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AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

Projektbeschreibung

Kostengünstige Hochspannungs-Siliziumkarbidhalbleiter im Dienste der grünen Energie

Die weitere Einführung sauberer, nachhaltiger Energien hängt von effizienteren und wettbewerbsfähigen Wandlerlösungen ab. Technik mit großer Bandlücke hat gegenüber der konventionellen Siliziumtechnologie viele Vorteile zu bieten. Jedoch erhöht der hohe Preis der Siliziumkarbidhalbleiter (SiC) die Gesamtkosten. Im Rahmen des EU-finanzierten Projekts AdvanSiC werden kostengünstige Hochspannungs-SiC-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Halbleiter für verschiedene Anwendungen im Mittelspannungs-Gleichstromnetz entwickelt, erprobt und validiert. Dabei geht es um einen Halbleiterschalter für Gleichstromwandlerstationen, einen vollmaßstäblichen Windkonverter und einen vollmaßstäblichen Solarwechselrichter. Projektziele sind die Minimierung der Kosten von Hochspannungs-SiC-Bauelementen mithilfe fortgeschrittener Entwurfsstrukturen und Prozessoptimierungen, die Gewährleistung einer immunen und zuverlässigen Umgebung zur Handhabung schneller SiC-Transienten und die Optimierung von Passivmaterialien und Kühlsystemen zwecks Reduzierung der Kosten auf Bauelement- und Systemebene.

Ziel

For a larger deployment of clean and sustainable energies more efficient and competitive converter solutions are necessary. In this framework, wide Bandgap (WBG) technology provides benefits compared to conventional silicon technology. Even those benefits are well known, e.g. efficiency and/or sufficient reduction on converter footprint, right now SiC are far too expensive and its cost has a negative impact on overall system cost.

In the view of this situation, the objective of AdvanSiC is to produce, test and validate cost-effective HV SiC MOSFET semiconductors in various MVDC grid applications: a solid-state circuit breaker for DC converter stations, a full-scale wind converter and a full-scale solar inverter.

The aim is to minimize HV SiC device cost by advanced design structures and process optimizations. And afterwards, assure an immune and reliable environment to handle SiC fast transients, as well as optimize passives and cooling system to provide cost reduction not only at device level but also at system level.

The main goal of AdvanSiC is to provide industrial leadership in key and emerging technologies to SMEs, start-ups, and industry from Europe to Europe, specifically in a technology that will be key to provide clean and affordable energy.

Koordinator

IKERLAN S. COOP
Netto-EU-Beitrag
€ 659 775,00
Adresse
P JOSE MARIA ARIZMENDIARRIETA 2
20500 Mondragon
Spanien

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Region
Noreste País Vasco Gipuzkoa
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten
€ 659 775,00

Beteiligte (10)

Partner (3)