Dynamic Properties of Ferroelectric III-V MOSFETs

Informazioni relative al progetto

DYNAMISM

ID dell’accordo di sovvenzione: 101019147

DOI 10.3030/101019147

Data della firma CE 28 Giugno 2021

Data di avvio 1 Settembre 2021

Data di completamento 31 Agosto 2026

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Costo totale € 2 500 000,00

Contributo UE € 2 500 000,00

Coordinato da

LUNDS UNIVERSITET
Svezia

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I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Articoli sottoposti a revisione paritaria (10)

As-deposited ferroelectric HZO on a III-V semiconductor

Autori: A. Andersen; AEO Persson; and L.-E. Wernersson
Pubblicato in: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0097462

Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor

Autori: Zhongyunshen Zhu, Anton Persson, Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: Nature Communication, Numero 14, 2023, Pagina/e 2530, ISSN 2041-1723
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-38242-w

RF Characterization of Ferroelectric MOS Capacitors

Autori: Anton E. O. Persson, Stefan Andrić, Lars Fhager, Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, Numero 45, 2024, Pagina/e 1653-1656, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3428971

Source Design of Vertical III–V Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Autori: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Numero 10, 2024, Pagina/e 8-12, ISSN 2329-9231
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/jxcdc.2024.3355949

Cryogenic Ferroelectricity of HZO Capacitors on a III–V Semiconductor

Autori: Mamidala Karthik Ram, Hannes Dahlberg, Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, Numero 45, 2024, Pagina/e 1827-1830, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2024.3448378

Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon

Autori: Anton E. O. Persson; Zhongyunshen Zhu; Robin Athle; Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: ISSN: 0741-3106, Numero 1, 2022, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2022.3171597

Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics

Autori: Z. Zhu, A. Persson and L.-E. Wernersson
Pubblicato in: Science Advances, Numero 9, 2023, Pagina/e 7098, ISSN 2375-2548
Editore: AMER ASSOC ADVANCEMENT SCIENCE
DOI: 10.1126/sciadv.ade7098

Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf_1–<i>x</i>Zr_<i>x</i>O₂ on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf_0.2Zr_0.8O₂

Autori: Lars-Erik Wernersson; Anton Persson; Hannes Dahlberg; Robin Athle
Pubblicato in: Applied Electronic Materials, Numero 1, 2022, ISSN 2637-6113
Editore: ACS
DOI: 10.1021/acsaelm.2c01483

High Current Density Vertical Nanowire TFETs With I₆₀ &gt; 1 <i>μ</i>A/<i>μ</i>m

Autori: Gautham Rangasamy, Zhongyunshen Zhu, Lars-Erik Wernersson
Pubblicato in: IEEE Access, Numero 11, 2024, Pagina/e 95692-95696, ISSN 2169-3536
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/access.2023.3310253

Improved Endurance of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Integrated on InAs Using Millisecond Annealing

Autori: R. Athle, T. Blom, A. Irish, A. Persson, L.-E. Wernersson, R. Timm, M. Borg
Pubblicato in: Advanced materials interfaces, Numero 9, 2022, Pagina/e 2201038, ISSN 2196-7350
Editore: wiley
DOI: 10.1002/admi.202201038