Dynamic Properties of Ferroelectric III-V MOSFETs

Informacje na temat projektu

DYNAMISM

Identyfikator umowy o grant: 101019147

DOI

10.3030/101019147

Data podpisania przez KE 28 Czerwca 2021

Data rozpoczęcia 1 Września 2021

Data zakończenia 31 Sierpnia 2026

Finansowanie w ramach

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Koszt całkowity

€ 2 500 000,00

Wkład UE

€ 2 500 000,00

Koordynowany przez

LUNDS UNIVERSITET
Sweden

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Peer reviewed articles (10)

As-deposited ferroelectric HZO on a III-V semiconductor

Autorzy: A. Andersen; AEO Persson; and L.-E. Wernersson
Opublikowane w: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0097462

Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor

Autorzy: Zhongyunshen Zhu, Anton Persson, Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: Nature Communication, Numer 14, 2023, Strona(/y) 2530, ISSN 2041-1723
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-38242-w

RF Characterization of Ferroelectric MOS Capacitors

Autorzy: Anton E. O. Persson, Stefan Andrić, Lars Fhager, Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: IEEE Electron Device Letters, Numer 45, 2024, Strona(/y) 1653-1656, ISSN 0741-3106
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3428971

Source Design of Vertical III–V Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Autorzy: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Numer 10, 2024, Strona(/y) 8-12, ISSN 2329-9231
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/jxcdc.2024.3355949

Cryogenic Ferroelectricity of HZO Capacitors on a III–V Semiconductor

Autorzy: Mamidala Karthik Ram, Hannes Dahlberg, Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: IEEE Electron Device Letters, Numer 45, 2024, Strona(/y) 1827-1830, ISSN 0741-3106
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3448378

Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon

Autorzy: Anton E. O. Persson; Zhongyunshen Zhu; Robin Athle; Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: ISSN: 0741-3106, Numer 1, 2022, ISSN 0741-3106
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2022.3171597

Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics

Autorzy: Z. Zhu, A. Persson and L.-E. Wernersson
Opublikowane w: Science Advances, Numer 9, 2023, Strona(/y) 7098, ISSN 2375-2548
Wydawca: AMER ASSOC ADVANCEMENT SCIENCE
DOI: 10.1126/sciadv.ade7098

Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf_1–<i>x</i>Zr_<i>x</i>O₂ on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf_0.2Zr_0.8O₂

Autorzy: Lars-Erik Wernersson; Anton Persson; Hannes Dahlberg; Robin Athle
Opublikowane w: Applied Electronic Materials, Numer 1, 2022, ISSN 2637-6113
Wydawca: ACS
DOI: 10.1021/acsaelm.2c01483

High Current Density Vertical Nanowire TFETs With I₆₀ &gt; 1 <i>μ</i>A/<i>μ</i>m

Autorzy: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Opublikowane w: IEEE Access, Numer 11, 2024, Strona(/y) 95692-95696, ISSN 2169-3536
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2023.3310253

Improved Endurance of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Integrated on InAs Using Millisecond Annealing

Autorzy: R. Athle, T. Blom, A. Irish, A. Persson, L.-E. Wernersson, R. Timm, M. Borg
Opublikowane w: Advanced materials interfaces, Numer 9, 2022, Strona(/y) 2201038, ISSN 2196-7350
Wydawca: wiley
DOI: 10.1002/admi.202201038