Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
CORDIScovery podcast 50th episode CORDIScovery podcast 50th episode

group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Data Management Plan (1)
Data Management Plan (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Documents, reports (2)
Project website (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Communication and dissemination tools (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Publikacje

Peer reviewed articles (21)
Adaptive Epitaxy of C‐Si‐Ge‐Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya, Marvin H. Zoellner, Markus A. Schubert, Florian Bärwolf, Lukas Seidel, Vincent Reboud, Andreas T. Tiedemann, Jin‐Hee Bae, Alexei Tchelnokov, Qing‐Tai Zhao, Christopher A. Broderick, Michael Oehme, Giovanni Capellini, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Opublikowane w: Advanced Materials, Numer 37, 2025, ISSN 0935-9648
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202506919

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Opublikowane w: ACS Applied Energy Materials, Numer 7, 2024, ISSN 2574-0962
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 182, 2024, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Direct Bandgap Ge<sub>0.846</sub>Sn<sub>0.154</sub> Photodiodes for Gas Sensing in the Mid-Wave Infrared (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Clément Cardoux, Lara Casiez, Eric Kroemer, Marvin Frauenrath, Jérémie Chrétien, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Jean-Michel Hartmann, Olivier Lartigue, Christophe Constancias, Pierre Barritault, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Aurélie Vandeneynde, Philippe Grosse, Olivier Gravrand, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Opublikowane w: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numer 31, 2025, ISSN 1077-260X
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3520704

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Teren Liu; Lukas Seidel; Omar Concepción; Vincent Reboud; Alexei Chelnokov; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Opublikowane w: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, ISSN 1077-260X
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06516

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J.M. Hartmann, T. Marion
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 169, 2023, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

An assessment of germane and tin tetrachloride for GeSn epitaxy (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J.M. Hartmann, T. Marion
Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 667, 2025, ISSN 0022-0248
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2025.128280

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Opublikowane w: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numer 31, 2024, ISSN 1077-260X
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numer 11, 2023, ISSN 2168-6734
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge<sub>1–<i>x</i></sub>Sn<sub><i>x</i></sub> Structures for Electronic and Photonic Applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Opublikowane w: ACS Applied Electronic Materials, Numer 5, 2023, ISSN 2637-6113
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Dynamics of thermal-induced Sn segregation in GeSn at the nanometer scale (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jaime Segura-Ruiz, Valentina Bonino, Martin Rosenthal, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Marvin Frauenrath, Clement Cardoux, Jean-Michel Hartmann, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Opublikowane w: Journal of Alloys and Compounds, Numer 1020, 2025, ISSN 0925-8388
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2025.179435

Toward thermally stable Ni(GeSn) contacts using pre-amorphization by implantation or nanosecond laser annealing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andrea Quintero; Marianne Coig; Frédéric Mazen; Pablo Acosta-Alba; Jean-Michel Hartmann; Patrice Gergaud; Vincent Reboud; Philippe Rodriguez
Opublikowane w: MRS Advances, 2024, ISSN 2059-8521
Wydawca: Springer International
DOI: 10.1557/S43580-024-01026-5

Advances in GeSn alloys for MIR applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Opublikowane w: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numer 58, 2024, ISSN 1569-4410
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Nature Communications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Lukas Seidel; Teren Liu; Omar Concepción; Bahareh Marzban; Vivien Kiyek; Davide Spirito; Daniel Schwarz; Aimen Benkhelifa; Jörg Schulze; Zoran Ikonic; Jean-Michel Hartmann; Alexei Chelnokov; Jeremy Witzens; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Opublikowane w: Nature Communications, 2024, ISSN 2041-1723
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.18154/RWTH-2024-12200

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Opublikowane w: Applied Physics A, Numer 129, 2023, ISSN 0947-8396
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Spin Pumping in Epitaxial Ge<sub>1‐x</sub>Sn<sub>x</sub> Alloys (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Emanuele Longo; Omar Concepción; Roberto Mantovan; Marco Fanciulli; Maksym Myronov; Emiliano Bonera; Jacopo Pedrini; Dan Buca; Fabio Pezzoli
Opublikowane w: Advanced Quantum Technologies, 2024, ISSN 2511-9044
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/QUTE.202400508

Phase‐Coherent Transport in GeSn Alloys on Si (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Prateek Kaul; Omar Concepción; Daan H. Wielens; Patrick Zellekens; Chuan Li; Zoran Ikonic; Koji Ishibashi; Qing‐Tai Zhao; Alexander Brinkman; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Opublikowane w: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Wydawca: Wiley
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06046

Low-Resistance and Thermally Stable Ohmic Contacts on n-GeSn Using Ni and Ti Metallization (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Nicolas Coudurier, Andrea Quintero, Robin Pellerin, Maël Robin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, Numer 72, 2025, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3542347

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Opublikowane w: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Wydawca: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Luminescence properties of GeSn laser materials: Influence of buffered substrates (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Martin Aagaard, Omar Concepción, Dan Buca, Zoran Ikonic, Brian Julsgaard
Opublikowane w: Journal of Applied Physics, Numer 138, 2025, ISSN 0021-8979
Wydawca: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0281958

Photonic ge-based platforms for mid-infrared applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Reboud, V.; Hartmann, J. M.; Serna, S.; Stoll, K.; Monat, C.; Grillet, C.
Opublikowane w: Photoniques, 2024, ISSN 1629-4475
Wydawca: French Optical Society
DOI: 10.1051/PHOTON/202412552

Conference proceedings (4)
On demand control of the strain state in Ge-GeSn microbridges (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Antoine Bard, Vincent Calvo, Vincent Reboud, Gwenael Le Rhun, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc
Opublikowane w: Silicon Photonics XX, 2025
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3045193

CW electrically pumped GeSn/SiGeSn MQW lasers (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: O. Concepción, L. Seidel, T. Liu, G. Capellini, M. Oehme, D. Grützmacher, D. Buca
Opublikowane w: 2025 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SIPHOTONICS64386.2025.10985491

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numer 269, 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge<sub>0.86</sub>Sn<sub>0.14</sub> Photodiodes by Layer Transfer (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Opublikowane w: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numer 8, 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Udostępnij tę stronę Udostępnij tę stronę w mediach społecznościowych

Pobierz Pobierz zawartość strony

Ostatnia aktualizacja: 16 Grudnia 2022

Moja broszura

Permalink: https://cordis.europa.eu/project/id/101070208/results/pl

European Union, 2025

Moja broszura 0 0