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group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

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Resultado final

Publicaciones

Adaptive Epitaxy of C‐Si‐Ge‐Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya, Marvin H. Zoellner, Markus A. Schubert, Florian Bärwolf, Lukas Seidel, Vincent Reboud, Andreas T. Tiedemann, Jin‐Hee Bae, Alexei Tchelnokov, Qing‐Tai Zhao, Christopher A. Broderick, Michael Oehme, Giovanni Capellini, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publicado en: Advanced Materials, Edición 37, 2025, ISSN 0935-9648
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202506919

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Publicado en: ACS Applied Energy Materials, Edición 7, 2024, ISSN 2574-0962
Editor: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, Edición 182, 2024, ISSN 1369-8001
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Direct Bandgap Ge<sub>0.846</sub>Sn<sub>0.154</sub> Photodiodes for Gas Sensing in the Mid-Wave Infrared (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Clément Cardoux, Lara Casiez, Eric Kroemer, Marvin Frauenrath, Jérémie Chrétien, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Jean-Michel Hartmann, Olivier Lartigue, Christophe Constancias, Pierre Barritault, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Aurélie Vandeneynde, Philippe Grosse, Olivier Gravrand, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Publicado en: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Edición 31, 2025, ISSN 1077-260X
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3520704

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Teren Liu; Lukas Seidel; Omar Concepción; Vincent Reboud; Alexei Chelnokov; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publicado en: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, ISSN 1077-260X
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06516

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: J.M. Hartmann, T. Marion
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, Edición 169, 2023, ISSN 1369-8001
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

An assessment of germane and tin tetrachloride for GeSn epitaxy (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: J.M. Hartmann, T. Marion
Publicado en: Journal of Crystal Growth, Edición 667, 2025, ISSN 0022-0248
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2025.128280

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Publicado en: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Edición 31, 2024, ISSN 1077-260X
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publicado en: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Edición 11, 2023, ISSN 2168-6734
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge<sub>1–<i>x</i></sub>Sn<sub><i>x</i></sub> Structures for Electronic and Photonic Applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publicado en: ACS Applied Electronic Materials, Edición 5, 2023, ISSN 2637-6113
Editor: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Dynamics of thermal-induced Sn segregation in GeSn at the nanometer scale (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Jaime Segura-Ruiz, Valentina Bonino, Martin Rosenthal, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Marvin Frauenrath, Clement Cardoux, Jean-Michel Hartmann, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Publicado en: Journal of Alloys and Compounds, Edición 1020, 2025, ISSN 0925-8388
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2025.179435

Toward thermally stable Ni(GeSn) contacts using pre-amorphization by implantation or nanosecond laser annealing (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Andrea Quintero; Marianne Coig; Frédéric Mazen; Pablo Acosta-Alba; Jean-Michel Hartmann; Patrice Gergaud; Vincent Reboud; Philippe Rodriguez
Publicado en: MRS Advances, 2024, ISSN 2059-8521
Editor: Springer International
DOI: 10.1557/S43580-024-01026-5

Advances in GeSn alloys for MIR applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Publicado en: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Edición 58, 2024, ISSN 1569-4410
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Nature Communications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Lukas Seidel; Teren Liu; Omar Concepción; Bahareh Marzban; Vivien Kiyek; Davide Spirito; Daniel Schwarz; Aimen Benkhelifa; Jörg Schulze; Zoran Ikonic; Jean-Michel Hartmann; Alexei Chelnokov; Jeremy Witzens; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publicado en: Nature Communications, 2024, ISSN 2041-1723
Editor: Nature Publishing Group
DOI: 10.18154/RWTH-2024-12200

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Publicado en: Applied Physics A, Edición 129, 2023, ISSN 0947-8396
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Spin Pumping in Epitaxial Ge<sub>1‐x</sub>Sn<sub>x</sub> Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Emanuele Longo; Omar Concepción; Roberto Mantovan; Marco Fanciulli; Maksym Myronov; Emiliano Bonera; Jacopo Pedrini; Dan Buca; Fabio Pezzoli
Publicado en: Advanced Quantum Technologies, 2024, ISSN 2511-9044
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/QUTE.202400508

Phase‐Coherent Transport in GeSn Alloys on Si (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Prateek Kaul; Omar Concepción; Daan H. Wielens; Patrick Zellekens; Chuan Li; Zoran Ikonic; Koji Ishibashi; Qing‐Tai Zhao; Alexander Brinkman; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publicado en: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Editor: Wiley
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06046

Low-Resistance and Thermally Stable Ohmic Contacts on n-GeSn Using Ni and Ti Metallization (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Nicolas Coudurier, Andrea Quintero, Robin Pellerin, Maël Robin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 72, 2025, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3542347

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publicado en: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Editor: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Luminescence properties of GeSn laser materials: Influence of buffered substrates (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Martin Aagaard, Omar Concepción, Dan Buca, Zoran Ikonic, Brian Julsgaard
Publicado en: Journal of Applied Physics, Edición 138, 2025, ISSN 0021-8979
Editor: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0281958

Photonic ge-based platforms for mid-infrared applications (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Reboud, V.; Hartmann, J. M.; Serna, S.; Stoll, K.; Monat, C.; Grillet, C.
Publicado en: Photoniques, 2024, ISSN 1629-4475
Editor: French Optical Society
DOI: 10.1051/PHOTON/202412552

On demand control of the strain state in Ge-GeSn microbridges (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Antoine Bard, Vincent Calvo, Vincent Reboud, Gwenael Le Rhun, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc
Publicado en: Silicon Photonics XX, 2025
Editor: SPIE
DOI: 10.1117/12.3045193

CW electrically pumped GeSn/SiGeSn MQW lasers (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: O. Concepción, L. Seidel, T. Liu, G. Capellini, M. Oehme, D. Grützmacher, D. Buca
Publicado en: 2025 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/SIPHOTONICS64386.2025.10985491

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publicado en: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Edición 269, 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge<sub>0.86</sub>Sn<sub>0.14</sub> Photodiodes by Layer Transfer (se abrirá en una nueva ventana)

Autores: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Publicado en: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Edición 8, 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244

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