoren: Hasan Mousavi Somarin, Norbert Messi, Farshid Sarrafin Ardebili, Luiz Braz
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Poly-SiC characterization and properties for SmartSiC

Autoren: H. Biard, A. Drouin, W. Schwarzenbach, K. Alassaad, L. Coeurdray, V. Chagneux, M. Coche, S. Monnoye, H. Mank, S. Rouchier, T. Barge, D. Radisson, A. Moulin, S. Barbet, J. Widiez, S. Odoul, C. Maleville
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM

Proven Power Cycling Reliability of SmartSiCTM Substrate for power device

Autoren: E. Guiot,Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Walter Schwarzenbach, Carsten Hellinger, Tobias Erlbacher, Séverin Rouchier
Veröffentlicht in: PCIM 2022, 2022
Herausgeber: Mesago for PCIM 2022

Wissensbasis zur Förderung von Innovationen Smarter PSS innerhalb eines Wertschöpfungsnetzwerkes

Autoren: MOLLAHASSANI, D., EICKHOFF, T., EIDEN, A., GÖBEL, J.C.
Veröffentlicht in: 2023, ISBN 9783981880588
Herausgeber: TdSE

technologyBetterGreenerFasterSmartSiC™ 150 & 200mm engineered substrate:increasing SiC power device current density up to 30%

Autoren: Gonzalo Picun, Eric Guiot, Frédéric Allibert, Jürgen Leib, Tom Becker, Oleg Rusch, Alexis Drouin1,Walter Schwarzenbach
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: PCIM Europe

Application of advanced characterization techniques to SmartSiC product for substrate-level device performance optimization

Autoren: A. Drouin, R. Simon, W. Schwarzenbach, M. Zielenski, D. Radisson, E. Guiot, E. Cela, A. Chapelle, H. Biard
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM 2023

SmartSiCTM : Boosting SiC performance for high-voltage power applications

Autoren: Walter Schwarzenbach, Severin Rouchier, G. Berre, R. Boulet, E. Cela, A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye, H. Mank, C. Moisson, H. Biard, M. Lagrange, A. Quintero Colmenares, L. Kabelaan, L. Viravaux, N. Ben Mohamed, D. Radisson, E. Guiot, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi, J. Widiez, E. Rolland, G. Gélineau, K. Vladimirova, N. Troutot, A. Moulin, V. Prudkovski, S. Barbet, D. Delprat, N. Da
Veröffentlicht in: Industrial Session / ICSCRM 2022, 2022
Herausgeber: ICSCRM 2022

Evaluation of crystal quality and dopant activation ofSmart Cut™ transferred 4H SiC thin film

Autoren: G. Gelineau, J. Widiez, E.Rolland, K.Vladimirova, A. Moulin, V. Prudkovskiy, N.Troutot, P. Gergaud, D. Mariolle, S. Barbet, V.Amalbert, G. Lapertot, K. Mony, S. Rouchier, R. Boulet, G. Berre, W. Schwarzenbach, Y. Bogumilowicz
Veröffentlicht in: Scientific Poster / ICSCRM22, 2022
Herausgeber: ICSCRM22

Radiation Hardness of SiCTrenchMOSFETDevices

Autoren: Stephan Schwaiger, Jan, Alsmeier, Hadiuzzaman Syed, Alberto Martinez-Limia, Klaus Heyers
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: Semicon Europa 2023

Game Changers in SiC Power Device Performance and Reliability

Autoren: Picun G*, Zumbo L+, Bellocchi G+, Guiot E*, Guarnera A+, Rascunà S+, Imbruglia A+, Arena G+,
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: Bodo's Power

Centrotherm High Temperature Annealing and Oxidation Furnaces

Autoren: P. Schmid
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: ICSCRM

Empowering electric vehicles with superior SiC SmartSiC substrates hold the key to ramping volumes of better SiC devices for automotive and industrial applications

Autoren: EMMANUEL SABONNADIRE, CHRISTOPHE MALEVILLE AND CYRIL MENON
Veröffentlicht in: Compound Semiconductor Magazine, 2023
Herausgeber: Compound Semiconductor Magazine

Advancements in Non-contact High-resolution Resistivity Imaging of Wide Bandgap Materials

Autoren: M. Klein, S.Vinodh, B.Chen
Veröffentlicht in: Industry session / ICSCRM22, 2022
Herausgeber: ICSCRM22

TRANSFORM: Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy

Autoren: M. Koyuncu
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: Semicon Europa 2024

Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors

Autoren: V. Volosov, S. Cascino, M. Saggio, A. Imbruglia, F. Di Giovanni, C. Fiegna, E. Sangiorgi, A.N. Tallarico
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 207, 2023, Seite(n) 108699, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2023.108699

