AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

Projektinformationen

AdvanSiC

ID Finanzhilfevereinbarung: 101075709

DOI

10.3030/101075709

EK-Unterschriftsdatum 5 Dezember 2022

Startdatum 1 Januar 2023

Enddatum 30 September 2026

Finanziert unter

• Climate, Energy and Mobility

Gesamtkosten

€ 3 956 595,00

EU-Beitrag

€ 3 242 373,00

Koordiniert durch

IKERLAN S. COOP
Spain

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Documents, reports (3)

Specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report with the specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report on the Communication and Dissemination Activities_1

Report on the Communication and Dissemination Activities. Month 12 update

Plan for communication, dissemination, and exploitation

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (3)

Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry

Autoren: Gerard Colston; Kelly Turner; Arne Renz; Peter Gammon; Marina Antoniou; Philip A. Mawby; Vishal A. Shah
Veröffentlicht in: Appl. Phys. Lett., Ausgabe 124, 2024, ISSN 1077-3118
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0210680

3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance

Autoren: Kyrylo Melnyk, Arne Benjamin Renz, Qinze Cao, Peter Michael Gammon, Neophytos Lophitis, Luca Maresca, Andrea Irace, Iulian Nistor, Munaf Rahimo, Marina Antoniou
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 71, 2024, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3435181

4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses

Autoren: Laura Anoldo, Edoardo Zanetti, Walter Coco, Alfio Russo, Patrick Fiorenza, Fabrizio Roccaforte
Veröffentlicht in: Materials, Ausgabe 17, 2024, ISSN 1996-1944
Herausgeber: MDPI AG
DOI: 10.3390/ma17081908

Conference proceedings (4)

Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy

Autoren: Patrick Fiorenza, Marco Zignale, Edoardo. Zanetti, Mario S. Alessandrino, Beatrice Carbone, Alfio Guarnera, Mario Saggio, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: Solid State Phenomena
DOI: 10.48550/arXiv.2407.13370

Design and optimization of 3.3 kV silicon carbide semi-superjunction schottky power devices

Autoren: Melnyk, Kyrylo, Renz, Arne Benjamin, Cao, Qinze, Gammon, Peter M., Shah, Vishal, Lophitis, Neophytos, Rahimo, Munaf, Nistor, Iulian, Borghese, Alessandro, Maresca, Luca, Irace, Andrea and Antoniou, Marina
Veröffentlicht in: 2024, ISSN 1946-0201
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ISPSD59661.2024.10579567

Behavioural SiC IGBT Modelling Using Non-Linear Voltage and Current Dependent Capacitances

Autoren: Almpanis, Ioannis; Evans, Paul; Li, Ke; Lophitis, Neophytos
Veröffentlicht in: 2023, ISBN 979-8-3503-1554-7
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/DMC58182.2023.10412584

Robust and area efficient 4H-SiC 1.2 and 3.3 kV Floating Field Ring (FFR) and Trench-FFR termination designs and analysis

Autoren: Melnyk, Kyrylo, Gammon, Peter M., Renz, Arne Benjamin, Cao, Quize, Lophitis, Neophytos and Antoniou, Marina
Veröffentlicht in: IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE, 2023, ISSN 2329-3748
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362098