group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Informazioni relative al progetto

LASTSTEP

ID dell’accordo di sovvenzione: 101070208

DOI

10.3030/101070208

Data della firma CE 8 Dicembre 2022

Data di avvio 1 Gennaio 2023

Data di completamento 30 Giugno 2026

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 4 181 092,75

Contributo UE

€ 4 181 092,00

Coordinato da

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (21)

Adaptive Epitaxy of C‐Si‐Ge‐Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures

Autori: Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya, Marvin H. Zoellner, Markus A. Schubert, Florian Bärwolf, Lukas Seidel, Vincent Reboud, Andreas T. Tiedemann, Jin‐Hee Bae, Alexei Tchelnokov, Qing‐Tai Zhao, Christopher A. Broderick, Michael Oehme, Giovanni Capellini, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Pubblicato in: Advanced Materials, Numero 37, 2025, ISSN 0935-9648
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/ADMA.202506919

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Autori: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Pubblicato in: ACS Applied Energy Materials, Numero 7, 2024, ISSN 2574-0962
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Autori: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 182, 2024, ISSN 1369-8001
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Direct Bandgap Ge_0.846Sn_0.154 Photodiodes for Gas Sensing in the Mid-Wave Infrared

Autori: Clément Cardoux, Lara Casiez, Eric Kroemer, Marvin Frauenrath, Jérémie Chrétien, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Jean-Michel Hartmann, Olivier Lartigue, Christophe Constancias, Pierre Barritault, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Aurélie Vandeneynde, Philippe Grosse, Olivier Gravrand, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Pubblicato in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numero 31, 2025, ISSN 1077-260X
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3520704

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics

Autori: Teren Liu; Lukas Seidel; Omar Concepción; Vincent Reboud; Alexei Chelnokov; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Pubblicato in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, ISSN 1077-260X
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06516

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Autori: J.M. Hartmann, T. Marion
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 169, 2023, ISSN 1369-8001
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

An assessment of germane and tin tetrachloride for GeSn epitaxy

Autori: J.M. Hartmann, T. Marion
Pubblicato in: Journal of Crystal Growth, Numero 667, 2025, ISSN 0022-0248
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2025.128280

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Autori: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Pubblicato in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numero 31, 2024, ISSN 1077-260X
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autori: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Pubblicato in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numero 11, 2023, ISSN 2168-6734
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Autori: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Pubblicato in: ACS Applied Electronic Materials, Numero 5, 2023, ISSN 2637-6113
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Dynamics of thermal-induced Sn segregation in GeSn at the nanometer scale

Autori: Jaime Segura-Ruiz, Valentina Bonino, Martin Rosenthal, Nicolas Pauc, Vincent Calvo, Marvin Frauenrath, Clement Cardoux, Jean-Michel Hartmann, Alexei Chelnokov, Vincent Reboud
Pubblicato in: Journal of Alloys and Compounds, Numero 1020, 2025, ISSN 0925-8388
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JALLCOM.2025.179435

Toward thermally stable Ni(GeSn) contacts using pre-amorphization by implantation or nanosecond laser annealing

Autori: Andrea Quintero; Marianne Coig; Frédéric Mazen; Pablo Acosta-Alba; Jean-Michel Hartmann; Patrice Gergaud; Vincent Reboud; Philippe Rodriguez
Pubblicato in: MRS Advances, 2024, ISSN 2059-8521
Editore: Springer International
DOI: 10.1557/S43580-024-01026-5

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Autori: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Pubblicato in: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numero 58, 2024, ISSN 1569-4410
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Nature Communications

Autori: Lukas Seidel; Teren Liu; Omar Concepción; Bahareh Marzban; Vivien Kiyek; Davide Spirito; Daniel Schwarz; Aimen Benkhelifa; Jörg Schulze; Zoran Ikonic; Jean-Michel Hartmann; Alexei Chelnokov; Jeremy Witzens; Giovanni Capellini; Michael Oehme; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Pubblicato in: Nature Communications, 2024, ISSN 2041-1723
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.18154/RWTH-2024-12200

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Autori: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Pubblicato in: Applied Physics A, Numero 129, 2023, ISSN 0947-8396
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Spin Pumping in Epitaxial Ge_1‐xSn_x Alloys

Autori: Emanuele Longo; Omar Concepción; Roberto Mantovan; Marco Fanciulli; Maksym Myronov; Emiliano Bonera; Jacopo Pedrini; Dan Buca; Fabio Pezzoli
Pubblicato in: Advanced Quantum Technologies, 2024, ISSN 2511-9044
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/QUTE.202400508

Phase‐Coherent Transport in GeSn Alloys on Si

Autori: Prateek Kaul; Omar Concepción; Daan H. Wielens; Patrick Zellekens; Chuan Li; Zoran Ikonic; Koji Ishibashi; Qing‐Tai Zhao; Alexander Brinkman; Detlev Grützmacher; Dan Buca
Pubblicato in: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Editore: Wiley
DOI: 10.34734/FZJ-2024-06046

Low-Resistance and Thermally Stable Ohmic Contacts on n-GeSn Using Ni and Ti Metallization

Autori: Nicolas Coudurier, Andrea Quintero, Robin Pellerin, Maël Robin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, Numero 72, 2025, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2025.3542347

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Autori: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Pubblicato in: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Editore: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Luminescence properties of GeSn laser materials: Influence of buffered substrates

Autori: Martin Aagaard, Omar Concepción, Dan Buca, Zoran Ikonic, Brian Julsgaard
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 138, 2025, ISSN 0021-8979
Editore: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0281958

Photonic ge-based platforms for mid-infrared applications

Autori: Reboud, V.; Hartmann, J. M.; Serna, S.; Stoll, K.; Monat, C.; Grillet, C.
Pubblicato in: Photoniques, 2024, ISSN 1629-4475
Editore: French Optical Society
DOI: 10.1051/PHOTON/202412552

Conference proceedings (4)

On demand control of the strain state in Ge-GeSn microbridges

Autori: Antoine Bard, Vincent Calvo, Vincent Reboud, Gwenael Le Rhun, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc
Pubblicato in: Silicon Photonics XX, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3045193

CW electrically pumped GeSn/SiGeSn MQW lasers

Autori: O. Concepción, L. Seidel, T. Liu, G. Capellini, M. Oehme, D. Grützmacher, D. Buca
Pubblicato in: 2025 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/SIPHOTONICS64386.2025.10985491

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autori: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Pubblicato in: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numero 269, 2024
Editore: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Autori: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Pubblicato in: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numero 8, 2024
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244