group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Informations projet

LASTSTEP

N° de convention de subvention: 101070208

DOI

10.3030/101070208

Date de signature de la CE 8 Decembre 2022

Date de début 1 Janvier 2023

Date de fin 30 Juin 2026

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 4 181 092,75

Contribution de l’UE

€ 4 181 092,00

Coordonné par

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Publications

Peer reviewed articles (21)

Adaptive Epitaxy of C‐Si‐Ge‐Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures

Auteurs: Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya, Marvin H. Zoellner, Markus A. Schubert, Florian Bärwolf, Lukas Seidel, Vincent Reboud, Andreas T. Tiedemann, Jin‐Hee Bae, Alexei Tchelnokov, Qing‐Tai Zhao, Christopher A. Broderick, Michael Oehme, Giovanni Capellini, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publié dans: Advanced Materials, Numéro 37, 2025, ISSN 0935-9648
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202506919

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Auteurs: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Publié dans: ACS Applied Energy Materials, Numéro 7, 2024, ISSN 2574-0962
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Auteurs: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 182, 2024, ISSN 1369-8001
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Direct Bandgap Ge_0.846Sn_0.154 Photodiodes for Gas Sensing in the Mid-Wave Infrared

Auteurs: Clément Cardoux, Lara Casiez, Eric Kroemer, Marvin Frauenrath, Jérémie Chrétien, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Jean-Michel Hartmann, Olivier Lartigue, Christophe Constancias, Pierre Barritault, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Aurélie Vandeneynde, Philippe Grosse, Olivier Gravrand, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Publié dans: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numéro 31, 2025, ISSN 1077-260X
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3520704

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics

Auteurs: Teren Liu; Lukas Seidel; Omar Concepción; Vincent Reboud; Alexei Chelnokov; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publié dans: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, ISSN 1077-260X
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06516

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Auteurs: J.M. Hartmann, T. Marion
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 169, 2023, ISSN 1369-8001
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

An assessment of germane and tin tetrachloride for GeSn epitaxy

Auteurs: J.M. Hartmann, T. Marion
Publié dans: Journal of Crystal Growth, Numéro 667, 2025, ISSN 0022-0248
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2025.128280

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Auteurs: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Publié dans: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numéro 31, 2024, ISSN 1077-260X
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Auteurs: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publié dans: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numéro 11, 2023, ISSN 2168-6734
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Auteurs: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publié dans: ACS Applied Electronic Materials, Numéro 5, 2023, ISSN 2637-6113
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Dynamics of thermal-induced Sn segregation in GeSn at the nanometer scale

Auteurs: Jaime Segura-Ruiz, Valentina Bonino, Martin Rosenthal, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Marvin Frauenrath, Clement Cardoux, Jean-Michel Hartmann, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Publié dans: Journal of Alloys and Compounds, Numéro 1020, 2025, ISSN 0925-8388
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2025.179435

Toward thermally stable Ni(GeSn) contacts using pre-amorphization by implantation or nanosecond laser annealing

Auteurs: Andrea Quintero; Marianne Coig; Frédéric Mazen; Pablo Acosta-Alba; Jean-Michel Hartmann; Patrice Gergaud; Vincent Reboud; Philippe Rodriguez
Publié dans: MRS Advances, 2024, ISSN 2059-8521
Éditeur: Springer International
DOI: 10.1557/S43580-024-01026-5

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Auteurs: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Publié dans: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numéro 58, 2024, ISSN 1569-4410
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Nature Communications

Auteurs: Lukas Seidel; Teren Liu; Omar Concepción; Bahareh Marzban; Vivien Kiyek; Davide Spirito; Daniel Schwarz; Aimen Benkhelifa; Jörg Schulze; Zoran Ikonic; Jean-Michel Hartmann; Alexei Chelnokov; Jeremy Witzens; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publié dans: Nature Communications, 2024, ISSN 2041-1723
Éditeur: Nature Publishing Group
DOI: 10.18154/RWTH-2024-12200

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Auteurs: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Publié dans: Applied Physics A, Numéro 129, 2023, ISSN 0947-8396
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Spin Pumping in Epitaxial Ge_1‐xSn_x Alloys

Auteurs: Emanuele Longo; Omar Concepción; Roberto Mantovan; Marco Fanciulli; Maksym Myronov; Emiliano Bonera; Jacopo Pedrini; Dan Buca; Fabio Pezzoli
Publié dans: Advanced Quantum Technologies, 2024, ISSN 2511-9044
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/QUTE.202400508

Phase‐Coherent Transport in GeSn Alloys on Si

Auteurs: Prateek Kaul; Omar Concepción; Daan H. Wielens; Patrick Zellekens; Chuan Li; Zoran Ikonic; Koji Ishibashi; Qing‐Tai Zhao; Alexander Brinkman; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Publié dans: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06046

Low-Resistance and Thermally Stable Ohmic Contacts on n-GeSn Using Ni and Ti Metallization

Auteurs: Nicolas Coudurier, Andrea Quintero, Robin Pellerin, Maël Robin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 72, 2025, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3542347

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Auteurs: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Publié dans: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Éditeur: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Luminescence properties of GeSn laser materials: Influence of buffered substrates

Auteurs: Martin Aagaard, Omar Concepción, Dan Buca, Zoran Ikonic, Brian Julsgaard
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 138, 2025, ISSN 0021-8979
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0281958

Photonic ge-based platforms for mid-infrared applications

Auteurs: Reboud, V.; Hartmann, J. M.; Serna, S.; Stoll, K.; Monat, C.; Grillet, C.
Publié dans: Photoniques, 2024, ISSN 1629-4475
Éditeur: French Optical Society
DOI: 10.1051/PHOTON/202412552

Conference proceedings (4)

On demand control of the strain state in Ge-GeSn microbridges

Auteurs: Antoine Bard, Vincent Calvo, Vincent Reboud, Gwenael Le Rhun, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc
Publié dans: Silicon Photonics XX, 2025
Éditeur: SPIE
DOI: 10.1117/12.3045193

CW electrically pumped GeSn/SiGeSn MQW lasers

Auteurs: O. Concepción, L. Seidel, T. Liu, G. Capellini, M. Oehme, D. Grützmacher, D. Buca
Publié dans: 2025 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SIPHOTONICS64386.2025.10985491

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Auteurs: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Publié dans: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numéro 269, 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Auteurs: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Publié dans: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numéro 8, 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244