group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Informations projet

LASTSTEP

N° de convention de subvention: 101070208

DOI

10.3030/101070208

Date de signature de la CE 8 Decembre 2022

Date de début 1 Janvier 2023

Date de fin 30 Juin 2026

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 4 181 092,75

Contribution de l’UE

€ 4 181 092,00

Coordonné par

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Publications

Peer reviewed articles (9)

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Auteurs: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Publié dans: ACS Applied Energy Materials, Numéro 7, 2024, ISSN 2574-0962
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Auteurs: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 182, 2024, ISSN 1369-8001
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Auteurs: J.M. Hartmann, T. Marion
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 169, 2023, ISSN 1369-8001
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Auteurs: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Publié dans: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numéro 31, 2024, ISSN 1077-260X
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Auteurs: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publié dans: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numéro 11, 2023, ISSN 2168-6734
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Auteurs: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publié dans: ACS Applied Electronic Materials, Numéro 5, 2023, ISSN 2637-6113
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Auteurs: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Publié dans: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numéro 58, 2024, ISSN 1569-4410
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Auteurs: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Publié dans: Applied Physics A, Numéro 129, 2023, ISSN 0947-8396
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Auteurs: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publié dans: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Éditeur: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Conference proceedings (2)

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Auteurs: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publié dans: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numéro 269, 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Auteurs: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Publié dans: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numéro 8, 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244