Dynamic Properties of Ferroelectric III-V MOSFETs

Información del proyecto

DYNAMISM

Identificador del acuerdo de subvención: 101019147

DOI

10.3030/101019147

Fecha de la firma de la CE 28 Junio 2021

Fecha de inicio 1 Septiembre 2021

Fecha de finalización 31 Agosto 2026

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coste total

€ 2 500 000,00

Aportación de la UE

€ 2 500 000,00

Coordinado por

LUNDS UNIVERSITET
Sweden

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Publicaciones

Peer reviewed articles (10)

As-deposited ferroelectric HZO on a III-V semiconductor

Autores: A. Andersen; AEO Persson; and L.-E. Wernersson
Publicado en: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0097462

Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor

Autores: Zhongyunshen Zhu, Anton Persson, Lars-Erik Wernersson
Publicado en: Nature Communication, Edición 14, 2023, Página(s) 2530, ISSN 2041-1723
Editor: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-38242-w

RF Characterization of Ferroelectric MOS Capacitors

Autores: Anton E. O. Persson, Stefan Andrić, Lars Fhager, Lars-Erik Wernersson
Publicado en: IEEE Electron Device Letters, Edición 45, 2024, Página(s) 1653-1656, ISSN 0741-3106
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3428971

Source Design of Vertical III–V Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Autores: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Publicado en: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Edición 10, 2024, Página(s) 8-12, ISSN 2329-9231
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/jxcdc.2024.3355949

Cryogenic Ferroelectricity of HZO Capacitors on a III–V Semiconductor

Autores: Mamidala Karthik Ram, Hannes Dahlberg, Lars-Erik Wernersson
Publicado en: IEEE Electron Device Letters, Edición 45, 2024, Página(s) 1827-1830, ISSN 0741-3106
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3448378

Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon

Autores: Anton E. O. Persson; Zhongyunshen Zhu; Robin Athle; Lars-Erik Wernersson
Publicado en: ISSN: 0741-3106, Edición 1, 2022, ISSN 0741-3106
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2022.3171597

Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics

Autores: Z. Zhu, A. Persson and L.-E. Wernersson
Publicado en: Science Advances, Edición 9, 2023, Página(s) 7098, ISSN 2375-2548
Editor: AMER ASSOC ADVANCEMENT SCIENCE
DOI: 10.1126/sciadv.ade7098

Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf_1–<i>x</i>Zr_<i>x</i>O₂ on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf_0.2Zr_0.8O₂

Autores: Lars-Erik Wernersson; Anton Persson; Hannes Dahlberg; Robin Athle
Publicado en: Applied Electronic Materials, Edición 1, 2022, ISSN 2637-6113
Editor: ACS
DOI: 10.1021/acsaelm.2c01483

High Current Density Vertical Nanowire TFETs With I₆₀ &gt; 1 <i>μ</i>A/<i>μ</i>m

Autores: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Publicado en: IEEE Access, Edición 11, 2024, Página(s) 95692-95696, ISSN 2169-3536
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2023.3310253

Improved Endurance of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Integrated on InAs Using Millisecond Annealing

Autores: R. Athle, T. Blom, A. Irish, A. Persson, L.-E. Wernersson, R. Timm, M. Borg
Publicado en: Advanced materials interfaces, Edición 9, 2022, Página(s) 2201038, ISSN 2196-7350
Editor: wiley
DOI: 10.1002/admi.202201038