group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Informacje na temat projektu

LASTSTEP

Identyfikator umowy o grant: 101070208

DOI

10.3030/101070208

Data podpisania przez KE 8 Grudnia 2022

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2023

Data zakończenia 30 Czerwca 2026

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 4 181 092,75

Wkład UE

€ 4 181 092,00

Koordynowany przez

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Publikacje

Peer reviewed articles (9)

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Autorzy: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Opublikowane w: ACS Applied Energy Materials, Numer 7, 2024, ISSN 2574-0962
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Autorzy: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 182, 2024, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Autorzy: J.M. Hartmann, T. Marion
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 169, 2023, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Autorzy: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Opublikowane w: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numer 31, 2024, ISSN 1077-260X
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autorzy: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numer 11, 2023, ISSN 2168-6734
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Autorzy: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Opublikowane w: ACS Applied Electronic Materials, Numer 5, 2023, ISSN 2637-6113
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Autorzy: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Opublikowane w: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numer 58, 2024, ISSN 1569-4410
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Autorzy: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Opublikowane w: Applied Physics A, Numer 129, 2023, ISSN 0947-8396
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Autorzy: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Opublikowane w: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Wydawca: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Conference proceedings (2)

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autorzy: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numer 269, 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Autorzy: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Opublikowane w: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numer 8, 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244