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Publicaciones

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Publicado en: ACS Applied Energy Materials, Edición 7, 2024, ISSN 2574-0962
Editor: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, Edición 182, 2024, ISSN 1369-8001
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: J.M. Hartmann, T. Marion
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, Edición 169, 2023, ISSN 1369-8001
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Publicado en: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Edición 31, 2024, ISSN 1077-260X
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publicado en: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Edición 11, 2023, ISSN 2168-6734
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge<sub>1–<i>x</i></sub>Sn<sub><i>x</i></sub> Structures for Electronic and Photonic Applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publicado en: ACS Applied Electronic Materials, Edición 5, 2023, ISSN 2637-6113
Editor: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Advances in GeSn alloys for MIR applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Publicado en: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Edición 58, 2024, ISSN 1569-4410
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Publicado en: Applied Physics A, Edición 129, 2023, ISSN 0947-8396
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publicado en: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Editor: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publicado en: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Edición 269, 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge<sub>0.86</sub>Sn<sub>0.14</sub> Photodiodes by Layer Transfer (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Publicado en: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Edición 8, 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244

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