Fluorides for 2D Next-Generation Nanoelectronics

Informacje na temat projektu

F2GO

Identyfikator umowy o grant: 101055379

DOI

10.3030/101055379

Data podpisania przez KE 30 Sierpnia 2022

Data rozpoczęcia 1 Września 2022

Data zakończenia 31 Sierpnia 2027

Finansowanie w ramach

• European Research Council (ERC)

Koszt całkowity

€ 2 498 609,00

Wkład UE

€ 2 498 609,00

Koordynowany przez

TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Peer reviewed articles (10)

Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

Autorzy: Yaqing Shen, Kaichen Zhu, Yiping Xiao, Dominic Waldhr, Abdulrahman H. Basher, Theresia Knobloch, Sebastian Pazos, Xianhu Liang, Wenwen Zheng, Yue Yuan, Juan B. Roldan, Udo Schwingenschlgl, He Tian, Huaqiang Wu, Thomas F. Schranghamer, Nicholas Trainor, Joan M. Redwing, Saptarshi Das, Tibor Grasser, Mario Lanza
Opublikowane w: Nature Electronics, Numer 7, 2024, ISSN 2520-1131
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s41928-024-01233-w

Modeling 2D Material-Based Nanoelectronic Devices in the Presence of Defects

Autorzy: Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Tibor Grasser
Opublikowane w: IEEE Nanotechnology Magazine, Numer 17, 2023, ISSN 1932-4510
Wydawca: IEEE Nanotechnology Magazine
DOI: 10.1109/mnano.2023.3278969

Machine learning force field for thermal oxidation of silicon

Autorzy: Lukas Cvitkovich, Franz Fehringer, Christoph Wilhelmer, Diego Milardovich, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Opublikowane w: The Journal of Chemical Physics, Numer 161, 2024, ISSN 1089-7690
Wydawca: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0220091

High-κ Wide-Gap Layered Dielectric for Two-Dimensional van der Waals Heterostructures

Autorzy: Aljoscha Söll, Edoardo Lopriore, Asmund Ottesen, Jan Luxa, Gabriele Pasquale, Jiri Sturala, František Hájek, Vítězslav Jarý, David Sedmidubský, Kseniia Mosina, Igor Sokolović, Saeed Rasouli, Tibor Grasser, Ulrike Diebold, Andras Kis, Zdeněk Sofer
Opublikowane w: ACS Nano, Numer 18, 2024, ISSN 1936-086X
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.3c10411

Initial stages of growth and electronic properties of epitaxial SrF2 thin films on Ag(1 1 1)

Autorzy: Mauro Borghi, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Monica Montecchi, Sergio D'Addato, Simone Vacondio, Luca Bursi, Alice Ruini, Bryan P. Doyle, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Opublikowane w: Applied Surface Science, Numer 656, 2024, ISSN 2520-1131
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159724

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Autorzy: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Opublikowane w: ECS Meeting Abstracts, Numer MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Wydawca: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2023-01331864mtgabs

All van der Waals Semiconducting PtSe₂ Field Effect Transistors with Low Contact Resistance Graphite Electrodes

Autorzy: M. Awais Aslam, Simon Leitner, Shubham Tyagi, Alexandros Provias, Vadym Tkachuk, Egon Pavlica, Martina Dienstleder, Daniel Knez, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Dayu Yan, Youguo Shi, Theresia Knobloch, Michael Waltl, Udo Schwingenschlögl, Tibor Grasser, Aleksandar Matković
Opublikowane w: Nano Letters, Numer 24, 2024, ISSN 1530-6984
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00956

Comphy v3.0—A compact-physics framework for modeling charge trapping related reliability phenomena in MOS devices

Autorzy: Dominic Waldhoer; Christian Schleich; Jakob Michl; Alexander Grill; Dieter Claes; Alexander Karl; Theresia Knobloch; Gerhard Rzepa; Jacopo Franco; Ben Kaczer; Michael Waltl; Tibor Grasser
Opublikowane w: IOP Science, 2023, ISSN 1872-941X
Wydawca: Elsevier
DOI: 10.48550/arxiv.2212.11547

