Fluorides for 2D Next-Generation Nanoelectronics

Informations projet

F2GO

N° de convention de subvention: 101055379

DOI

10.3030/101055379

Date de signature de la CE 30 Août 2022

Date de début 1 Septembre 2022

Date de fin 31 Août 2027

Financé au titre de

• European Research Council (ERC)

Coût total

€ 2 498 609,00

Contribution de l’UE

€ 2 498 609,00

Coordonné par

TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria

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Publications

Peer reviewed articles (10)

Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

Auteurs: Yaqing Shen, Kaichen Zhu, Yiping Xiao, Dominic Waldhr, Abdulrahman H. Basher, Theresia Knobloch, Sebastian Pazos, Xianhu Liang, Wenwen Zheng, Yue Yuan, Juan B. Roldan, Udo Schwingenschlgl, He Tian, Huaqiang Wu, Thomas F. Schranghamer, Nicholas Trainor, Joan M. Redwing, Saptarshi Das, Tibor Grasser, Mario Lanza
Publié dans: Nature Electronics, Numéro 7, 2024, ISSN 2520-1131
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s41928-024-01233-w

Modeling 2D Material-Based Nanoelectronic Devices in the Presence of Defects

Auteurs: Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Tibor Grasser
Publié dans: IEEE Nanotechnology Magazine, Numéro 17, 2023, ISSN 1932-4510
Éditeur: IEEE Nanotechnology Magazine
DOI: 10.1109/mnano.2023.3278969

Machine learning force field for thermal oxidation of silicon

Auteurs: Lukas Cvitkovich, Franz Fehringer, Christoph Wilhelmer, Diego Milardovich, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Publié dans: The Journal of Chemical Physics, Numéro 161, 2024, ISSN 1089-7690
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0220091

High-κ Wide-Gap Layered Dielectric for Two-Dimensional van der Waals Heterostructures

Auteurs: Aljoscha Söll, Edoardo Lopriore, Asmund Ottesen, Jan Luxa, Gabriele Pasquale, Jiri Sturala, František Hájek, Vítězslav Jarý, David Sedmidubský, Kseniia Mosina, Igor Sokolović, Saeed Rasouli, Tibor Grasser, Ulrike Diebold, Andras Kis, Zdeněk Sofer
Publié dans: ACS Nano, Numéro 18, 2024, ISSN 1936-086X
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.3c10411

Initial stages of growth and electronic properties of epitaxial SrF2 thin films on Ag(1 1 1)

Auteurs: Mauro Borghi, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Monica Montecchi, Sergio D'Addato, Simone Vacondio, Luca Bursi, Alice Ruini, Bryan P. Doyle, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Publié dans: Applied Surface Science, Numéro 656, 2024, ISSN 2520-1131
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159724

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Auteurs: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Publié dans: ECS Meeting Abstracts, Numéro MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Éditeur: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2023-01331864mtgabs

All van der Waals Semiconducting PtSe₂ Field Effect Transistors with Low Contact Resistance Graphite Electrodes

Auteurs: M. Awais Aslam, Simon Leitner, Shubham Tyagi, Alexandros Provias, Vadym Tkachuk, Egon Pavlica, Martina Dienstleder, Daniel Knez, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Dayu Yan, Youguo Shi, Theresia Knobloch, Michael Waltl, Udo Schwingenschlögl, Tibor Grasser, Aleksandar Matković
Publié dans: Nano Letters, Numéro 24, 2024, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00956

Comphy v3.0—A compact-physics framework for modeling charge trapping related reliability phenomena in MOS devices

Auteurs: Dominic Waldhoer; Christian Schleich; Jakob Michl; Alexander Grill; Dieter Claes; Alexander Karl; Theresia Knobloch; Gerhard Rzepa; Jacopo Franco; Ben Kaczer; Michael Waltl; Tibor Grasser
Publié dans: IOP Science, 2023, ISSN 1872-941X
Éditeur: Elsevier
DOI: 10.48550/arxiv.2212.11547

Observation of Rich Defect Dynamics in Monolayer MoS₂

Auteurs: Harikrishnan Ravichandran, Theresia Knobloch, Andrew Pannone, Alexander Karl, Bernhard Stampfer, Dominic Waldhoer, Yikai Zheng, Najam U Sakib, Muhtasim Ul Karim Sadaf, Rahul Pendurthi, Riccardo Torsi, Joshua A. Robinson, Tibor Grasser, Saptarshi Das
Publié dans: ACS Nano, Numéro 17, 2023, ISSN 1936-086X
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.2c12900

Comprehensive study of SrF2 growth on highly oriented pyrolytic graphite (HOPG): Temperature-dependent van der Waals epitaxy

Auteurs: Mauro Borghi, Giulia Giovanelli, Monica Montecchi, Raffaella Capelli, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Sergio D’Addato, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Publié dans: Applied Surface Science, Numéro 680, 2024, ISSN 1873-5584
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.161310

Conference proceedings (7)

Defects in Strontium Titanate: A First Principles Study

Auteurs: Mina Bahrami, Dominic Waldhoer, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Aftab Nazir, Changze Liu, Tibor Grasser
Publié dans: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Numéro 127, 2023
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319515

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Auteurs: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Publié dans: ECS Transactions, Numéro 111, 2023, ISSN 1938-6737
Éditeur: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11101.0219ecst

Reliability Assessment of Double-Gated Wafer-Scale MoS₂ Field Effect Transistors through Hysteresis and Bias Temperature Instability Analyses

Auteurs: A. Provias, T. Knobloch, A. Kitamura, K. P. O’Brien, C. J. Dorow, D. Waldhoer, B. Stampfer, A. V. Penumatcha, S. Lee, R. Ramamurthy, S. Clendenning, M. Waltl, U. Avci, T. Grasser
Publié dans: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413755

Modeling the Performance and Reliability of Two-Dimensional Semiconductor Transistors

Auteurs: T. Knobloch, D. Waldhoer, M. R. Davoudi, A. Karl, P. Khakbaz, M. Matzinger, Y. Zhang, K. K. H. Smithe, A. Nazir, C. Liu, Y. Y. Illarionov, E. Pop, H. Peng, B. Kaczer, T. Grasser
Publié dans: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413824

Modeling the Impact of Interface and Border Traps on Hysteresis in Encapsulated Monolayer MoS₂ Based Double Gated FETs

Auteurs: Rittik Ghosh, Theresia Knobloch, Alexander Karl, Christoph Wilhelmer, Alexandros Provias, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Publié dans: 2024 Austrochip Workshop on Microelectronics (Austrochip), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/Austrochip62761.2024.10716217

Multi-Scale Modeling of Transistors Based on the 2D Semiconductor Bi₂O₂Se

Auteurs: Mohammad Rasool Davoudi, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Changze Liu, Aftab Nazir, Yichi Zhang, Hailin Peng, Tibor Grasser
Publié dans: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Numéro 80, 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319609

(Invited) Gate Stack Design for Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials

Auteurs: Theresia Knobloch, Tibor Grasser
Publié dans: ECS Meeting Abstracts, Numéro MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Éditeur: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/MA2023-01131319mtgabs