Knowledge Collaboration Approach in Smart Product Innovation Networks

Autoren: Damun Mollahassani, Thomas Eickhoff, Yannick Juresa, Jens C. Göbel
Veröffentlicht in: Procedia CIRP, Ausgabe 119, 2024, Seite(n) 662-668, ISSN 2212-8271
Herausgeber: CIRP Design
DOI: 10.1016/j.procir.2023.02.158

Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs

Autoren: Vladislav Volosov, Santina Bevilacqua, Laura Anoldo, Giuseppe Tosto, Enzo Fontana, Alfio-lip Russo, Claudio Fiegna, Enrico Sangiorgi, Andrea Natale Tallarico
Veröffentlicht in: Micromachines, Ausgabe 15, 2024, Seite(n) 872, ISSN 2072-666X
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/mi15070872

Comparative study of methods for counting of dislocations in 4H-SiC

Autoren: Christian Kranert, Paul Wimmer, Alexis Drouin, Christian Reimann, Jochen Friedrich
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 170, 2023, Seite(n) 107948, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107948

Numerical Robustness Evaluation of Floating-Point Closed-Loop Control Based on Interval Analysis

Autoren: Filippo Savi, Amin Farjudian, Giampaolo Buticchi, Davide Barater, Giovanni Franceschini
Veröffentlicht in: Electronics, Ausgabe 12, 2024, Seite(n) 390, ISSN 2079-9292
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/electronics12020390

Optimization-Based Capacitor Balancing Method with Customizable Switching Reduction for CHB Converters

Autoren: Luis Galván, Pablo Jesús Gómez, Eduardo Galván, Juan Manuel Carrasco
Veröffentlicht in: Special Ausgabe Advances in Multilevel Converter/Inverter Topologies and Applications. Energies (MDPI), 2022, ISSN 1996-1073
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15061976

Optimization-Based Capacitor Balancing Method with Selective DC Current Ripple Reduction for CHB Converters

Autoren: Luis Galván, Pablo Jesús Gómez, Eduardo Galván, Juan Manuel Carrasco
Veröffentlicht in: Special Ausgabe Advances in Multilevel Converter/Inverter Topologies and Applications. Energies (MDPI), 2021, ISSN 1996-1073
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15010243

Advanced Local Grid Control System for Offshore Wind Turbines with the Diode-Based Rectifier HVDC Link Implemented in a True Scalable Test Bench

Autoren: Danilo Herrera,Thiago Tricarico,Diego Oliveira,Mauricio Aredes,Eduardo Galván-Díez and Juan M. Carrasco
Veröffentlicht in: Energies 2022, Ausgabe Volume 15 (Ausgabe 16), 5826, 2022, ISSN 1996-1073
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/en15165826

Confirmation of the Growth Mechanism of the Buffer Layer in Epitaxial Graphene on SiC

Autoren: Vladimir S. Prudkovskiy, Roselyne Templier, Alexandre Moulin, Nicolas Troutot, Guillaume Gelineau, Stéphanie Huet, Van-Hoan Le, Karine Mony, Gérard Lapertot, Mathieu Delcroix, Simon Caridroit, Sophie Barbet, Julie Widiez
Veröffentlicht in: Solid State Phenomena, Ausgabe 362, 2024, Seite(n) 71-75, ISSN 1662-9779
Herausgeber: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-ecbj77

Investigations on the Recovery of the Electrical Properties of Smart Cut™-Transferred SiC Thin Film Using SiC-on-Insulator Structures

Autoren: Guillaume Gelineau, Cédric Masante, Emmanuel Rolland, Sophie Barbet, Lucie Corbin, Anne-Marie Papon, Simon Caridroit, Mathieu Delcroix, Stéphanie Huet, Alexandre Moulin, Vladimir S. Prudkovskiy, Nicolas Troutot, Séverin Rouchier, Loic Turchetti, Karine Mony, Julie Widiez
Veröffentlicht in: Materials Science Forum, Ausgabe 1124, 2024, Seite(n) 57-65, ISSN 1662-9752
Herausgeber: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-ydh8qb

ML-basiertes Auslegungstool für Leistungselektronikkühler auf Basis von CFD-Simulationsdaten

Autoren: S. Spring, A.Sehlinger, D. Plein, H. Plooij
Veröffentlicht in: NAFEMS Online-Magazin, 2024, ISSN 2311-522X
Herausgeber: NEFEMS

Benchmarking Experiment of Substrate Quality including SmartSiC<sup>TM</sup> Wafers by Epitaxy in a Batch Reactor

Autoren: Birgit Kallinger, Philip Hens, Christian Kranert, Kevin M. Albrecht, Jürgen Erlekampf
Veröffentlicht in: Solid State Phenomena, Ausgabe 342, 2024, Seite(n) 91-98, ISSN 1662-9779
Herausgeber: Scientific.net
DOI: 10.4028/p-av6tdz

Leistungen

Veröffentlichungen

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