Observation of Rich Defect Dynamics in Monolayer MoS₂

Autorzy: Harikrishnan Ravichandran, Theresia Knobloch, Andrew Pannone, Alexander Karl, Bernhard Stampfer, Dominic Waldhoer, Yikai Zheng, Najam U Sakib, Muhtasim Ul Karim Sadaf, Rahul Pendurthi, Riccardo Torsi, Joshua A. Robinson, Tibor Grasser, Saptarshi Das
Opublikowane w: ACS Nano, Numer 17, 2023, ISSN 1936-086X
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsnano.2c12900

Comprehensive study of SrF2 growth on highly oriented pyrolytic graphite (HOPG): Temperature-dependent van der Waals epitaxy

Autorzy: Mauro Borghi, Giulia Giovanelli, Monica Montecchi, Raffaella Capelli, Andrea Mescola, Guido Paolicelli, Sergio D’Addato, Tibor Grasser, Luca Pasquali
Opublikowane w: Applied Surface Science, Numer 680, 2024, ISSN 1873-5584
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.161310

Conference proceedings (7)

Defects in Strontium Titanate: A First Principles Study

Autorzy: Mina Bahrami, Dominic Waldhoer, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Aftab Nazir, Changze Liu, Tibor Grasser
Opublikowane w: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Numer 127, 2023
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319515

(Invited) High-Performance Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials for VLSI Circuits

Autorzy: Theresia Knobloch, Siegfried Selberherr, Tibor Grasser
Opublikowane w: ECS Transactions, Numer 111, 2023, ISSN 1938-6737
Wydawca: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11101.0219ecst

Reliability Assessment of Double-Gated Wafer-Scale MoS₂ Field Effect Transistors through Hysteresis and Bias Temperature Instability Analyses

Autorzy: A. Provias, T. Knobloch, A. Kitamura, K. P. O’Brien, C. J. Dorow, D. Waldhoer, B. Stampfer, A. V. Penumatcha, S. Lee, R. Ramamurthy, S. Clendenning, M. Waltl, U. Avci, T. Grasser
Opublikowane w: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413755

Modeling the Performance and Reliability of Two-Dimensional Semiconductor Transistors

Autorzy: T. Knobloch, D. Waldhoer, M. R. Davoudi, A. Karl, P. Khakbaz, M. Matzinger, Y. Zhang, K. K. H. Smithe, A. Nazir, C. Liu, Y. Y. Illarionov, E. Pop, H. Peng, B. Kaczer, T. Grasser
Opublikowane w: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, ISSN 2156-017X
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413824

Modeling the Impact of Interface and Border Traps on Hysteresis in Encapsulated Monolayer MoS₂ Based Double Gated FETs

Autorzy: Rittik Ghosh, Theresia Knobloch, Alexander Karl, Christoph Wilhelmer, Alexandros Provias, Dominic Waldhör, Tibor Grasser
Opublikowane w: 2024 Austrochip Workshop on Microelectronics (Austrochip), 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/Austrochip62761.2024.10716217

Multi-Scale Modeling of Transistors Based on the 2D Semiconductor Bi₂O₂Se

Autorzy: Mohammad Rasool Davoudi, Pedram Khakbaz, Theresia Knobloch, Dominic Waldhoer, Changze Liu, Aftab Nazir, Yichi Zhang, Hailin Peng, Tibor Grasser
Opublikowane w: 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Numer 80, 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319609

(Invited) Gate Stack Design for Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials

Autorzy: Theresia Knobloch, Tibor Grasser
Opublikowane w: ECS Meeting Abstracts, Numer MA2023-01, 2023, ISSN 2151-2043
Wydawca: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/MA2023-01131319mtgabs