group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Projektinformationen

LASTSTEP

ID Finanzhilfevereinbarung: 101070208

DOI

10.3030/101070208

EK-Unterschriftsdatum 8 Dezember 2022

Startdatum 1 Januar 2023

Enddatum 30 Juni 2026

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 4 181 092,75

EU-Beitrag

€ 4 181 092,00

Koordiniert durch

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (9)

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Autoren: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Veröffentlicht in: ACS Applied Energy Materials, Ausgabe 7, 2024, ISSN 2574-0962
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Autoren: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 182, 2024, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Autoren: J.M. Hartmann, T. Marion
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 169, 2023, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Autoren: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Veröffentlicht in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Ausgabe 31, 2024, ISSN 1077-260X
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autoren: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 11, 2023, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Autoren: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Veröffentlicht in: ACS Applied Electronic Materials, Ausgabe 5, 2023, ISSN 2637-6113
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Autoren: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Veröffentlicht in: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Ausgabe 58, 2024, ISSN 1569-4410
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Autoren: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Veröffentlicht in: Applied Physics A, Ausgabe 129, 2023, ISSN 0947-8396
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Autoren: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Veröffentlicht in: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Herausgeber: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Conference proceedings (2)

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autoren: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Ausgabe 269, 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Autoren: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Veröffentlicht in: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Ausgabe 8, 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244