group-IV LASer and deTectors on Si-TEchnology Platform

Informazioni relative al progetto

LASTSTEP

ID dell’accordo di sovvenzione: 101070208

DOI

10.3030/101070208

Data della firma CE 8 Dicembre 2022

Data di avvio 1 Gennaio 2023

Data di completamento 30 Giugno 2026

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 4 181 092,75

Contributo UE

€ 4 181 092,00

Coordinato da

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Documents, reports (2)

Project website
Communication and dissemination tools

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (9)

Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys

Autori: Omar Concepción, Jhonny Tiscareño-Ramírez, Ada Angela Chimienti, Thomas Classen, Agnieszka Anna Corley-Wiciak, Andrea Tomadin, Davide Spirito, Dario Pisignano, Patrizio Graziosi, Zoran Ikonic, Qing Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Giovanni Capellini, Stefano Roddaro, Michele Virgilio, Dan Buca
Pubblicato in: ACS Applied Energy Materials, Numero 7, 2024, ISSN 2574-0962
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaem.4c00275

Ex-situ n-type doped carrier-injection layers in direct bandgap GeSn LEDs

Autori: L. Casiez, C. Cardoux, P. Acosta Alba, N. Bernier, J. Richy, N. Pauc, V. Calvo, N. Coudurier, P. Rodriguez, O. Concepción, D. Buca, M. Frauenrath, J.M. Hartmann, A. Chelnokov, V. Reboud
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 182, 2024, ISSN 1369-8001
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108654

Impact of flows, temperature and pressure on the GeSn growth kinetics with a digermane and tin tetrachloride chemistry

Autori: J.M. Hartmann, T. Marion
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 169, 2023, ISSN 1369-8001
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107893

Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm

Autori: Lorenzo Finazzi, Raffaele Giani, Omar Concepción, Dan Buca, Vincent Reboud, Giovanni Isella, Alberto Tosi
Pubblicato in: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Numero 31, 2024, ISSN 1077-260X
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3439495

Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autori: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Pubblicato in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numero 11, 2023, ISSN 2168-6734
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2023.3332094

Isothermal Heteroepitaxy of Ge_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i> Structures for Electronic and Photonic Applications

Autori: Omar Concepción, Nicolaj B. Søgaard, Jin-Hee Bae, Yuji Yamamoto, Andreas T. Tiedemann, Zoran Ikonic, Giovanni Capellini, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Pubblicato in: ACS Applied Electronic Materials, Numero 5, 2023, ISSN 2637-6113
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c00112

Advances in GeSn alloys for MIR applications

Autori: V. Reboud, O. Concepción, W. Du, M. El Kurdi, J.M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Assali, N. Pauc, V. Calvo, C. Cardoux, E. Kroemer, N. Coudurier, P. Rodriguez, S.-Q. Yu, D. Buca, A. Chelnokov
Pubblicato in: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Numero 58, 2024, ISSN 1569-4410
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.photonics.2024.101233

Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics

Autori: D. Grützmacher, O. Concepción, Q.-T. Zhao, D. Buca
Pubblicato in: Applied Physics A, Numero 129, 2023, ISSN 0947-8396
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1007/s00339-023-06478-4

Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

Autori: Jhonny Tiscareño Ramirez, Salvador Gallardo Hernandez, Oliver Krause, Omar Concepción, Detlev Grützmacher, Dan Buca
Pubblicato in: Revista Tecnología en Marcha, 2024, ISSN 2215-3241
Editore: Instituto Tecnologico de Costa Rica
DOI: 10.18845/tm.v37i5.7218

Conference proceedings (2)

Innovative Annealing Technology for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys

Autori: Andrea Quintero, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Vincent Reboud, Philippe Rodriguez
Pubblicato in: 2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), Numero 269, 2024
Editore: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT59028.2023.10175097

Enhancing the Detectivity of Direct Bandgap Ge_0.86Sn_0.14 Photodiodes by Layer Transfer

Autori: C. Cardoux, E. Kroemer, L. Casiez, M. Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, S. Assali, J.M. Hartmann, N. Coudurier, P. Rodriguez, J. Chrétien, J. Widiez, O. Gravrand, A. Chelnokov, V. Reboud
Pubblicato in: 2024 IEEE Silicon Photonics Conference (SiPhotonics), Numero 8, 2024
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10544244