Fluorides for 2D Next-Generation Nanoelectronics

Projektinformationen

F2GO

ID Finanzhilfevereinbarung: 101055379

DOI

10.3030/101055379

EK-Unterschriftsdatum 30 August 2022

Startdatum 1 September 2022

Enddatum 31 August 2027

Finanziert unter

• European Research Council (ERC)

Gesamtkosten

€ 2 498 609,00

EU-Beitrag

€ 2 498 609,00

Koordiniert durch

TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (10)

Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

Autoren: Yaqing Shen, Kaichen Zhu, Yiping Xiao, Dominic Waldhr, Abdulrahman H. Basher, Theresia Knobloch, Sebastian Pazos, Xianhu Liang, Wenwen Zheng, Yue Yuan, Juan B. Roldan, Udo Schwingenschlgl, He Tian, Huaqiang Wu, Thomas F. Schranghamer, Nicholas Trainor, Joan M. Redwing, Saptarshi Das, Tibor Grasser, Mario Lanza
Veröffentlicht in: Nature Electronics, Ausgabe 7, 2024, ISSN 2520-1131
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s41928-024-01233-w

Modeling 2D Material-Based Nanoelectronic Devices in the Presence of Defects

Autoren: Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: IEEE Nanotechnology Magazine, Ausgabe 17, 2023, ISSN 1932-4510
Herausgeber: IEEE Nanotechnology Magazine
DOI: 10.1109/mnano.2023.3278969

Machine learning force field for thermal oxidation of silicon

Autoren: Lukas Cvitkovich, Franz Fehringer, Christoph Wilhelmer, Diego Milardovich, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: The Journal of Chemical Physics, Ausgabe 161, 2024, ISSN 1089-7690
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0220091

High-κ Wide-Gap Layered Dielectric for Two-Dimensional van der Waals Heterostructures

Autoren: Aljoscha Söll, Edoardo Lopriore, Asmund Ottesen, Jan Luxa, Gabriele Pasquale, Jiri Sturala, František Hájek, Vítězslav Jarý, David Sedmidubský, Kseniia Mosina, Igor Sokolović, Saeed Rasouli, Tibor Grasser, Ulrike Diebold, Andras Kis, Zdeněk Sofer
Veröffentlicht in: ACS Nano, Ausgabe 18, 2024, ISSN 1936-086X
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.3c10411

Initial stages of growth and electronic properties of epitaxial SrF2 thin films on Ag(1 1 1)

Autoren: Mauro Borghi, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Monica Montecchi, Sergio D'Addato, Simone Vacondio, Luca Bursi, Alice Ruini, Bryan P. Doyle, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 656, 2024, ISSN 2520-1131
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159724

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Autoren: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: ECS Meeting Abstracts, Ausgabe MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Herausgeber: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2023-01331864mtgabs

All van der Waals Semiconducting PtSe₂ Field Effect Transistors with Low Contact Resistance Graphite Electrodes

Autoren: M. Awais Aslam, Simon Leitner, Shubham Tyagi, Alexandros Provias, Vadym Tkachuk, Egon Pavlica, Martina Dienstleder, Daniel Knez, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Dayu Yan, Youguo Shi, Theresia Knobloch, Michael Waltl, Udo Schwingenschlögl, Tibor Grasser, Aleksandar Matković
Veröffentlicht in: Nano Letters, Ausgabe 24, 2024, ISSN 1530-6984
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00956

Comphy v3.0—A compact-physics framework for modeling charge trapping related reliability phenomena in MOS devices

Autoren: Dominic Waldhoer; Christian Schleich; Jakob Michl; Alexander Grill; Dieter Claes; Alexander Karl; Theresia Knobloch; Gerhard Rzepa; Jacopo Franco; Ben Kaczer; Michael Waltl; Tibor Grasser
Veröffentlicht in: IOP Science, 2023, ISSN 1872-941X
Herausgeber: Elsevier
DOI: 10.48550/arxiv.2212.11547

Observation of Rich Defect Dynamics in Monolayer MoS₂

Autoren: Harikrishnan Ravichandran, Theresia Knobloch, Andrew Pannone, Alexander Karl, Bernhard Stampfer, Dominic Waldhoer, Yikai Zheng, Najam U Sakib, Muhtasim Ul Karim Sadaf, Rahul Pendurthi, Riccardo Torsi, Joshua A. Robinson, Tibor Grasser, Saptarshi Das
Veröffentlicht in: ACS Nano, Ausgabe 17, 2023, ISSN 1936-086X
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.2c12900

Comprehensive study of SrF2 growth on highly oriented pyrolytic graphite (HOPG): Temperature-dependent van der Waals epitaxy

Autoren: Mauro Borghi, Giulia Giovanelli, Monica Montecchi, Raffaella Capelli, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Sergio D’Addato, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 680, 2024, ISSN 1873-5584
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.161310

Conference proceedings (7)

Defects in Strontium Titanate: A First Principles Study

Autoren: Mina Bahrami, Dominic Waldhoer, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Aftab Nazir, Changze Liu, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Ausgabe 127, 2023
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319515

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Autoren: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: ECS Transactions, Ausgabe 111, 2023, ISSN 1938-6737
Herausgeber: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11101.0219ecst

Reliability Assessment of Double-Gated Wafer-Scale MoS₂ Field Effect Transistors through Hysteresis and Bias Temperature Instability Analyses

Autoren: A. Provias, T. Knobloch, A. Kitamura, K. P. O’Brien, C. J. Dorow, D. Waldhoer, B. Stampfer, A. V. Penumatcha, S. Lee, R. Ramamurthy, S. Clendenning, M. Waltl, U. Avci, T. Grasser
Veröffentlicht in: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413755

Modeling the Performance and Reliability of Two-Dimensional Semiconductor Transistors

Autoren: T. Knobloch, D. Waldhoer, M. R. Davoudi, A. Karl, P. Khakbaz, M. Matzinger, Y. Zhang, K. K. H. Smithe, A. Nazir, C. Liu, Y. Y. Illarionov, E. Pop, H. Peng, B. Kaczer, T. Grasser
Veröffentlicht in: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413824

Modeling the Impact of Interface and Border Traps on Hysteresis in Encapsulated Monolayer MoS₂ Based Double Gated FETs

Autoren: Rittik Ghosh, Theresia Knobloch, Alexander Karl, Christoph Wilhelmer, Alexandros Provias, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: 2024 Austrochip Workshop on Microelectronics (Austrochip), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/Austrochip62761.2024.10716217

Multi-Scale Modeling of Transistors Based on the 2D Semiconductor Bi₂O₂Se

Autoren: Mohammad Rasool Davoudi, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Changze Liu, Aftab Nazir, Yichi Zhang, Hailin Peng, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Ausgabe 80, 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319609

(Invited) Gate Stack Design for Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials

Autoren: Theresia Knobloch, Tibor Grasser
Veröffentlicht in: ECS Meeting Abstracts, Ausgabe MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Herausgeber: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/MA2023-01131319mtgabs