Descrizione del progetto
I materiali 2D impilati offrono potenzialità per l’elettronica a bassa potenza
I continui progressi nella tecnologia dei semiconduttori hanno portato allo sviluppo di transistori più veloci e più piccoli. Il transistore metallo ossido semiconduttore (MOS, metal-oxide semiconductor) a effetto di campo (MOSFET) è il transistore a effetto di campo (FET, field-effect transistor) più usato. Tuttavia, una grande limitazione è la sua bassa efficienza energetica, che è imputata alla sua ampia tensione di funzionamento e all’incapacità di limitare la corrente di perdita in stato di blocco. Il FET a tunnel, un tipo sperimentale di transistore, può superare questa limitazione sfruttando il tunnelling meccanico quantistico. Il progetto 2D-LOTTO, finanziato dall’UE, affronterà le sfide chiave che limitano la realizzazione di FET a tunnel ad alte prestazioni. L’integrazione di contatti di tipo p e n a bassa resistenza, di materiali a capacità negativa e di eterostrutture di semiconduttori verticali 2D con interfacce ideali dovrebbe fornire FET a tunnel a bassissima potenza e compatibili con CMOS che potrebbero trasformare l’IoT, i megadati e l’informatica.
Obiettivo
Modern electronics consume a huge amount of world’s energy – currently ~ 5% and rising to > 20% in 2030. Field effect transistors (FETs) account for a large fraction of the energy consumed in electronics due to high OFF state (leakage) currents and large operating voltage (~ 0.8V). Tunnel FETs (TFETs) based on two-dimensional semiconductors (2D SCs) provide unique and game-changing solutions for both of these problems and can be engineered using industry compatible complementary metal oxide semiconductor (CMOS) processes. However, despite the intense effort over the past decade, serious challenges remain in realizing high performance TFETs. The challenges, related to achieving high quality p- and n-type contacts, practical ON state currents and scalability, arise from the lack of precise control of material interfaces. Therefore, completely new approaches in materials and process engineering are needed to reap the benefits of 2D SCs for TFETs. 2D-LOTTO provides these frontier approaches to TFET challenges by designing and engineering vertical heterostructures of 2D SCs with novel ultra-clean, low resistance p- and n-type near ideal van der Waals (vdW) contacts that allow operation at ~ 100 mV. Internal electric field amplification to boost ON state currents to practical levels will be achieved for the first time by using negative capacitance (NC) gate dielectrics. The integration of vdW contacts, NC gates and 2D SC heterostructures with ideal interfaces will provide ultra-low power, CMOS compatible TFETs that have the potential to transform the technology landscape in IoT, Big Data and computing. Initially, automated mechanical exfoliation of 2D SC vertical heterostructures will be used to design and test TFETs. Then, CMOS compatible metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) will be used to realize wafer scale devices. The viability of proposed approach is confirmed by proof of concept demonstrations reported by the PI in engineering 2D SCs for FETs.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
La classificazione di questo progetto è stata convalidata dal team del progetto.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
La classificazione di questo progetto è stata convalidata dal team del progetto.
Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
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H2020-EU.1.1. - EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)
PROGRAMMA PRINCIPALE
Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo programma
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
ERC-ADG - Advanced Grant
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
(si apre in una nuova finestra) ERC-2020-ADG
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
CB2 1TN CAMBRIDGE
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.