group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Projektinformationen

LASTSTEP

ID Finanzhilfevereinbarung: 101070208

DOI

10.3030/101070208

EK-Unterschriftsdatum 8 Dezember 2022

Startdatum 1 Januar 2023

Enddatum 30 Juni 2026

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 4 181 092,75

EU-Beitrag

€ 4 181 092,00

Koordiniert durch

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

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Leistungen

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (21)

Adaptive Epitaxy of C‐Si‐Ge‐Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures

Autoren: Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya, Marvin H. Zoellner, Markus A. Schubert, Florian Bärwolf, Lukas Seidel, Vincent Reboud, Andreas T. Tiedemann, Jin‐Hee Bae, Alexei Tchelnokov, Qing‐Tai Zhao, Christopher A. Broderick, Michael Oehme, Giovanni Capellini, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Veröffentlicht in: Advanced Materials, Ausgabe 37, 2025, ISSN 0935-9648
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202506919

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Autoren: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Veröffentlicht in: ACS Applied Energy Materials, Ausgabe 7, 2024, ISSN 2574-0962
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Autoren: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 182, 2024, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Direct Bandgap Ge_0.846Sn_0.154 Photodiodes for Gas Sensing in the Mid-Wave Infrared

Autoren: Clément Cardoux, Lara Casiez, Eric Kroemer, Marvin Frauenrath, Jérémie Chrétien, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Jean-Michel Hartmann, Olivier Lartigue, Christophe Constancias, Pierre Barritault, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Aurélie Vandeneynde, Philippe Grosse, Olivier Gravrand, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Veröffentlicht in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Ausgabe 31, 2025, ISSN 1077-260X
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3520704

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics

Autoren: Teren Liu; Lukas Seidel; Omar Concepción; Vincent Reboud; Alexei Chelnokov; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Veröffentlicht in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, ISSN 1077-260X
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06516

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Autoren: J.M. Hartmann, T. Marion
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 169, 2023, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

An assessment of germane and tin tetrachloride for GeSn epitaxy

Autoren: J.M. Hartmann, T. Marion
Veröffentlicht in: Journal of Crystal Growth, Ausgabe 667, 2025, ISSN 0022-0248
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2025.128280

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Autoren: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Veröffentlicht in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Ausgabe 31, 2024, ISSN 1077-260X
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autoren: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 11, 2023, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Autoren: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Veröffentlicht in: ACS Applied Electronic Materials, Ausgabe 5, 2023, ISSN 2637-6113
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Dynamics of thermal-induced Sn segregation in GeSn at the nanometer scale

Autoren: Jaime Segura-Ruiz, Valentina Bonino, Martin Rosenthal, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Marvin Frauenrath, Clement Cardoux, Jean-Michel Hartmann, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Veröffentlicht in: Journal of Alloys and Compounds, Ausgabe 1020, 2025, ISSN 0925-8388
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2025.179435

Toward thermally stable Ni(GeSn) contacts using pre-amorphization by implantation or nanosecond laser annealing

Autoren: Andrea Quintero; Marianne Coig; Frédéric Mazen; Pablo Acosta-Alba; Jean-Michel Hartmann; Patrice Gergaud; Vincent Reboud; Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: MRS Advances, 2024, ISSN 2059-8521
Herausgeber: Springer International
DOI: 10.1557/S43580-024-01026-5

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Autoren: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Veröffentlicht in: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Ausgabe 58, 2024, ISSN 1569-4410
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Nature Communications

Autoren: Lukas Seidel; Teren Liu; Omar Concepción; Bahareh Marzban; Vivien Kiyek; Davide Spirito; Daniel Schwarz; Aimen Benkhelifa; Jörg Schulze; Zoran Ikonic; Jean-Michel Hartmann; Alexei Chelnokov; Jeremy Witzens; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Veröffentlicht in: Nature Communications, 2024, ISSN 2041-1723
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.18154/RWTH-2024-12200

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Autoren: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Veröffentlicht in: Applied Physics A, Ausgabe 129, 2023, ISSN 0947-8396
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Spin Pumping in Epitaxial Ge_1‐xSn_x Alloys

Autoren: Emanuele Longo; Omar Concepción; Roberto Mantovan; Marco Fanciulli; Maksym Myronov; Emiliano Bonera; Jacopo Pedrini; Dan Buca; Fabio Pezzoli
Veröffentlicht in: Advanced Quantum Technologies, 2024, ISSN 2511-9044
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/QUTE.202400508

Phase‐Coherent Transport in GeSn Alloys on Si

Autoren: Prateek Kaul; Omar Concepción; Daan H. Wielens; Patrick Zellekens; Chuan Li; Zoran Ikonic; Koji Ishibashi; Qing‐Tai Zhao; Alexander Brinkman; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06046

Low-Resistance and Thermally Stable Ohmic Contacts on n-GeSn Using Ni and Ti Metallization

Autoren: Nicolas Coudurier, Andrea Quintero, Robin Pellerin, Maël Robin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 72, 2025, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3542347

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Autoren: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Veröffentlicht in: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Herausgeber: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Luminescence properties of GeSn laser materials: Influence of buffered substrates

Autoren: Martin Aagaard, Omar Concepción, Dan Buca, Zoran Ikonic, Brian Julsgaard
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 138, 2025, ISSN 0021-8979
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0281958

Photonic ge-based platforms for mid-infrared applications

Autoren: Reboud, V.; Hartmann, J. M.; Serna, S.; Stoll, K.; Monat, C.; Grillet, C.
Veröffentlicht in: Photoniques, 2024, ISSN 1629-4475
Herausgeber: French Optical Society
DOI: 10.1051/PHOTON/202412552

Conference proceedings (4)

On demand control of the strain state in Ge-GeSn microbridges

Autoren: Antoine Bard, Vincent Calvo, Vincent Reboud, Gwenael Le Rhun, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc
Veröffentlicht in: Silicon Photonics XX, 2025
Herausgeber: SPIE
DOI: 10.1117/12.3045193

CW electrically pumped GeSn/SiGeSn MQW lasers

Autoren: O. Concepción, L. Seidel, T. Liu, G. Capellini, M. Oehme, D. Grützmacher, D. Buca
Veröffentlicht in: 2025 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SIPHOTONICS64386.2025.10985491

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autoren: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Ausgabe 269, 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Autoren: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Veröffentlicht in: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Ausgabe 8, 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244